摘要：据Eenewseurope 12月22日报道，X-FAB宣布对其碳化硅（SiC）加工工艺进行重大升级。此次改进旨在优化生产效率和性能，为功率半导体市场提供更具竞争力的解决方案。

据Eenewseurope 12月22日报道，X-FAB宣布对其碳化硅（SiC）加工工艺进行重大升级。此次改进旨在优化生产效率和性能，为功率半导体市场提供更具竞争力的解决方案。

X-FAB在德克萨斯州卢伯克为晶圆代工客户改进了碳化硅 (SiC) 工艺，这家比利时晶圆代工厂提高了光刻、沉积和蚀刻工具的能力，并对 XSICM03 下一代 XbloX 平台的工艺流程进行了重大调整。新工艺将单元间距缩小了25%，使每个晶片的芯片数量增加了 30%，并降低了导通电阻，从而在不影响栅极氧化物可靠性的情况下减少了损耗。

XbloX 是 X-FAB 精简的 SiC MOSFET 业务流程和技术平台，集成了用于平面 MOSFET 生产的合格 SiC 工艺开发模块和模块。该公司是美国客户 SiC 技术的主要供应商，将成熟的工艺模块与强大的设计规则、控制计划和 FMEAs 相结合，可以加快原型开发速度，简化设计评估，缩短产品上市时间。

这种方法为客户带来了竞争优势，使设计人员能够创建多样化的产品组合，同时实现比传统开发方法快 9 个月的生产时间。

（编译：聆丰）

来源：邮电设计技术