摘要：alternate adj. 交替的, 轮流的, 预备的 v. 交替, 轮流, 改变
原创 芯片失效分析 半导体工程师 2025年01月03日 09:56 北京
A
1st level packaging 第一级封装
2nd level packaging 第二级封装
aberration 象差/色差
absorption 吸收
acceleration column 加速管
acceptor 受主
Accumulate v. 积聚, 堆积
acid 酸
acoustic streaming 声学流
active region 有源区
activate 激活
activated dopant 激活杂质
active component 有源器件
adsorption 吸附
aerosol 悬浮颗粒
air ionizer 空气电离化器
alignment mark 对准标记
alignment 对准
alloy 合金
alternate adj. 交替的, 轮流的, 预备的 v. 交替, 轮流, 改变
aluminum 铝
aluminum subtractive process 铝刻蚀工艺
ambient 环境
ammonia(NH3) 氨气
ammonium fluoride(NH4F) 氟化氨
ammonium hydroxide(NH4OH) 氢氧化氨
amorphous 非晶的，无定型
analog 模拟信号
angstrom 埃
anion 阴离子
anisotropic etch profile 各向异性刻蚀剖面
anneal 退火
antimony(sb) 锑
antirelective coating(ARC) 抗反射涂层
APCVD 常压化学气向淀积
application specific IC(ASIC) 专用集成电路
aqueous solution 水溶液
area array 面阵列
argon（Ar） n. [化]氩
arsenic(As) 砷
arsine(AsH3) 砷化氢，砷烷
ashing 灰化，去胶
aspect ratio 深宽比，高宽比
aspect ratio dependent etching(ARDE) 与刻蚀相关的深宽比
asphyxiant 窒息剂
assay number 检定数
atmospheric adj. 大气的
atmospheric pressure 大气压
atmospheric pressure CVD(APCVD) 常压化学气向淀积
atomic force microscopy(AFM) 原子力显微镜
atomic number 原子序数
attempt n. 努力, 尝试, 企图 vt. 尝试, 企图
auger electron spectroscopy(AES) 俄歇电子能谱仪
autodoping 自掺杂
automatic defect classification(ADC) 缺陷自动分类
B
back-end of line(BEOL) （生产线）后端工序
backgrind 减薄
backing film 背膜
baffle vt. 困惑, 阻碍, 为难（挡片）
baffle assembly n. 集合, 装配, 集会, 集结, 汇编 （挡片块）
ball grid array(BGA) 球栅阵列
ballroom layout 舞厅式布局，超净间的布局
barrel reactor 圆桶型反应室
barrier metal 阻挡层金属
barrier voltage 势垒电压
base 基极，基区
batch 批
bay and chase layout 生产区和技术夹层区
beam blow-up 离子束膨胀
beam current 束流
beam deceleration 束流减速
beam energy 离子束能量
beol （生产线）后端工序
best focus 最佳聚焦
BGA 球栅阵列
Biasing 电压拉偏
BICMOS 双极CMOS
bincode number 分类代码号
bin map 分类图
bipolar junction transistor(BJT) 双极晶体管
bipolar technology 双极技术（工艺）
bird’s beak effect 鸟嘴效应
blanket deposition 均厚淀积
blower 增压泵
boat 舟
BOE 氧化层刻蚀缓冲剂Bon voyage [法]再见, 一路顺风[平安]
bonding pads 压点
bonding wire 焊线，引线
boron(B) 硼
boron trichloride(BCL3) 三氯化硼
boron trifluoride(BF3) 三氟化硼
borophosphosilicate glass(BPSG) 硼磷硅玻璃
borosilicate glass(BSG) 硼硅玻璃
bottom antireflective coating(BARC) 下减反射涂层
boule 单晶锭
bracket n. 墙上凸出的托架, 括弧, 支架 v. 括在一起
breakthrough step 突破步骤，起始的干法刻蚀步骤
brightfield detection 亮场检查
brush scrubbing 涮洗
bubbler 带鼓泡槽
buffered oxide etch(BOE) 氧化层腐蚀缓冲液
bulk chemical distribution 批量化学材料配送
bulk gases 大批气体
bulkhead equipment layout 穿壁式设备布局
bumped chip 凸点式芯片
buried layer 埋层
burn-box 燃烧室（或盒）
burn-in 老化
C
CA 化学放大（胶）
cantilever n. [建]悬臂
cantilever paddle 悬臂桨
cap oxide 掩蔽氧化层
capacitance 电容
capacitance-voltage test(C-Vtest) 电容-电压测试
capacitive coupled plasma 电容偶合等离子体
capacitor 电容器
carbon tetrafluoride(CF4) 四氟化碳
caro’s acid 3号液
carrier 载流子
carrier-depletion region 载流子耗尽层
carrier gas 携带气体
cassette （承）片架
cation 阳离子
caustic 腐蚀性的
cavitation 超声波能
CD 关键尺寸
CD-SEM 线宽扫描电镜
Celsius adj. 摄氏的
center of focus(COF) 焦点 焦平面
center slow 中心慢速
central processing unit(CPU) 中央处理器
ceramic substrate 陶瓷封装
CERDIP 陶瓷双列直插封装
Channel 沟道
channel length 沟道长度
channeling 沟道效应
charge carrier 载流子
chase 技术夹层
chelating agent 螯合剂
chemical amplification(CA) 化学放大胶
chemical etch mechanism 化学刻蚀机理
chemical mechanical planarization(CMP) 化学机械平坦化
chemical solution 化学溶液
chemical vapor deposition(CVD) 化学气相淀积
chip 芯片
chip on board(COB) 板上芯片
chip scale package(CSP) 芯片尺寸封装
circuit geometries 电路几何尺寸
class number 净化级别
cleanroom 净化间
cleanroom protocol 净化间操作规程
Clearfield mask 亮场掩膜板
Cluster tool 多腔集成设备
CMOS 互补金属氧化物半导体
CMP 化学机械平坦化
Coater/developer track 涂胶/显影轨道
Cobalt silicide 钴硅化合物
coefficient n. [数]系数
Coefficient of thermal expansion(CTE) 热涨系数
Coherence probe microscope 相干探测显微镜
Coherent light 相干光
coil v. 盘绕, 卷
Cold wall 冷壁
Collector 集电极
Collimated light 平行光
Collimated sputtering 准直溅射
Compensate v. 偿还, 补偿, 付报酬
Compound semiconductor 化合物半导体
Concentration 浓度
Condensation 浓缩
Conductor 导体
constantly adv. 不变地, 经常地, 坚持不懈地
Confocal microscope 共聚焦显微镜
Conformal step coverage 共型台阶覆盖
Contact 接触（孔）
Contact alignment 接触式对准（光刻）
Contact angle meter 接触角度仪
Contamination 沾污、污染
conti boat 连柱舟
conticaster [冶]连铸机
Continuous spray develop 连续喷雾显影
Contour maps 包络图、等位图、等值图
Contrast 对比度、反差
contribution n. 捐献, 贡献, 投稿
