微传智能申请防反接电路应用中解决latchup的专利,降低从VCC到GND的功耗来达到保护芯片的目的

摘要:国家知识产权局信息显示,微传智能科技(常州)有限公司申请一项名为“一种防反接电路应用中解决latchup的系统及方法”的专利,公开号CN 119153463 A,申请日期为2024年11月。

金融界2024年12月21日消息,国家知识产权局信息显示,微传智能科技(常州)有限公司申请一项名为“一种防反接电路应用中解决latchup的系统及方法”的专利,公开号CN 119153463 A,申请日期为2024年11月。

专利摘要显示,本发明公开了一种防反接电路应用中解决latchup的系统及方法,涉及集成电路技术领域,包括:高压PMOS管M0、高压NMOS管M1、高压NMOS管M2以及POLY电阻Rlatchup 和POLY电阻RM2,所述高压PMOS管M0由P型衬底、N型埋层、深高压P阱、深高压N阱、浅N阱构成,所述高压NMOS管M1由P型衬底、N型埋层、深高压P阱、深高压N阱、高压N阱构成,所述高压NMOS管M2由P型衬底、N型埋层、深高压P阱、深高压N阱、高压N阱构成,所述POLY电阻和POLY电阻RM2由常规P型POLY电阻构成,本发明提供了一种防反接电路应用中解决latchup的方法,通过在高压NMOS管的D电位和高压NMOS管的D端之间串联POLY电阻和在高压NMOS管的深高压P阱上串联POLY电阻限制NPN的电流,进而降低从VCC到GND的功耗来达到保护芯片的目的。

来源:金融界

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