摘要：全球NAND闪存价格已连续四个月下跌，为应对这一不利局面，厂商开始减产以平衡供求，进而稳定价格。美光率先宣布将减产，随后三星也被曝出将调整其韩国本土的NAND产量以及中国西安工厂的开工率，韩国另一大存储芯片制造商SK海力士也计划削减产量。后续预计还会有其他大厂

全球NAND闪存价格已连续四个月下跌，为应对这一不利局面，厂商开始减产以平衡供求，进而稳定价格。美光率先宣布将减产，随后三星也被曝出将调整其韩国本土的NAND产量以及中国西安工厂的开工率，韩国另一大存储芯片制造商SK海力士也计划削减产量。后续预计还会有其他大厂跟进，消息人士透露铠侠预计也会减产。

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· 美国存储芯片大厂美光发布的最新财报显示，其2025财年第一季度（截至2024年11月）总营收87.1亿美元，同比上升84.3%，符合市场预期。但从细分业务来看，美光的DRAM和NAND业务在环比层面却有明显分化，其中DRAM业务环比增长20%，而NAND业务却下滑了5%，主要原因是受到了手机、汽车及工业等市场需求持续走低的影响。

预计2025财年第二季度NAND出货量仍将环比下降，并且影响下一季度业绩，美光高管确认在闪存市场需求放缓的背景下将其NAND晶圆启动率较此前水平下调10%并减慢制程节点转移。美光执行副总裁首席财务官Mark Murphy表示：“在NAND业务方面，我们正在采取迅速而果断的行动来降低资本支出并削减晶圆产量。”

· 三星决定在西安的NAND闪存工厂削减产量，平均月产量将从20万片晶圆降至17万片，减产幅度超过10%。这一举措被视为三星维护盈利能力和促进市场价格稳定的战略部署。与此同时，三星在韩国华城的12号和17号生产线也将进行产量调整，以进一步缩减整体产能规模。

回顾2023年初，三星在面对严峻市场环境时，已经采取过减产措施。西安第一工厂的12英寸晶圆月产量从2022年第四季度的12.5万块削减至次年第一季度的11万块，减幅约12%；西安第二工厂的产量也从每月14.5万块调整至13.5万块，减幅约7%。三星此次再次减产，展现了其在全球NAND闪存市场波动中的审慎态度和策略调整。

· SK海力士是全球第二大NAND闪存厂商，销售额仅次于三星，目前的NAND闪存产能为每月30万片晶圆，计划在今年上半年削减10%（30000片晶圆）的产量。

· 铠侠原定于2024年10月在东京证券交易所上市，但此次IPO再次被推迟。尽管该公司在过去两个季度开始盈利，但NAND市场仍然不稳定。由于担心库存上升，以及为应对生成性AI浪潮而于2025年大规模生产第八代NAND设备，铠侠计划在第四季度（市场需求的过渡期）减少产量，以避免产能过剩问题。

在此前的上升周期时，NAND厂商为了满足市场需求增长，不断扩大产能，但此次的上升周期过于短暂，导致产能过剩问题凸显。三星、SK海力士等主要厂商的部分NAND产能处于闲置或低利用率状态。

据TrendForce半导体研究中心（DRAMeXchange）发布的数据显示，通用NAND固定价格自2023年10月起连续五个月上涨后，在2024年3月增速减缓，维持平稳状态，而后从9月开始转为下跌趋势；2024年9月至11月，NAND价格环比分别下降11.44%、29.18%和29.8%，显示面向存储卡和USB设备的通用型NAND闪存（128Gb 16Gx8 MLC）的固定价格在去年8月时为4.9美元，但此后逐月下跌至2.08美元 —— 跌幅已经超过50%，是继2015年8月统计以来的最低价格。

NAND市场仍处于下行周期

2025年第一季度NAND市场将面临严峻挑战，供货商库存持续上升，订单需求下降，平均合约价预计环比将再下降10%-15%。获利能力进一步减弱，因此今年或许会有部分产品线从NAND转向DRAM，消费端NAND价格一直到2025年下半年才可能反弹回升。

NAND制造商面临的最紧迫问题是库存控制。由于该行业预期制造商将降价，库存成本上升可能会破坏定价策略并产生过剩供应压力。系统运营商和主要云服务商（CSP）预计价格会下降，导致对短期订单持谨慎态度，这可能会形成恶性循环，这对NAND制造商来说是不利的。

面对NAND市场持续走低的态势，不仅美光，三星、SK海力士、铠侠等头部厂商也都采取了减产措施，以阻止NAND价格的下跌趋势，NAND市场的“寒冬”仍在无限期拉长。但如果这些减产措施激发整个行业采取类似行动，NAND价格可能会回升。此前实施的减产措施，带动了整个供应链主动下单、价格上涨，使得上游企业认为限制产能可以平衡市场供需，从而鼓励下游客户提前备货。

中国台湾工商时报在报道指出，目前全球主要内存制造商的库存周转期已恢复到10-12周的正常范围。业界预计，如果削减产能无法增加出货量，可能会实施更严厉的措施来减少整体供应量。

企业大规模减产其实难度很大：一方面，生产线的关停与重启并非易事，涉及到高昂的成本、复杂的设备维护以及技术人员的调配。一旦减产过度，后续若市场回暖，产能恢复的时间差可能导致错失商机；另一方面，减产决策的协同性较差，各厂商出于自身利益考量，难以达成完全一致的减产步调，有可能导致市场上的供应波动频繁，价格体系混乱。