Conventional-line photoresist 常规I线光刻胶
Cook’s theory 库克理论
Copper CVD 铜CVD
Copper interconnect 铜互连
Cost of ownership(COO) 业主总成本
Covalent bond 共价键
Critical dimension 关键尺寸
Cryogenic aerosol cleaning 冷凝浮质清洗
Cryogenic pump(cryopump) 冷凝泵
Crystal 晶体
Crystal activation 晶体激活
Crystal defect 晶体缺陷
Crystal growth 晶体生长
Crystal lattice 晶格
Crystal orientation 晶向
CTE 热涨系数
Current-driven current amplifier 电流驱动电流放大器
CVD 化学气相淀积
Cycle time 周期
CZ crystal puller CZ拉单晶设备
Czochralski(CZ) method 切克劳斯基法
D
damascene 大马士革工艺
darkfiled detection 暗场检测
darkfiled mask 暗场掩膜版
DC bias 直流偏压
decompose v. 分解, (使)腐烂
deep UV(DUV) 深紫外光
default n. 默认(值), 缺省(值), 食言, 不履行责任, [律]缺席 v. 疏怠职责, 缺席, 拖欠, 默认
defects density 缺陷密度
defect 缺陷
deglaze 漂氧化层
degree of planarity(DP) 平整度
dehydration bake 去湿烘培，脱水烘培
density 密度
deplention mode 耗尽型
degree of focus 焦深
deposit n. 堆积物, 沉淀物, 存款, 押金, 保证金, 存放物 vt. 存放, 堆积 vi. 沉淀
deposition 淀积
deposited oxide layer 淀积氧化层
depth of focus 焦深
descum 扫底膜
design for test(DFT) 可测试设计
desorption 解吸附作用
develop inspect 显影检查
development 显影
developer 显影液
deviation n. 背离
device isolation 器件隔离
device technology 器件工艺
DI water 去离子水
Diameter n. 直径
diameter grinding 磨边
diborane （B2H6）乙硼烷
dichlorosilane(H2SiCL2) 二氯甲硅烷
die 芯片
die array 芯片阵列
die attach 粘片
die-by-die alignment 逐个芯片对准
dielectric 介质
dielectric constant 介电常数
die matrix 芯片阵列
die separation 分片
diffraction 衍射
diffraction-limited optics 限制衍射镜片
diffusion 扩散
diffusion controlled 受控扩散
digital/analog 数字/模拟
digital circuit
diluent
direct chip attach( DCA)
directionality
discrete
dishing
dislocation
dissolution rate
dissolution rate monitor(DRM) 溶解率监测
DNQ-novolak 重氮柰醌－酚醛树脂
Donor 施主
dopant profile 掺杂刨面）
doped region 掺杂区
doping 掺杂
dose monitor 剂量检测仪
dose,Q 剂量
downstream reactor 顺流法反应
drain 漏
drive-in 推进
dry etch 干法刻蚀
dry mechanical pump 干式机械泵
dry oxidation 干法氧化
dummy n. 哑巴, 傀儡, 假人, 假货 adj. 虚拟的, 假的, 虚构的 n. [计] 哑元
dynamic adj. 动力的, 动力学的, 动态的
E
economies of scale 规模经济
edge bead removal 边缘去胶
edge die 边缘芯片
edge exclusion 无效边缘区域
electrically erasable PROM电可擦除EPROM
electrode 电极
electromigration 电迁徙
electron beam lithography 电子束光刻
electron cyclotron resonance 电子共振回旋加速器
electron shower 电子簇射，电子喷淋
electron stopping 电子阻止
electronic wafer map 硅片上电性能分布图
electroplating 电镀
electropolishing 电解抛光
electrostatic chuck 静电吸盘
electrostatic discharge(ESD) 静电放电
ellipsometry 椭圆偏振仪，椭偏仪
emitter 发射极
endpoint detection 终点检测
engineering n. 工程(学)
electrostatic discharge(EDX) 能量弥散谱仪
enhancement mode 增强型
epi 外延
epitaxial layer 外延层
epoxy underfill 环氧树脂填充不足
erasable PROM 可擦除可编程只读存储器
erosion 腐蚀，浸蚀
establish vt. 建立, 设立, 安置, 使定居, 使人民接受, 确定 v. 建立
etch 刻蚀
etch bias 刻蚀涨缩量
etch profile 刻蚀刨面
etch rate 刻蚀速率
etch residue 刻蚀残渣
etch uniformity 刻蚀均匀性
etchant 刻蚀剂
etchback planarization 返刻平坦化
eutectic attach 共晶焊接
eutectic temperature 共晶温度
evaporation 蒸发
even adj. 平的, 平滑的, 偶数的, 一致的, 平静的, 恰好的, 平均的, 连贯的 adv. [加强语气]甚至(...也), 连...都, 即使, 恰好, 正当 vt. 使平坦, 使相等 vi. 变平, 相等 n. 偶数, 偶校验
exceed vt. 超越, 胜过 vi. 超过其他
excimer laser 准分之激光
exposal n. 曝光, 显露
exposure 曝光
exposure dose 曝光量
extraction electrode 吸极
extreme UV 极紫外线
extrinsic silicon 掺杂硅
F
Fables 无制造厂公司
fabrication 制造
facilities 设施
factor n. 因素, 要素, 因数, 代理人
fast ramp furnaces 快速升降温炉
fault model 失效模式
FCC diamond 面心立方金刚石
feature size 特征尺寸
FEOL 前工序
Fick’s laws FICK定律
field-effect transistor 场效应晶体管
field oxide 场氧化
field-by-field alignment 逐场对准
field-programmable PROM 现场可编程只读存储器
film 膜
film stress 膜应力
final assembly and packaging 最终装配和封装
final test 终测
first interlayer dielectric(ILD-1)第一层层间介质
fixed oxide charge 固定氧化物电荷
flats 定位边
flip chip 倒装芯片
float zone 区熔法
fluorosilicate glass(FSG) 氟化玻璃
focal length 焦距
focal plane 焦平面
focal point 焦点
focus 聚焦
focus ion beam(FIB) 聚焦离子束
footprint 占地面积
formula n. 公式, 规则, 客套语
forward bias 正偏压
four-point probe 四探针
frenkel defect Frenkel缺陷
front-opening unified pod(FOUP) 前开口盒
functional test 功能测试
furnace flat zone 恒温区
G
g-line G线
gallium(Ga) 镓
gallium arsenide(GaAs) 砷化镓
gap fill 间隙填充
gas 气体
gas cabinet 气柜
gas manifold 气瓶集装
gas phase nucleation 气相成核
gas purge 气体冲洗
gas throughput 气体产量
gate 栅
gate oxide 栅氧化硅
gate oxide integrity 栅氧完整性
germanium(Ge) 锗
getter 俘获
glass 玻璃
glazing 光滑表面
global alignment 全局对准
