摘要：近期，全球存储芯片市场热度陡升。闪迪宣布全渠道产品涨价超10%，美光计划上调价格20%-30%，三星电子则将1c DRAM月产能提升至6万片晶圆规模。
近期，全球存储芯片市场热度陡升。闪迪宣布全渠道产品涨价超10%，美光计划上调价格20%-30%，三星电子则将1c DRAM月产能提升至6万片晶圆规模。
这场“涨价+扩产”的行业浪潮背后，是两大核心驱动力：人工智能迭代催生的海量数据处理需求，以及技术突破带来的全新市场空间。
SK海力士已率先完成HBM4（高带宽内存）开发，实测使AI性能提升69%，量产准备就绪。这款产品不仅能突破数据传输瓶颈，还可降低数据中心电力消耗，为存储芯片应用深化注入新动能。
01 行业变革：需求爆发与技术突破共振
AI革命正在重塑存储芯片行业格局。随着ChatGPT等大模型应用普及，全球数据量呈指数级增长，存储芯片从传统PC、手机领域向AI服务器、智能汽车、物联网等新兴领域快速扩展。
数据中心作为AI产业的“算力底座”，其大规模建设直接拉动存储芯片的增量需求。据TrendForce预测，2025年全球AI服务器出货量将增长40%，直接推动高端存储芯片需求飙升。
技术突破同样令人瞩目。HBM（高带宽内存）作为AI芯片的关键组成部分，其技术迭代不断加速。从HBM3到HBM4的演进，将内存带宽从819GB/s提升至超过1.5TB/s，性能飞跃助力AI训练效率大幅提升。
行业周期也进入上行通道。经历2022-2023年的去库存周期后，存储芯片价格自2024年初开始反弹。预计2025年全球存储市场规模将同比增长25%，迎来新一轮增长周期。
02 国内企业：产业链多点突破，细分领域崭露头角
在全球市场升温的背景下，国内存储芯片领域实现突破性发展。从设计、制造到封测，各环节都涌现出一批具有竞争力的企业。
澜起科技：内存接口芯片全球领跑者
聚焦云计算与AI领域，提供高性能、低功耗芯片解决方案。作为DDR5 RCD芯片国际标准牵头制定者，公司2025年上半年DDR5芯片出货量显著增长，推动营收同比增长58.56%。
全球内存接口芯片行业市占率超40%，是国内唯一能提供DDR5全套解决方案的企业。
江波龙：国产存储模组龙头
主营业务覆盖嵌入式存储、固态硬盘、移动存储等领域。其自研SLC NAND Flash存储芯片中，512Mbit、1Gbit、2Gbit均已实现量产出货。
据TrendForce数据，江波龙已成为全球第二大独立存储器企业，国内市场份额超15%，嵌入式存储市占率全球第四。
兆易创新：闪存芯片设计标杆
以存储器为核心，兼顾微控制器、传感器和模拟芯片的研发与销售，是全球排名第一的无晶圆厂Flash供应商。其NOR Flash产品覆盖512Kbit至2Gb容量，车规级产品已通过AEC-Q100认证。
同有科技：全产业链存储解决方案商
国内少数实现 “主控芯片+固件算法+SSD硬盘+闪存存储系统”全产业链布局的厂商，自主可控产品覆盖党政、金融、能源等关键领域。长沙存储产业园一期已竣工，预计2025年产能释放后可支撑营收翻倍增长。
深科技：存储封测国家队
专注存储芯片的封装与测试，业务覆盖DRAM、NAND Flash及嵌入式存储芯片。掌握16层堆叠技术和超薄POPt封装技术，国内DRAM封测市场份额超30%，是三星、美光的核心合作伙伴。
佰维存储：先进封测技术先锋
在Chiplet封装技术、高容量存储芯片设计领域处于国内领先地位，工车规存储产品通过AEC-Q100认证。2025年上半年营收同比增长45%，毛利率提升至28%，主要受益于AI服务器存储需求增长。
协创数据：智慧存储生态构建者
构建“智能终端+算力基建+云端服务”三位一体的全球化产业体系。与英伟达合作开发AI服务器存储解决方案，自研PCIe 5.0 SSD控制器预计2025年下半年量产。
香农芯创：企业级存储代理商
作为SK海力士中国区核心代理商，深度参与其HBM4产品的市场推广，2025年企业级SSD出货量同比增长80%。产品广泛应用于数据中心、云计算等领域，客户包括阿里、腾讯等头部互联网企业。
北京君正：车规存储芯片供应商
子公司北京矽成专注车规级存储市场，车用DRAM产品全球市占率超15%，支持-40℃至105℃宽温工作，已进入比亚迪、宁德时代供应链。2025年上半年车规存储业务营收同比增长120%。
朗科科技：消费级存储老牌厂商
拥有全球闪存盘核心专利，移动存储产品在国内市场占有率超10%。正布局工业级存储市场，推出耐高温、抗振动的SSD产品，已应用于智能电网领域。
03 风险提示：周期性与技术不确定性并存
存储芯片行业具有明显的周期性特征。2025年全球存储市场规模预计同比增长25%，但需警惕2026年可能出现的产能过剩风险。历史数据显示，存储芯片价格波动剧烈，企业盈利能力随之大幅波动。
技术迭代风险同样不容忽视。HBM4、PCIe 7.0等新技术商业化进度存在不确定性，国内企业在先进制程（如1c DRAM）上仍落后于国际巨头。在技术追赶过程中，研发投入巨大且成果存在不确定性。
地缘政治因素也可能影响行业发展。美国、日本等国家对先进芯片技术的出口管制，可能制约国内存储芯片产业的发展速度，特别是高端制造设备和技术获取方面。
04 投资策略：长期与短期布局结合
基于行业发展趋势和风险因素，投资者可采取差异化投资策略：
长期逻辑：优先关注技术壁垒高、客户绑定深的龙头企业。如澜起科技作为DDR5标准制定者，具备持续领先优势；江波龙在存储模组领域全球排名第二，规模效应明显。
短期机会：受益于AI服务器需求爆发的企业具备业绩弹性。协创数据与英伟达合作开发AI服务器存储解决方案；深科技在先进封测领域技术领先，直接受益于高端存储芯片需求增长。
风险规避：避免技术落后、依赖代工的低端存储厂商，这类企业在价格战中抗风险能力较弱。同时需警惕估值过高标的，存储芯片行业周期性较强，高价买入可能面临长期套牢风险。
存储芯片行业已进入新一轮上升周期，AI驱动的高端需求爆发与技术突破同时出现，为国内企业提供了难得的发展窗口。
在DDR5、HBM4等新技术领域，澜起科技、香农芯创等企业已跻身国际先进水平；在车规存储市场，北京君正凭借技术优势抢占全球份额。
投资者需密切关注技术迭代与产能释放节奏，在行业周期上行阶段把握结构性机会，同时警惕2026年可能出现的产能过剩风险。
来源：维逸青松策
