摘要：近日，日本经济产业省宣布向美光 Micron 位于广岛县东广岛市的 DRAM 内存工厂提供合计最多 5360 亿日元的补贴。美光计划斥资 1.5 万亿日元扩建广岛工厂以量产下一代 DRAM 内存，日本政府将为此提供 1/3 的补贴，对应 5000 亿日元；另外

美光计划斥资 1.5 万亿日元扩建广岛工厂以量产下一代 DRAM 内存，日本政府将为此提供 1/3 的补贴。

近日，日本经济产业省宣布向美光 Micron 位于广岛县东广岛市的 DRAM 内存工厂提供合计最多 5360 亿日元的补贴。美光计划斥资 1.5 万亿日元扩建广岛工厂以量产下一代 DRAM 内存，日本政府将为此提供 1/3 的补贴，对应 5000 亿日元；另外的 360 亿日元资金则用于支持美光研发高性能存储器。

美光 DRAM 开发事业部高级副总裁 Shigeru Shiratake 表示：“我们非常感谢经济产业省和日本政府对美光研发工作的支持。美光日本存储器研发团队正与美光美国团队紧密合作，共同开发面向未来的全球最先进的存储器技术。这笔拨款将使我们能够进一步加快面向 AI 时代的高性能存储器解决方案的开发。”

据悉，美光计划在 2025 年量产的下代 1-gamma (nm) 节点正式导入 EUV 光刻技术。考虑到 DRAM 行业的代际周期，新工厂将具备生产 1-gamma 乃至 1-delta DRAM 的能力。这一决策表明美光对于 DRAM 市场的前景保持乐观态度，并期望通过投资新技术和设备来保持其市场地位。

然而，美光在计划建设新晶圆厂的过程中，也遇到了一些挑战。原计划在2024年就启动新晶圆厂的运行，以便在 2025 年量产后的第一时间扩充 1-gamma DRAM 制造能力。但是，由于此前半导体行业，尤其是存储领域的衰退，美光对投资计划进行了调整，放缓了产能扩张的速度。这一决策反映了美光对行业趋势的敏锐洞察，并灵活应对市场变化的能力。

除日本工厂外，美光还计划大幅扩大其在美国本土的投资，专注于领先DRAM制造和研发。美光计划在其此前投资规划的基础上，再增加约300亿美元的投资（预计总额将达到约2000亿美元），在爱达荷州博伊西建设第二座领先的存储器制造工厂；并对弗吉尼亚州马纳萨斯的现有制造工厂进行现代化改造和扩建；以及将先进的HBM高带宽内存封装能力引入美国本土，以支持AI市场带来的长期增长需求。此外，美光还计划在本土研发领域投入500亿美元，进一步巩固其作为全球存储器技术领导者的长期地位。

此前，美光已宣布在纽约建设一座大型晶圆厂的计划。截至目前，美光在美国的广泛扩张计划涵盖了爱达荷州的两座先进制造工厂、纽约州最多四座先进制造工厂、弗吉尼亚州现有工厂的扩建与现代化升级、先进的HBM封装能力以及旨在推动美国创新和技术领导地位的研发投入。这些投资旨在满足预期的市场需求，维持市场份额，并支持美光将40%的DRAM产能在美国本土生产的目标。

据悉，内存曾是日本半导体产业的“顶梁柱”，为其在全球市场上的主导地位奠定了坚实基础。但随着技术革新和市场竞争的加剧，日本在存储领域逐渐丧失了优势。目前，DRAM市场主要被韩国三星和SK海力士以及美国美光三大巨头所垄断，三家公司合计占据约90%以上的市场份额。日本企业中，仅有铠侠（东芝2021年分拆出来的内存部门）在NAND闪存领域仍具有一定竞争力。

去年12月18日，半导体存储器巨头铠侠控股在东京证券交易所最高一级的PRIME市场挂牌上市，拉开交易序幕。铠侠上市时新发行了2156万股，筹得资金约290亿日元。持有其股票的美国投资基金贝恩资本和东芝将卖出一部分，使持股比例分别从56%和40%，降至51%和30%。为应对日益激烈的市场竞争，日本企业开始将目光转向新型存储技术，试图在这一新兴领域寻求新的增长点。

随着人工智能和数字化转型的广泛应用，市场对高密度、高速度、低功耗的非易失性存储器的需求日益增大。相较于传统的DRAM和NAND Flash，新型存储技术如MRAM、FeRAM等，在速度、功耗、耐久性等方面展现出显著优势。这些优势不仅能够满足日益增长的数据存储需求，而且为物联网、人工智能等新兴应用提供了更广阔的发展空间。

铠侠（前身为东芝存储）在新型存储技术上的布局备受关注。早在2011年，东芝就与韩国的SK海力士签署了联合开发协议，共同研发STT-MRAM（自旋转移力矩磁性随机存取存储器）。STT-MRAM的核心存储元件是磁隧道结（MTJ），其工作原理依赖于改变自旋状态来实现数据的存储。为提高存储密度和降低成本，缩小MTJ的尺寸成为实现高密度STT-MRAM的关键技术目标。尽管这一领域的研究已持续多年，但至今仍然处于研发阶段，尚未实现大规模量产。

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来源：半导体产业纵横一点号