global planarization 全局平坦化
glow discharge 起辉放电
gray area 灰区，技术夹层
gross defect 层错
grove n. 小树林
grown oxide layer 热氧化生长氧化层
H
Halogen 卤素
hardbake 坚膜
hardware n. 五金器具, (电脑的)硬件, (电子仪器的)部件
HEPA filter 高效过滤器
hermetic sealing 密封
heteroepitaxy 异质外延
heterogeneous reaction 异质反应
hexamethyldisilazane(HMDS)六甲基二硅氨烷
high-density plasma(HDPCVD) 高密度等离子体化学气相淀积
high-density plasma etch 高密度等离子刻蚀
high-pressure oxidation 高压氧化
high-temperature diffusion furnace 高温扩散炉
high vacuum 高真空
high vacuum pumps 高真空泵
hillock 小丘（铝）尖刺
homoepitaxy 同质外延
homogeneous reaction 同质反应
horizontal adj. 地平线的, 水平的
horizontal furnace 卧式炉
hot electron 热电子
hot wall 热壁
hydrochloric acid(HCL) 盐酸
hydrofluoric acid(HF) 氢氟酸
hydrogen(H2) 氢气
hydrogen chloride(HCL) 氯化氢
hydrogen peroxide(H2O2) 双氧水
hydeophilic 亲水性
hydrophobic憎水性，疏水性
hyperfiltration 超过滤
I
i-line I线
IC packaging 集成电路封装
IC reliability 集成电路可靠性
Iddq testing 静态漏电流测试
image resolution 图象清晰度 图象分解力
implant v. 灌输（注入）
impurity 杂质
increment n. 增加, 增量
initial adj. 最初的, 词首的, 初始的 n. 词首大写字母
in situ measurements 在线测量
index of refraction 折射率
indium 铟
inductively coupled plasma(ICP) 电感耦合等离子体
inert gas 惰性气体
infrared interference 红外干涉
ingot 锭
ink mark 墨水标识
in-line parametric test 在线参数测试
input/output(I/O)pin 输入/输出管脚
institute n. 学会, 学院, 协会 vt. 创立, 开始, 制定, 开始(调查), 提起(诉讼)
insulator 绝缘体
integrate vt. 使成整体, 使一体化, 求...的积分 v.结合
integrated circuit(IC)集成电路
integrated measurement tool 集成电路测量仪
interval n. 间隔, 距离, 幕间休息 n. 时间间隔
interconnect 互连
interconnect delay 互连连线延迟
interface-trapped charge 界面陷阱电荷
interferometer 干涉仪
interlayer dielectric(ILD) 层间介质
interstitial 间隙（原子）
intrinsic silicon 本征硅
invoke v. 调用
ion 离子
ion analyzer 离子分析仪
ion beam milling or ion beam etching(IBE) 离子铣或离子束刻蚀
ion implantation 离子注入
ion implantation damage 离子注入损伤
ion implantation doping 离子注入掺杂
ion implanter 离子注入机
ion projection lithography(IPL) 离子投影机
ionization 离子化
ionized metal plasma PVD 离子化金属等离子PVD
IPA vapor dry 异丙醇气相干燥
isolation regions 隔离区
isotropic etch profile 各向同性刻蚀刨面
J
JEFT 结型场效应管
junction(pn) PN结
junction depth 结深
junction spiking 结尖刺
K
Kelvin 绝对温度
killer defect 致命缺陷
kinetically controlled reaction 功能控制效应
L
laminar air flow 层状空气流，层流式
lapping 抛光
latchup 闩锁效应
lateral diffusion 横向扩散
law of reflection 反射定律
LDD 轻掺杂漏
Leadframe 引线框架
leakage cuttent 漏电流
len 透镜
lens compaction 透镜收缩
light 光
light intensity 光强
light scattering 光散射
lightly doped drain(LDD) 轻掺杂漏
linear 线性
linear accelerator 线性加速器
linear stage 线宽阶段，线性区
linewidth 线宽
liquid 液体
lithography 光刻
loaded brush 沾污的毛刷
loaded effect 负载效应
loadlock 真空锁
local interconnect(LI) 局部互连
local planarization 局部平坦化
local oxidation of silicon(LOCOS) 硅局部氧化隔离法
logic 逻辑
lot 批
low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) 低压化学气相淀积
LSI 大规模集成电路
M
magnetic CZ（MCZ）磁性切克劳斯基晶体生长法
magnetically enhanced RIE(MERIE) 磁增强反应离子刻蚀
magnetron sputtering 磁控溅射
Magnification n. 扩大, 放大倍率
magnificent adj. 华丽的, 高尚的, 宏伟的
majority carrier 多子
make-up loop 补偿循环
mask 掩膜版 n. 面具, 掩饰, 石膏面像 vt. 戴面具, 掩饰, 使模糊 vi. 化装, 戴面具, 掩饰, 参加化装舞会
mask-programmable gate array 掩膜可编程门阵列
mass flow controller(MFC) 质量流量计
mass spectrometer 质谱仪
mass-transport limited reaction 质量传输限制效应
mathematical adj. 数学的, 精确的
mean free path(MFP) 平均自由程
medium vacuum 中真空
megasonic cleaning 超声清洗
melt 熔融
membrane contactor 薄膜接触器，隔膜接触器
membrane filter 薄膜过滤器，隔膜过滤器
merchant n. 商人, 批发商, 贸易商, 店主 adj. 商业的, 商人的
mercury arc lamp 汞灯
MESFET 用在砷化镓结型场效应晶体管中的金属栅
metal contact 金属接触孔
metal impurities 金属杂质
metal stack 复合金属，金属堆叠
metallization 金属化
metalorganic CVD 金属有机化学气相淀积
metrology 度量衡学
microchip 微芯片
microdefect 微缺陷
microlithography 微光刻
microloading 微负载，与刻蚀相关的深宽比
micron 微米
microprocessor n. [计]微处理器
microprocessor unit 微处理器
microroughness 微粗糙度
Miller indices 密勒指数
minienvironment 微环境
minimum geometry 最小尺寸
minority carrier 少子
mix and match 混合与匹配
mobile ionic contaminants(MIC)可动离子沾污
mobile oxide charge 可动氧化层电荷
module n. 模数, 模块, 登月舱, 指令舱
modify vt. 更改, 修改 v. 修改
molecular beam epitaxy (MBE) 分子束外延
molecular flow 分子流
monitor wafer(test wafer) 陪片，测试片，样片
monocrystal 单晶
monolithic device 单片器件
Moore's law 摩尔定律
MOS 金属氧化物半导体
MOSFET 金属氧化物半导体场效应管
motor curreant endpoint 电机电流终点检测（法）
MSI 中规模集成电路
Multiplier n. 增加者, 繁殖者, 乘数, 增效器, 乘法器
