具有可编程电磁屏蔽效能的形状记忆EVA/MXene/EVA复合膜

摘要:随着电子信息技术的迅猛发展,电磁污染已成为亟待解决的重要问题,对社会与健康构成威胁。静电纺丝技术因能制备柔性、轻质的电磁屏蔽复合膜而备受关注。然而,当前多数静电纺丝复合膜屏蔽效能单一,缺乏足够的适应性,限制了其在多样化场景中的应用潜力。形状记忆聚合物作为一种先

江南大学李文兵副研究员:具有可编程电磁屏蔽效能的形状记忆EVA/MXene/EVA复合膜

随着电子信息技术的迅猛发展,电磁污染已成为亟待解决的重要问题,对社会与健康构成威胁。静电纺丝技术因能制备柔性、轻质的电磁屏蔽复合膜而备受关注。然而,当前多数静电纺丝复合膜屏蔽效能单一,缺乏足够的适应性,限制了其在多样化场景中的应用潜力。形状记忆聚合物作为一种先进的智能材料,具备形状可逆转换的特性,将其引入电磁屏蔽领域,不仅可望实现屏蔽效能的智能化调控,还极具研究价值与前景。

近日,江南大学李文兵副研究员团队在期刊《Chemical Engineering Journal》上,发表了最新研究成果“Flexible and durable shape memory EVA/MXene/EVA fiber membrane for programmable EMI shielding”。研究者通过静电纺丝、真空过滤和热压工艺,制备出具有可编程电磁屏蔽效能的柔性poly(ethylene-co-vinyl acetate) (EVA)/MXene/EVA复合膜。即使MXene含量较低,复合膜在X波段的EMI SE仍达到了40.5 dB,且SSE/t高达6.23 × 103 dB cm2 g-1。

此外,复合膜表现出优异的形状记忆性能,形状固定率(Rf)为93.8%,形状回复率(Rr)为92.1%,在0-30%的拉伸应变下实现了14.1-40.5 dB的可编程屏蔽效能。复合膜还能作为电磁屏蔽开关,控制电磁波的接收与屏蔽。同时,复合膜展现出优异的疏水性能、高效的电热转换能力以及卓越的耐久性。重要的是,即使经过500次弯曲和折叠循环,以及长时间暴露于强酸和强碱环境中,其屏蔽效能几乎保持不变。本研究不仅为恶劣环境下多功能、智能电磁屏蔽复合材料的研发提供了新的思路,也进一步拓宽了形状记忆智能材料的应用领域。

图1:EVA/MXene/EVA复合膜的制备过程

首先,利用静电纺丝和紫外光固化技术制备高交联的EVA纤维膜;其次,通过真空过滤技术将MXene纳米片均匀沉积在EVA纤维膜表面,形成EVA/MXene复合膜;最后,采用热压技术在特定条件下制备出含不同MXene量的EVA/MXene/EVA复合膜,如图1所示。初始EVA纤维膜结构疏松,力学性能不佳,经过紫外光固化处理后,由于光引发剂和交联剂的作用,纤维膜变得结构紧密、力学性能优良且高度交联。MXene纳米片是通过原位HF刻蚀法制备得到的,并通过真空过滤技术与EVA纤维膜有效结合。三明治结构的设计确保了载荷的均匀分布和界面的强结合,从而显著提升了复合膜的整体性能。

图2:EVA/MXene/EVA复合膜的微观形貌

对比图2(a, a1)与(b, b1)可见,EVA纤维膜排列整齐,纤维直径均匀;而EVA/MXene/EVA复合膜中纤维出现弯曲,且纤维间接触更加紧密。此现象归因于热压过程中大分子链段的解缠、重新缠结及冷却结晶,形成更交联的网络。图2(c, c1)显示MXene纳米片在中间层连续均匀分布,构成致密的导电通路。图2(d)为复合膜的横截面,上下层为EVA纤维膜,中间层为连续堆叠的MXene纳米片。图2(e, f)表明Ti元素在中间层均匀分布,证实了“三明治结构”复合膜的成功制备。

如图3(b)所示,EVA/MXene/EVA-40复合膜的EMI SE为40.5 dB,随着MXene含量的增加,屏蔽效能增长缓慢,进一步计算每个样品的SSE/t。如图3(c)所示,研究发现,EVA/MXene/EVA-40复合膜的SSE/t最高,达到6.23 × 103-1,进一步用于后续实验。如图3(e)所示,复合膜的R系数显著高于A系数,表明大部分电磁波主要通过反射机制被耗散。如图3(g)所示,复合膜的EMI屏蔽机制主要依赖于高导电MXene来衰减电磁波。MXene在复合膜中形成了连续的导电通路,这有助于电子的迁移,并产生欧姆损耗,从而衰减电磁波。同时,MXene的层状结构和表面丰富的官能团也起到了重要作用,它们能够促进电磁波的多次反射和吸收,进一步增强复合膜的EMI屏蔽性能。

图4:EVA/MXene/EVA-40复合膜的形状记忆性能和可编程屏蔽效能

如图4(a-c)所示,EVA/MXene/EVA-40复合膜具备形状记忆特性,能够根据不同的应变需求被赋予临时形状,进而实现屏蔽效能的可编程性,以满足多样化的应用场景需求。如图4(d)所示,在0-30%的应变区间内,其屏蔽效能随着应变的增加而逐渐降低:当应变处于0-25%时,屏蔽效能由40.5 dB下降至22.7 dB;而当应变进一步增加至25-30%时,屏蔽效能则急剧下降至14.1 dB。值得注意的是,当复合膜恢复至原始形状后,其屏蔽效能能够回升至39.6 dB,几乎达到初始值。如图4(g)所示,这一过程中,拉伸应变的增加会导致导电通路中出现临时的缺陷,而形状的恢复则促使这些缺陷部位重新连接,从而恢复为完整的导电路径。此设计不仅实现了对屏蔽效能的可逆控制,而且赋予了复合膜可编程性,使其能够作为电磁屏蔽的开关,具有潜在的实用价值。

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人物简介:

李文兵,江南大学纺织科学与工程学院副研究员,硕士生导师。入选江苏省“双创博士”人才计划,SAMPE北京分会第四届理事会理事,SAMPE中国大陆总会智能复合材料专业委员会委员,新加坡维泽专家库(VE)材料科学专家委员会委员。2019年毕业于哈尔滨工业大学航天学院,获工学博士学位,师从冷劲松院士。2017-2018年,在美国科罗拉多大学博尔德校区(University of Colorado at Boulder)做联合培养博士研究生,师从Yifu Ding教授。主要从事形状记忆功能高分子材料的设计、合成、改性及其在航空航天、生物医学以及纺织品等领域的应用研究。近年来,主持多项国家级、省部级和企业委托科技项目,包括国家国防科技工业局国防基础科研计划项目、江苏省“双创博士”资金资助项目、国家重点研发计划重点专项子课题等。以第一作者或唯一通讯作者在Small, Chemical Engineering Journal, Journal of Materials Chemistry A, ACS Applied Materials & Interfaces, Composites Part A: Applied Science and Manufacturing, European Polymer Journal, Acta Biomaterialia, Composites Communications, Composites Part B: Engineering,《中国科学:技术科学》等国际国内知名期刊上发表学术论文二十余篇,于2016年获得美国机械工程师协会(ASME)最佳论文奖,获多项中国发明专利。

来源:静静爱科学

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