TPH1R403NL MOS管

摘要：这是暑期收到同学自制的电机驱动板，拆卸下来上面的几颗功率MOS管，表贴芯片体积非常小，型号为TPH1R403，它是一款耐压 30V，导通电阻非常小的功率管。在驱动栅极电压4.5V的情况下，导通电阻只有1.5个毫欧姆。栅极电容在3600pF左右。下面对于该M

这是暑期收到同学自制的电机驱动板，拆卸下来上面的几颗功率MOS管，表贴芯片体积非常小，型号为TPH1R403，它是一款耐压 30V，导通电阻非常小的功率管。在驱动栅极电压4.5V的情况下，导通电阻只有1.5个毫欧姆。栅极电容在3600pF左右。下面对于该MOS管的特性进行初步测试，为今后应用提供经验。

AD\Test\2025\September\TestTPH1R403.SchDoc

从嘉立创网站找到TPH1R MOS管的元器件，将它们导出，添加到 AD 器件库中，这样可以节省建立元器件的时间。特别是他的PCB封装，根据经验来看，嘉立创网站提供的封装还是非常标准的。设计测试电路板，根据前两天测量MOS管脚之间电容的电路修改的，使用单面PCB，制作测试电路板。

一分钟之后得到测试电路板，其中有两条飞线，使用0欧姆电阻进行短接。焊接清洗之后对它进行测试。

● 测量条件：
测量频率：100kHz
测量电压：0.1V
MOS Vds：12V

电容测量结果(nF) Cgs+gd//ds 5.600 Cgd+gs//ds 0.98 Cds+gs//gd 1.03 Cgs+gd 5.730 Cgs+ds 5.946 Cgd+ds 1.045

使用LCR镊子测量MOS管极间电容。给MOS管施加12V的偏置电压，测量频率100kHz，测量信号电压 0.1V。分别使用两种方法进行测量。一种是直接测量MOS管三个管脚之间的电容，这样测量的是管脚分布电容的串并联结果。第二种是通过电容短接MOS管两个管脚，这样所测量的结果是两个寄生电容的并联结果。然后通过求解方程，可以得到MOS管分布电容。对比两种方法所得到的结果，可以看到它们在数值上是很接近的。

四、导通电阻

测量MOS管的导通电阻，给MOS管栅极施加5V电压。MOS管导通。利用DH1766提供1A的导通电流。测量DS之间的电压，大约为 25mV，这说明MOS管导通电阻大约为 25毫欧姆。这个测量电阻结果比起它的数据手册中给定的导通电阻大了一个数量级。将栅极电压降低到3V，此时DS之间的电压上升到29mV，对应MOS管导通电阻为 29毫欧姆。

设置DH1766输出 0.2A的恒流，测量 Vgs 与Vds之间的关系。可以看到，当栅极电压小于2.3V，MOS管截止。当栅极电压大约2.3V，MOS导通。这个开关区间非常窄，说明MOS管的跨导率非常大。展开导通之后的电压，栅极电压从 2.5V变化到5V，对于MOS管导通之后的电压并没有太大的影响。