multichip module(MCM) 多芯片模式
multilenel metallization 多重金属化
Murphy's model 墨菲模型
N
nanometer(nm) 纳米
native oxide 自然氧化层
n-channel MOSFET n沟道MOSFET
negatine resist 负性光刻胶
negative n. 否定, 负数, 底片 adj. 否定的, 消极的, 负的, 阴性的 vt. 否定, 拒绝(接受)
negatine resist development 负性光刻胶显影
neutral beam trap 中性束陷阱
next-generation lithography 下一代光刻技术
nitric acid(HNO3) 硝酸
nitrogen(N2) 氮气
nitrogen trifluoride(NF3) 三氟化氮
nitrous oxide (N2O) 一氧化二氮、笑气
nMOS n沟道MOS场效应晶体管
noncritical layer 非关键层
nonvolatile memory 非挥发性存储器
normality 归一化
notch 定位槽
novolak 苯酚甲醛聚树脂材料
npn npn型（三极管）
n-type silicon n型硅
nuclear stopping 离子终止
nucleation 成核现象，晶核形成
nuclei coalescence 核合并
numerical aperture(NA) 数值孔径
n-well n阱
O
objective （显微镜的）物镜
off-axis illumination(OAI) 偏轴式曝光，离轴式曝光
ohmic contact 欧姆接触
op amp 运算放大器
optical interferometry endpoint 光学干涉法终点检测
optical lithography 光学光刻
optical microscope(light microscope) 光学显微镜
optical proximity correction(OPC) 光学临近修正
optical pyrometer 光学高温计
optics 光学
organic compound 有机化合物
out-diffusion 反扩散
outgassing 除气作用
overdrive 过压力
overetch step 过刻蚀
overflow rinser 溢流清洗
overlay accuracy 套准精度
overlay budget 套准偏差
overlay registration 套刻对准
oxidation 氧化
oxidation-induced stacking faults(OISF) 氧化诱生层积缺陷，氧化诱生堆垛层错
oxide 氧化物、氧化层、氧化膜
oxidezer 氧化剂
oxide-trapped charge 氧化层陷阱电荷
ozone(O3) 臭氧
P
package 封装管壳
pad conditioning 垫修整
pad oxide 垫氧化膜
paddle 悬臂 n. 短桨, 划桨, 明轮翼 vi. 划桨, 戏水, 涉水 vt. 用桨划, 搅, 拌
parabolic stage 抛物线阶段
parallel-plate(planar)reactor 平板反应
parallel testing 并行测试
parameter 参数
parametric test 参数测试
parasitic 寄生
parasitic capacitance 寄生电容
parasitic resistance 寄生电阻
parasitic transistor 寄生电阻器
partial pressure 分压
particle density 颗粒密度
particle per wafer per pass(PWP) 每步每片上的颗粒数
passivation 钝化
passivation layer 钝化层
passive components 无源元件
pattern sensitivity 图形灵敏性
patterned etching 图形刻蚀
pattern wafer 带图形硅片
patterning 图形转移，图形成型，刻印
pc board 印刷电路版
p-channel MOSFET p沟道MOSFET
PCM 工艺控制监测
PEB 曝光后烘焙
PECVD 等离子体增强化学气相淀积
PEL 允许曝露极限值
pellicle 贴膜
pentavalent 五价元素
perform vt. 履行, 执行, 表演, 演出 v. 完成任务
performing adj. 表演的, 履行的
perimete array 周边阵列式（封装）
pH scale pH值
phase-shift mask(PSM) 相移掩膜技术
phosphine(PH3) 磷化氢
phosphoric acid(H3PO4) 磷酸
phosphorus(P) 磷
phosphorus oxychloride(POCL3) 三氯氧磷
phosphosilicate glass(PSG) 磷硅玻璃
photoacid generator(PAG) 光酸产生剂
photoacoustics 光声的
photoactive compound(PAC) 感光化合物
photography n. 摄影, 摄影术 光刻
photolithography 光刻（技术）
photomask 光掩膜
photoresist 光刻胶
photoresist stripping 去胶、光刻胶去除
physical etch mechanism 物理刻蚀机理
physical vapor deposition(PVD) 物理气相淀积
pigtail 引出头
pin grid array(PGA) 针栅阵列式（封装）
pinhole 针孔
piranha 3号液
pitch 间距
planar 平面
planar capacitor 平面电容
planar process 平面工艺
planarization 平坦化
plasma 等离子体 n. [解]血浆, 乳浆,[物]等离子体,等离子区
plasma-based dry cleaning 等离子体干法清洗
plasma electron flood 等离子电子流
plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD
plasma etch 等离子体刻蚀
plasma-induced damage 等离子体诱导损伤
plasma potential distribution 等离子体势分布
plastic dual in-line package(DIP) 双列直插塑料封装
plastic leaded chip carrier(PLCC) 塑料电极芯片载体
plastic packaging 塑料封装
plug 塞，填充vt. 堵, 塞, 插上, 插栓 n 塞子, 插头, 插销
pMOS(p-channel) p沟道MOS
pn junction diode pn 结型二极管
pnp pnp 型三极管
point defect 点缺陷
Poisson's model 泊松模型
polarization 极化，偏振
polarized light 极化光，偏振光
polish 抛光
polish rate 抛光速率
polished wafer edge(edge grind) 倒角
polishing loop 磨抛循环
polishing pad 抛光(衬)垫
polycide 多晶硅化物
polycrystal 多晶
polymer n. 聚合体
polymer formation 聚合物方程式
polymerization 聚合作用
polysilicon 多晶硅
polysilicon gate 多晶硅栅
portion n. 一部分, 一分
positive lithography 正性光刻
positive resist 正性光刻胶
positive resist development 正性光刻胶显影
post-develop inspection 显影后检查
post-exposure bake(PEB) 曝光后烘焙
ppb 十亿分之几
ppm 百万分之几
ppt 万亿分之几
preamorphization 预非晶化
precursor 先驱物
predeposition 预淀积
premetal dielectric(PMD) 金属前介质
preston equation Preston方程
primary orientation flat 主定位边
print bias光刻涨缩量
printed circuit boade(PCB) 印刷电路板
probe 探针
probe card 探针卡
prober 探针台
process 工艺
process chamber 工艺腔，工艺反应室
process chemical 工艺化学
process control monitor(PCM) 工艺控制监测（图形）
process latitude 工艺水平，工艺能力
process recipe 工艺菜单
programmable array logic(PLA) 可编程阵列逻辑
programmable logic device 可编程逻辑器件
programmable read-only memory可编程只读存储器
projected range 投影射程
