摘要：美光（Micron）公布了下一代 HBM4 和 HBM4E 工艺的最新进展，该公司预计将于 2026 年开始量产。HBM4 有望带来最先进的性能和效率数据，而这正是提升人工智能计算能力的途径。美光与SK海力士和三星等公司一样，也在争夺 HBM4 的主导地位，在

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

美光宣布开发“尖端”HBM4E 工艺。

美光（Micron）公布了下一代 HBM4 和 HBM4E 工艺的最新进展，该公司预计将于 2026 年开始量产。HBM4 有望带来最先进的性能和效率数据，而这正是提升人工智能计算能力的途径。美光与SK海力士和三星等公司一样，也在争夺 HBM4 的主导地位，在最新的投资者会议上，该公司透露，他们的 HBM4 开发已步入正轨，HBM4E 的"工作也已开始"。

美光表示：凭借在成熟的 1 β 工艺技术方面的坚实基础和持续投资，我们预计美光的 HBM4 将在上市时间和能效方面保持领先地位，同时性能比 HBM3E 提升 50%以上。我们预计 HBM4 将于 2026 年大批量上市。

HBM4E 将紧随 HBM4 之后推出。HBM4E 将通过采用台积电先进的逻辑代工制造工艺，为某些客户提供定制逻辑基础芯片的选择，从而为存储器业务带来模式转变。我们预计这种定制能力将提高美光的财务业绩。

HBM4在许多方面都具有革命性意义，但值得注意的一点是，业界计划将内存和逻辑半导体集成到一个封装中。这意味着不再需要封装技术，而且鉴于单个芯片将更接近于这种实现方式，它将被证明具有更高的性能效率。这就是美光提到他们将使用台积电作为"逻辑半导体"供应商的原因，与 SK Hynix 采用的供应商类似。

美光还提到了 HBM4E 工艺的存在，成为唯一一家与 SK Hynix 一起率先披露该技术发展情况的公司。虽然我们目前还不清楚美光的 HBM4 产品线规格，但该公司透露，HBM4 预计将堆叠多达 16 个 DRAM 芯片，每个芯片的容量为 32 GB，并采用 2048 位宽接口，这使得该技术比上一代产品更加优越。

在应用方面，HBM4 预计将与 AMD 的 Instinct MI400 Instinct 系列一起出现在英伟达的 RubinAI 架构中， 目前，HBM 的需求正处于高峰期，美光公司自己也透露了到 2025 年的生产线预订情况。

关于SK海力士的量产进度，据悉，SK海力士决定将其HBM4制造工艺从5nm改为3nm，预计2025年下半年开始向英伟达供货。这一转变象征着半导体技术的加速创新。新工艺可提高20-30%的性能，改善内存带宽和延迟，尤其在人工智能计算中至关重要。同时，3nm工艺可以减小芯片尺寸，降低功耗和热量，有助于降低数据中心冷却成本。SK海力士通过与台积电合作应对技术挑战，进一步拉大与竞争对手三星电子的差距，增强市场地位。

今年4月，为应对用于AI的半导体需求的大幅度增长，SK海力士决定扩充人工智能基础设施的核心产品，即HBM等新一代DRAM的生产能力，将位于韩国忠清北道清州市的M15X定为新的DRAM生产基地，并决定建设新工厂。

据TrendForce报道，市场调查数据显示，2025年人工智能（AI）的需求仍然超过了HBM供应量，为此SK海力士正在加快M15X的扩建速度，以便尽早提升HBM产能，解决市场的供应短缺问题。SK海力士计划将部分DRAM业务的员工从总部转移到清州园区，负责M15X运行所需的基础设施设置和设备安装。

SK海力士的清州园区目前拥有M11、M12和M15晶圆厂，主要作为NAND闪存的生产基地。围绕M15X的建设及HBM产能提升计划，被认为是SK海力士应对HBM需求攀升的回应。M15X计划于2025年11月竣工，并开始量产HBM产品。

随着人工智能时代的到来，半导体业界认为DRAM市场进入了中长期增长时代。SK海力士预计HBM的年均增长率将达到60%以上，该趋势下要想确保HBM产品的产量达到与普通DRAM相同的水平，则至少需要相对于普通DRAM至少两倍以上的生产能力。

三星电子也在加快产品开发，目标在明年6月之前完成12层HBM4量产的准备工作。业界分析，三星此举是为了在SK海力士之前量产HBM4，以此夺回在HBM3 和 HBM3E方面失去的市场份额。

HBM4流片工作预计将于今年第四季度开始，预计HBM4测试产品将于明年初左右发布，验证产品的运行后，预计将进行设计和工艺改进。

三星计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片，并通过代工4nm工艺量产逻辑芯片。因此三星电子必须提高1c DRAM的量产良率，才能满足HBM4内部量产进度。日前曾有消息称，三星电子在 1c DRAM 开发过程中首次获得了“好芯片”，好的芯片是指运行正常的半导体芯片。据说三星电子内部给出了“希望出现了”的积极评价。

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来源：半导体产业纵横一点号