摘要：种子轮融资由 imec.xpand 领投，并得到 Eurazeo、XAnge、Vector Gestion 和 imec 的支持，该公司由首席执行官 Sylvain Dubois（前谷歌员工）和首席技术官 Sebastien Couet（前 imec 员工）创
本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合
不只是imec，当下诸多研究机构纷纷表示，看好MRAM。
据悉，Vertical Compute 已筹集 2000 万欧元，用于将比利时 imec （比利时微电子研究中心）开发的 MRAM 内存计算芯片技术商业化。
该芯片预计将基于 imec 开发的自旋 MRAM 技术，该技术可将功耗降低 80%，并将 AI 大型语言模型的执行速度提高 100 倍。
种子轮融资由 imec.xpand 领投，并得到 Eurazeo、XAnge、Vector Gestion 和 imec 的支持，该公司由首席执行官 Sylvain Dubois（前谷歌员工）和首席技术官 Sebastien Couet（前 imec 员工）创立，他是自旋 MRAM 技术专家，并领导 imec MRAM 项目。
imec 展示了一款可扩展的自旋轨道转移磁性随机存取存储器 (SOT-MRAM) 非易失性存储器，该存储器基于主流的 300 毫米硅工艺制造，具有 2023 年公布的最佳性能。通过结合亚纳秒切换、几乎无限的耐久性和比 SRAM 更低的待机功耗，它可以取代 SRAM 作为 AI 应用中的最后一级缓存，用于内存计算。SOT-MRAM 位单元也可以做得比 SRAM 单元小得多，从而实现更高的位封装密度。
2023 年国际电子设备会议上展示的MRAM 设备的开关能量低于每位 100 飞焦耳，对于最后一级缓存应用而言，耐久性为>1015。
“内存技术在密度和性能扩展方面都面临限制，而处理器性能却在不断飙升。AI 工作负载的极端数据访问要求加剧了这一挑战，因此必须克服内存壁垒才能实现下一波 AI 创新。我们相信，垂直发展是实现 100 倍收益的途径，”Couet 说道。
Vertical Compute 总部位于比利时新鲁汶，主要研发办公室位于鲁汶以及法国的格勒诺布尔和尼斯。该公司正在招募工程师，以将基于小芯片的技术商业化。“我们希望招募来自全欧洲最优秀的人才，最终让欧洲在技术方面处于领先地位，”Dubois 说道。
“这轮种子投资凸显了对领导团队能力的信心以及这项改变游戏规则的技术的颠覆性潜力。我们非常高兴能与 Sylvain、Sebastien 及其团队合作，帮助他们实现雄心勃勃的目标”，imec.xpand 的 Tom Vanhoutte 表示。
不只是imec，当下诸多研究机构纷纷表示，看好MRAM。
日前，大阪大学研究人员在《先进科学》杂志上发表的一项研究 提出了一种用于 MRAM 设备、具有低能耗数据写入的新技术。与目前基于电流的方法相比，该技术可以实现基于电场的写入方案，能耗更低，有可能为传统 RAM 提供替代方案。
此外，台积电、英特尔、三星、格芯、联电等各大芯片厂商对于 MRAM 的布局，研发以及生产也在如火如荼地展开。
早在 2002 年，台积电就与中国台湾地区工研院签订了 MRAM 合作发展计划。2018 年，台积电进行了 eMRAM 芯片的风险生产，2019 年生产采用 22nm 制程的 eReRAM 芯片。
在 ISSCC 2020 上，台积电又发布了基于 ULL 22nm CMOS 工艺的 32Mb 嵌入式 STT-MRAM。该技术基于台积电的 22nm ULL（Ultra-Low-Leakage）CMOS 工艺，具有 10ns 的极高读取速度，读取功率为 0.8mA/MHz/bit。对于 32Mb 数据，它具有 100K 个循环的写入耐久性，对于 1Mb 数据，具有 1M 个循环的耐久性。它支持在 260°C 下进行 90s 的 IR回流焊，在 150°C 下 10 年的数据保存能力。它以 1T1R 架构实现单元面积仅为 0.046 平方微米，25°C 下的 32Mb 阵列的漏电流仅为 55mA。
2022 年 6 月，中国台湾工研院与台积电合作开发的低压电流 SOT-MRAM，具有高写入效率和低写入电压的特点，其 SOT-MRAM 实现了 0.4纳秒的写入速度和 7 万亿次读写的高耐久度，还可提供超过 10 年的数据存储寿命。
2024年，台积电携手工研院宣布成功研发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，标志着在下一代 MRAM 存储器技术领域的重大突破。这一创新产品不仅采用了先进的运算架构，而且其功耗仅为同类技术 STT-MRAM 的 1%。
三星自2019 年起，开始量产28nm 嵌入式MRAM，2002 年三星宣布开始 MRAM 的开发计划。2005 年三星又率先开始了 STT-MRAM 的研发，该技术后来被证明可以满足高性能计算领域对最后一级缓存的性能要求，被认为是突破利基市场的利器。在未来两三年内，将进入更大规模的量产。
不甘落后的SK海力士、英特尔、格芯也掌握了22nm 嵌入式MRAM 的量产工艺。MRAM正式进入10nm工艺制程之后，摩尔定律似乎就失效了，处理器性能翻一倍所需时间由原来的两年延至三年，半导体芯片产业发展遇到了技术瓶颈。而与此同时，以MRAM为代表的自旋芯片却在快速发展。
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来源：半导体产业纵横