prompt n. 提示, 付款期限 vt. 提示, 鼓动, 促使, (给演员)提白 adj. 敏捷的, 迅速的, 即时的 adv. 准时地 n. DOS命令：改变DOS系统提示符的风格
proportion n. 比例, 均衡, 面积, 部分 vt. 使成比例, 使均衡, 分摊
proportional adj. 比例的, 成比例的, 相称的, 均衡的
proportional band 比例区, 比例带, 比例尺范围
proximity aligner 接近式光刻机
p-type silicon P型硅
puddle develop 搅拌式显影
pump speed 抽气速率
punchthrough 穿通
purge （冲气）清洗
purge cycle （冲气抽气）清洗循环
PVD 物理气相淀积
p-well P阱
pyrogenic steam 热流
pyrogen 热原（质）
pyrolytic热解
pyrophoric 自燃的
Q
quad flatpack(QFP) 方型管壳封装
quadrupole mass analyzer(QMA) 四极质量分析仪
quality measure 质量测量
quarz 石英
quarz tube 石英管
quarz wafer boat 石英舟
queue time 排队时间
R
radiation damage 辐射损伤
radical 激发
random access memory(RAM) 随机存储器
range 射程
rapid thremal anneal(RTA) 快速热退火
rapid thermal processor(RTP) 快速热处理
RCA clean RCA清洗
reaction rate limited 反应速率限制
reactive ion etch(RIE) 反应离子刻蚀
reactivity 反应性
reactor 反应室，反应腔
read-only memory(ROM) 只读存储器
recombination 复合
redistribution 再分布
reflection spectroscopy 反射光谱仪
reflective notching 反射开槽
reflow 回流
refraction 折射
refractory metal 难融金属
regeneration再生
regeneration套准精度
relative index of refraction,n
removal n. 移动, 免职, 切除
repeat n. 重复, 反复 vt. 重做, 复述, 向他人转述, 复制, 使再现 vi. 重复, 留有味道
representation n. 表示法, 表现, 陈述, 请求, 扮演, 画像, 继承, 代表
reset v. 重新安排
residual gas analyzer(RGA) 残余气体分析器
resist 光刻胶
resist development 光刻胶显影
resistance 电阻
resistivity 电阻率
resolution 分辨率
reticle 掩膜版
retrograde well 倒掺杂阱
reverse bias 反偏
reverse osmosis(RO) 反向渗透
RF 射频
RF sputtering 射频溅射
rinse v. 嗽口, (用清水)刷, 冲洗掉, 漂净 n. 清洗 嗽洗, 漂洗, 漂清, 冲洗
RO 反向渗透
Roots blower 罗茨（机械增压）泵
roughing pump 低真空泵，机械泵
RTA 快速热退火
RTP 快速热处理
S
satisfy vt. 满足, 使满意, 说服, 使相信 v. 满意, 确保
Scaling 按比例缩小
SCALPEL 具有角度限制分散投影电子束光刻
Scanner 扫描仪
scanning electron microscope(SEM) 扫描电子显微镜
scanning projection aligner 扫描投影光刻机
schottky diode 肖特基二极管
screen oxide layer 掩蔽氧化层
scribe line 划片道
scribe line monitor(SLM) 划片线监测
scumming 底膜
secondary electron 二次电子
secondary electron flood 二次电子流
secondary ion mass spectrometry(SIMS) 二次离子质谱（法）
seed’s model SEED模型
selective etching 选择性刻蚀
selective oxidation 选择性氧化
selectivity 选择性
semiconductor grade silicon 半导体极硅
semiconductor 半导体
sensitivity灵敏度
shallow trench isolation(STI)浅沟槽隔离
sheet resistance,RS 方块电阻
sheet resistivity,ρs方块电阻率
shot size 胶（点）尺寸
shrinking 缩小
SI units 公制
Sidewall spacer 侧墙
Silane(siH4) 硅烷
Silicide 硅化合物
silicon 硅
silicon dioxide(SIO2) 二氧化硅
silicon nitride(SI3N4) 氮化硅
silicon on sapphire 蓝宝石伤硅
silicon on insulator(SOI)绝缘体上硅
silicon tetrachloride(SIC4) 碳化硅
silicon tetrafluoride(SIF4)四氟化硅
silicon tetrachloride(SICL4)四氯化硅
single crystal silicon 单晶硅
silylation 硅烷化（作用）
SIMOX 由注入氧隔离，一种SOI材料
single crystal 单晶
slip滑移
slurry 磨料
SMIF 标准机械接口
Sodium hydroxide(NaOH)氢氧化钠
soft bake 前烘
solid 固体
solvent 溶剂
SOS 蓝宝石上硅
Source 源
source drain implants 源漏注入
spacer n. 取间隔的装置, 逆电流器
spatial coherence 空间相干
spatial signature analysis 空间信号分析
specialty gase 特种气体
species 种类
specific gravity 比重
specific heat 比热
speckle 斑点
spectroscipic ellipsometry 椭圆偏振仪
spin coating 光刻胶旋涂
spin dryer 旋转式甩干桶
spin-on-dielectric（SOD）旋转介质法
spin-on-glass（SOG）旋转玻璃法
spray cleaning 喷雾清洗
spray rinser 喷雾清洗槽
spreading resistance probe 扩散电阻探测
sputter n. 喷溅声, 劈啪声, 急语, 咕哝 vi. 唾沫飞溅, 发劈啪声, 急忙地讲 vt. 喷出, 飞溅出, 气急败坏地说
sputtering 溅射
sputter etch 溅射刻蚀
sputtered aluminum 溅射铝
sputtering yield 溅射产额
SSI 小规模集成电路
stacking fault 层积缺陷，堆垛层错
standard clean 1(SC-1) 1号清洗液
standard clean 2(SC-2) 2号清洗液
standard mechanical interface(SMIF) 机械标准接口
standing wave 驻波
static RAM 静态存储器
statistical process control（SPC）统计过程控制
step coverage 台阶覆盖
step height 台阶高度
step-and-repeat aligner 分步重复光刻机
step-and-scan system 步进扫描光刻机
stepper 步进光刻机
stepping motor driver 步进电机驱动器电路
stepper 步进光刻机
stoichiometry 化学计量（配比）
staggle 投射标准偏差
stress 应力
striation 条纹
strip vt. 剥, 剥去 n. 条, 带
stripping 去胶
structure 结构
subatmospheric CVD 亚大气压化学气相淀积
submicron 亚微米
sub-quarter micron 亚0.25微米
substrate 衬底
sublimation 升华
substitutional atom 替位原子
subtract v. (～ from)减去, 减
subwaverlength lithography 亚波长光刻
sulfur hexafluoride(SF6) 六氟化硫
sulfuric acid（H2SO4）硫酸
surface profiler 表面形貌
surface tension 表面张力
susceptor 基座
T
target chamber 靶室
target 靶
temperature ramp rate 温度斜率
temperature温度
TEOS 正硅酸乙脂
test algorithm 测试算法
test coverage 测试覆盖
test structure 测试结构
test vector 测试向量
thermal budget 热预算
thermal oxide 热氧化
