摘要:ISSCC 官网现已公布 2025 IEEE ISSCC 国际固态电路会议的日程,该会议将于明年 2 月 16 日~20 日在美国加州旧金山举行。
IT之家 11 月 27 日消息,ISSCC 官网现已公布 2025 IEEE ISSCC 国际固态电路会议的日程,该会议将于明年 2 月 16 日~20 日在美国加州旧金山举行。
包括英特尔 CEO 帕特・基辛格、三星电子 DS 部存储器业务负责人李祯培在内的四位业内人士将在 17 日的全体会议上发表演讲。帕特・基辛格将介绍 AI 领域各层级的一系列技术,李祯培则将聚焦各类 AI 存储器及其发展。
在具体会议日程中,SRAM、非易失性存储与 DRAM 专题均在 2 月 19 日举行。
其中台积电将介绍存储密度达 38.1 Mb / mm2 的 2nm Nanosheet 制程 SRAM,英特尔也将展示采用 BSPDN 背面供电设计的 Intel 18A RibbonFET 工艺高密度 SRAM。
而在非易失性存储与 DRAM 领域,各主题内容如下:
三星电子将带来 28Gb / mm2 密度的 4XX 层堆叠 1Tb 容量 3D TLC NAND,该闪存采用晶圆键合技术,I/O 引脚速率达 5.6Gb/s(对应 5600MT/s),结合IT之家此前报道预计对应第 10 代 V-NAND。
铠侠-西部数据联盟将介绍 I/O 引脚速率 4.8Gb/s 的 1Tb 3D TLC NAND,该产品读取操作能效提升了 29%。
在 GDDR7 方面,三星电子将介绍 42.5Gbps 的 24Gb 产品,应对应今年 10 月宣布成功开发的型号。
三星电子还将展出第 5 代 10nm 级(1bnm、12nm 级)工艺的超高速 16Gb LPDDR5-Ultra-Pro DRAM,这一产品的 I/O 引脚速率达 12.7Gb/s,较已量产的 10.7Gb/s 进一步提升。
而 SK 海力士则将带来 75MB/s 编程吞吐量的 321 层(V9)2Tb QLC NAND,这一堆叠数量和单元结构的闪存此前已在今年 8 月的 FMS 2024 展会上亮相。
SK 海力士还将同铠侠一同介绍双方合作开发的新型 64Gb DDR4 STT-MRAM,该存储器件结合了交叉点存储和磁隧道节结构。
来源:IT之家一点号