拿什么造1000层的3D NAND？

摘要：今年8月份，Counterpoint Research 推出了由Lam Research赞助的白皮书“Scaling to 1,000-Layer 3D NAND in the AI Era”，发布了Lam Research最新的刻蚀技术Lam Cryo™ 3

引言

今年8月份，Counterpoint Research 推出了由Lam Research赞助的白皮书“Scaling to 1,000-Layer 3D NAND in the AI Era”，发布了Lam Research最新的刻蚀技术Lam Cryo™ 3.0 cryogenic。(点击阅读原文获取白皮书)

Sources: Lam Research, Counterpoint Research

白皮书的摘要中这样写道：

随着关键应用从移动端到云端的转变，3D NAND已经成为NAND闪存的主流架构。3D NAND市场仍然充满活力，因为供应商竞相增加更多的字线层（今年300层以上），到20年代末将增加至1000层以上。目标是以原始的3D NAND架构实现更密集，仍然具备完美的性能，能够更好地匹配人工智能时代，人类不断增长的计算和存储需求。

Sources: Lam Research

然而，所有供应商都希望通过在同一芯片中堆叠更多的层来增加3D NAND的密度，这使得他们在垂直、横向和逻辑上扩展架构方面面临重大挑战。这些只能通过先进的晶圆刻蚀技术和领先的设备制造商的技术来解决。这需要在蚀刻技术和系统方面进行创新，并结合新的化学物质。这些进展可以实现更深、更快的刻蚀，改善垂直缩放，最大限度地减少轮廓偏差，并提升密度的可重复性。