thermocompression bonding 热压键合
thermocouple 热电偶
thermogravimetric analysis (TGA) 热重量分析
thermosonic bonding 热超声键合
thin film 薄膜
thin small outline package(TSOP) 薄小型封装
III-V compound 三/五族化合物
thorough adj. 十分的, 彻底的
Threshold 域值
threshold voitage 域值电压
threshold voltage adjustment implant 调栅注入，域值调整注入
throughput 产量
tilt [tilt] v. (使)倾斜, (使)翘起, 以言词或文字抨击
time of flight SIMS(TOF-SIMS) 飞行时间二次离子质谱
titanium silicide 钛硅化合物
TLV 极限域值
top surface imaging 上表面图形
topography 形貌
torr 托
toxic 有毒
track system(also track) 轨道系统
transient enhanced diffusion(TED) 瞬时增强扩散
transistor 晶体管
trench 槽
trench capacitor 槽电容
trichlorosilane(TCS or SiHCL3) 三氯氢硅
triode planar reactor 三真空管平面反应室
triple well 三阱
trivalent 三价
tungsten(W) 钨
tungsten stch back 钨反刻
tungsten hexafluoride(WF6) 六氟化钨
tungsten plug 钨塞，钨填充
turbomolecular pump(turbo pump) 涡轮分子泵
twin planes(twinning) 双平面
twin-well(twin-tub) 双阱
U
ULSI 甚大规模集成电路
ultralow penetration air(ULPA)超低穿透空气
ultrafiltration 超过滤
ultrafine particle 超细颗粒
ultrahigh purity 超高纯度
ultrahigh vacuum 超高真空
ultrashallow junction 超浅结
ultrashallow junction 超声键合（压焊）
ultraviolet 紫外线
undercut 钻蚀
uniformity 均匀性
unit cell 元包，晶胞
unpatterned etching(spripping) 无图形刻蚀（剥离）
unpatterned wafer 无图形硅片
unplug v. 拔去(塞子,插头等), 去掉...的障碍物
UV 紫外线
V
Vacancy 空位
vacuum 真空
vacuum wand 真空吸片棒，真空镊子
van der pauw method 范德堡法
vapor phase epotaxy(VPE) 气相外延
vapor pressure 气压
vapor prime 气相熏增粘剂，气相成底膜
vaporization 气化
variable n. [数]变数, 可变物, 变量 adj. 可变的, 不定的, 易变的, [数]变量的
variable angle spectriscipic ellipsometry(VASE) 可变角度椭偏仪
variation n. 变更, 变化, 变异, 变种, [音]变奏, 变调
various adj. 不同的, 各种各样的, 多方面的, 多样的
vertical furnace 立式炉
via 通孔
viscous flow 粘滞流
VLSI 超大规模集成电路
volatile memory 挥发性存储器
volatile 挥发
voltage regulator 温压器
W
wafer cassette 硅片架
wafer charging 硅片充电
wafer electrical test(WET) 硅片电学测试
wafer etch 硅片刻蚀
wafer flat or notch 硅片定位边或定位凹槽
wafer flatness 硅片平整度
wafer-level reliability(WLR) 硅片可靠性
wafer slicing 硅片划片
wafer sort yield 硅片分选成品率
wafer sort 硅片分选
wafer test 硅片测试
wafer tilt 硅片倾斜
wafer to wafer non-uniformity(WTWNU)片间不均匀性
wafer-level packaging 圆片级封装
wafer deionization 水去除离子
wavelength dispersive spectrometer(WDX) 波长弥散谱仪
well 阱
WET 硅片电学测试
wet cleaning station 湿法清洗台
wet etch 湿法刻蚀
wet oxidation 湿法氧化
wet sink 清洗槽
wirebonding 引线键合
wiring 连线
within-wafer nonuniformity(WIWNU) 片内不均匀性
X
X-ray X射线
X-ray fluorescence(XRF) X射线荧光性
X-ray lithography X射线光刻
X-ray photoelectron spectroscopy （XPS） X射线光电能谱仪
Y
Yield 成品率
Yield management system 成品率管理系统
Z
Zeta potential zeta电势
zone n. 地域, 地带, 地区, 环带, 圈 vt. 环绕, 使分成地带 vi. 分成区
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)
2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子
3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统
4. Acid：酸
5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）
6. Align mark(key)：对位标记
7. Alloy：合金
8. Aluminum：铝
9. Ammonia：氨水
10. Ammonium fluoride：NH4F
11. Ammonium hydroxide：NH4OH
12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）
13. Analog：模拟的
14. Angstrom：A（1E-10m）埃
15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）
16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）
17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）
18. Antimony(Sb)锑
19. Argon(Ar)氩
20. Arsenic(As)砷
21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷
22. Arsine(AsH3)
23. Asher：去胶机
24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）
25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）
26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）
27. Baseline：标准流程
28. Benchmark：基准
29. Bipolar：双极
30. Boat：扩散用（石英）舟
31. CD： （Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。
34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。
35. Chip：碎片或芯片。
36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。
37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
39. Compensation doping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。
40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。
41. Computer-aided design（CAD）：计算机辅助设计。
42. Conductivity type：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。
43. Contact：孔。在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。
