湖北长江万润半导体申请优化的存储器量产RDT测试方法及存储介质专利,改善现有RDT测试问题

360影视 2025-01-22 15:12 2

摘要:国家知识产权局信息显示,湖北长江万润半导体技术有限公司申请一项名为“一种优化的存储器量产RDT测试方法及存储介质”的专利,公开号CN 119274639 A,申请日期为2024年11月。

金融界2025年1月22日消息,国家知识产权局信息显示,湖北长江万润半导体技术有限公司申请一项名为“一种优化的存储器量产RDT测试方法及存储介质”的专利,公开号CN 119274639 A,申请日期为2024年11月。

专利摘要显示,本发明公开了一种优化的存储器量产RDT测试方法及存储介质,其特征在于先执行RAM测试,之后再执行扫描Flash坏块操作。RAM测试包括基于RAM类型,对存储介质内部的数据拷贝和比对,以及存储介质之间的数据拷贝和对比。以改善现有RDT测试过程没有对存储器的RAM进行充分测试,而NAND Flash的坏块个数处于正常范围内的表面质量良好但实际RDT测试未完全检测问题。

天眼查资料显示,湖北长江万润半导体技术有限公司,成立于2022年,位于武汉市,是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本3500万人民币,实缴资本3500万人民币。通过天眼查大数据分析,湖北长江万润半导体技术有限公司参与招投标项目1次,知识产权方面有商标信息6条,专利信息25条,此外企业还拥有行政许可1个。

来源:金融界

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