44. Control chart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。
45. Correlation：相关性。
46. Cp：工艺能力，详见process capability。
47. Cpk：工艺能力指数，详见process capability index。
48. Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。
49. Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。
50. Defect density：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。
51. Depletion implant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。）
52. Depletion layer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。
53. Depletion width：耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度。
54. Deposition：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。
55. Depth of focus（DOF）：焦深。
56. design of experiments (DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。
57. develop：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）
58. developer：Ⅰ）显影设备； Ⅱ）显影液
59. diborane (B2H6)：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源
60. dichloromethane (CH2CL2)：二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。
61. dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。
62. die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。
63. dielectric：Ⅰ）介质，一种绝缘材料； Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。
64. diffused layer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。
65. disilane (Si2H6)：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。
66. drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
67. dry etch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。
68. effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。
69. EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。
70. epitaxial layer：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导 体材料，这一单晶半导体层即为外延层。
71. equipment downtime：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。
72. etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。
73. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。
74. fab：常指半导体生产的制造工厂。
75. feature size：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。
76. field-effect transistor（FET）：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。
77. film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。
78. flat：平边
79. flatband capacitanse：平带电容
80. flatband voltage：平带电压
81. flow coefficicent：流动系数
82. flow velocity：流速计
83. flow volume：流量计
84. flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数
85. forbidden energy gap：禁带
86. four-point probe：四点探针台
87. functional area：功能区
88. gate oxide：栅氧
89. glass transition temperature：玻璃态转换温度
90. gowning：净化服
91. gray area：灰区
92. grazing incidence interferometer：切线入射干涉仪
93. hard bake：后烘
94. heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法
95. high-current implanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产
96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒
97. host：主机
98. hot carriers：热载流子
99. hydrophilic：亲水性
100. hydrophobic：疏水性
101. impurity：杂质
102. inductive coupled plasma(ICP)：感应等离子体
103. inert gas：惰性气体
104. initial oxide：一氧
105. insulator：绝缘
106. isolated line：隔离线
107. implant : 注入
108. impurity n : 掺杂
109. junction : 结
110. junction spiking n :铝穿刺
111. kerf :划片槽
112. landing pad n :PAD
113. lithography n 制版
114. maintainability, equipment : 设备产能
115. maintenance n :保养
116. majority carrier n :多数载流子
117. masks, device series of n : 一成套光刻版
118. material n :原料
119. matrix n 1 :矩阵
120. mean n : 平均值
121. measured leak rate n :测得漏率
122. median n :中间值
123. memory n : 记忆体
124. metal n :金属
125. nanometer (nm) n ：纳米
126. nanosecond (ns) n ：纳秒
127. nitride etch n ：氮化物刻蚀
128. nitrogen (N2 ) n： 氮气，一种双原子气体
129. n-type adj ：n型
130. ohms per square n：欧姆每平方: 方块电阻
131. orientation n： 晶向，一组晶列所指的方向
132. overlap n ： 交迭区
133. oxidation n ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应
134. phosphorus (P) n ：磷 ，一种有毒的非金属元素
135. photomask n ：光刻版，用于光刻的版
136. photomask, negative n：反刻
137. images：去掉图形区域的版
138. photomask, positive n：正刻
139. pilot n ：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子
140. plasma n ：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体
141. plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n： 等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺
142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺
143. pn junction n：pn结
144. pocked bead n：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠
145. polarization n：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语
146. polycide n：多晶硅 /金属硅化物， 解决高阻的复合栅结构
147. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高浓度掺杂（>5E19）的硅，能导电。
148. polymorphism n：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象
149. prober n :探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。
150. process control n :过程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。
151. proximity X-ray n :近X射线：一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩 膜版，从而使对应的光刻胶暴光。
152. pure water n : 纯水。半导体生产中所用之水。
153. quantum device n :量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。
154. quartz carrier n :石英舟。
155. random access memory (RAM) n :随机存储器。
156. random logic device n :随机逻辑器件。
157. rapid thermal processing (RTP) n :快速热处理(RTP)。
158. reactive ion etch (RIE) n : 反应离子刻蚀(RIE)。
159. reactor n :反应腔。反应进行的密封隔离腔。
160. recipe n :菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。
161. resist n :光刻胶。
162. scanning electron microscope (SEM) n :电子显微镜(SEM)。
163. scheduled downtime n : (设备)预定停工时间。
164. Schottky barrier diodes n :肖特基二极管。
165. scribe line n :划片槽。
166. sacrificial etchback n :牺牲腐蚀。
167. semiconductor n :半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。
168. sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。
169. side load: 边缘载荷，被弯曲后产生的应力。
170. silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer:外延是蓝宝石衬底硅的原片
171. small scale integration(SSI):小规模综合，在单一模块上由2到10个图案的布局。
172. source code:原代码，机器代码编译者使用的，输入到程序设计语言里或编码器的代码。
173. spectral line: 光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。
174. spin webbing: 旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。
175. sputter etch: 溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除去薄膜。
176. stacking fault:堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的2次空间错误。
177. steam bath:蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。
178. step response time:瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚 到达特定地带的那个时刻之间的时间。
179. stepper: 步进光刻机（按BLOCK来曝光）
180. stress test: 应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。
181. surface profile:表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓（没有特指的情况下）。
182. symptom:征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。
183. tack weld:间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊（用于连接盖子）。
184. Taylor tray:泰勒盘，褐拈土组成的高膨胀物质。
185. temperature cycling:温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环。
186. testability:易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。
187. thermal deposition:热沉积，在超过950度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。
188. thin film:超薄薄膜，堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。
189. titanium(Ti): 钛。
190. toluene(C6H5CH3): 甲苯。有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。
191. 1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3): 有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。
192. tungsten(W): 钨。
193. tungsten hexafluoride(WF6): 氟化钨。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在CVD中WF6用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。
194. tinning: 金属性表面覆盖焊点的薄层。
195. total fixed charge density(Nth): 下列是硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定电荷密度(Nf)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获得电荷密度(Nit)。
196. watt(W): 瓦。能量单位。
197. wafer flat: 从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向，也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片。
198. wafer process chamber(WPC): 对晶片进行工艺的腔体。
199. well: 阱。
200. wet chemical etch: 湿法化学腐蚀。
201. trench: 深腐蚀区域，用于从另一区域隔离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电容器。
202. via: 通孔。使隔着电介质的上下两层金属实现电连接。
203. window: 在隔离晶片中，允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。
204. torr : 托。压力的单位。
205. vapor pressure: 当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物质和温度有关的函数。
206. vacuum: 真空。
207. transition metals: 过渡金属
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来源：芯片测试赵工