根据报道称，三星正在考虑将其P4 NAND生产线的一部分产能转换为DRAM。三星设备解决方案（DS）副总裁KimJae-joon表示，公司正下调通用DRAM与NAND存储产品的产量，以符合逐渐下滑的市场需求；SK海力士也有消息称，可能将清州M14、M15X和M16工厂的部分NAND产能转用于生产HBM；铠侠方面消息显示，由于担心未来库存上升，选择减少第四季度NAND产量，但同时为应对生成性AI浪潮需求，铠侠将于2025年大规模生产第八代NAND设备，并准备投产最先进存储产品。

PC、移动及消费产业出货量维持低迷，相比之下，随着人工智能（AI）相关半导体对高带宽存储（HBM）需求的推动，面向AI数据中心的企业级固态硬盘价格相对稳定。这在一定程度上能够缓解今年第一季度市场所面临的供应过剩压力，AI驱动的大容量SSD需求成为了市场复苏的关键。目前，NAND闪存市场的竞争正在慢慢升温，加紧提升NAND产品的性能和容量。

NAND闪存市场新竞争

其实，自NAND闪存进入3D时代以来，芯片层数一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的焦点，堆栈层数越来越高。今年以来，随着存储原厂NAND制程相继迭代，200层以上NAND的供应增加，高密度NAND在市场应用中逐步取得进展：

· 三星236层V8 TLC NAND产能放量增长，同时290层V9 TLC/QLC NAND开始量产；

· SK海力士扩大238层NAND在企业级SSD的应用，并推出321层NAND Flash；

· 铠侠及西部数据推动218层BiSC8 NAND加速在OEM厂商的导入，采用BiSC8和CMOS键合技术生产的2Tb QLC NAND已开始送样；

· 美光量产276层G9 TLC NAND，并已在面向客户端OEM的SSD中采用。

三星宣布其半导体研究所成功完成突破性的400层NAND技术开发，且于11月将这项技术转移到平泽P1厂的量产线上，预计将于明年下半年开始量产。另外，三星计划采用新型键合技术，在不同的晶圆上分别创建单元和外围设备，然后进行键合；这种方法将实现具有大存储容量和出色散热性能的“超高”NAND堆栈，非常适合用于AI数据中心的超高容量SSD。这款芯片被称为「Bonding Vertical NAND Flash，简称BV NAND」，其单位面积的位密度将提高1.6倍，三星的目标是到2030年开发超过1000层的NAND芯片。

需要注意的是，1000层NAND可没有那么好做。从理论上讲，堆叠1000层以上的NAND是可行的，但需要解决堆栈过程中的沉积和蚀刻问题。具体来看，在2D NAND的发展进程中，光刻技术是推动其发展的关键工艺，3D NAND则完全不同，存储单元以垂直堆叠的方式实现容量的增长。

除此之外，3D NAND工艺流程中最困难的部分当属高纵深比要求的蚀刻工艺。在3D NAND结构中，必须通过蚀刻工艺从器件的顶层到底层蚀刻出微小的圆形孔道，将存储单元能够垂直联通起来。这也意味着倘若未来堆叠的层数超过1000层，芯片厂商或将需要面临越来越复杂、昂贵的工艺。存储产业需要找到新的解决方法不断满足人们日益增长的存储需求，当然，这也可能是一种全新的存储介质，各大原厂同样深知这一点，目前也在积极投入研发当中，例如：FeRAM、MRAM、PCM、RRAM等。然而，哪种器件能够突出重围，成为下一代非易失性存储器件，还需时间给出答案。

随着AI时代的到来和对存储需求的不断增长，SSD在数据传输速度、耐用性和存储容量方面都面临着巨大的挑战。然而，QLC SSD以其高存储密度和优化服务器空间的能力，以及降低能耗和总体拥有成本的优势，有望在市场中占据一席之地。行业专家预测，随着视频和图像数据量的持续增长，TLC/QLC SSD将成为AI推理应用的主要选择。

市场研究公司Omdia最新报告显示，今年QLC NAND的市场规模预计将比去年增长85%，其在整个NAND闪存市场的份额将从去年的12.9%增长到今年的20.7%，增长近8个百分点。到2027年，QLC NAND将占整个NAND市场的46.4%，在短短三年内份额有望增长超过一倍，接近目前以51%的份额占据市场主导地位的TLC产品。

QLC技术允许每个单元存储4个比特（bit），而TLC为3个比特，MLC和SLC分别为2个和1个比特。这意味着与其他NAND类型相比，QLC NAND可大幅提高存储容量。因此，QLC NAND的特性非常符合大型科技公司的需求，与传统机械硬盘（HDD）相比，QLC NAND有着读取速度更快、单位面积存储密度更高以及功耗更低的优势。尽管长期以来QLC NAND有着寿命较短、写入速度较慢的劣势，但数据中心逐渐转向读取密集型工作负载之后，这些缺点已被抵消。

NAND制造商也在迅速应对QLC NAND需求的激增。业界乐观地认为，“NAND的春天”可能会比预期来得更猛烈。与去年基于人工智能需求的HBM增长一样，NAND市场也可能经历类似的长期市场形态。

目前，SSD、HDD之间的价格差距也在迅速缩小，单位容量价格差距从2015年的20倍减少至当前的约10倍。业界预计，SK海力士旗下的NAND子公司Solidigm预计将大大受益，截至2023年年底，Solidigm总产量的60%是QLC NAND，虽然美光的市场份额达40.1%，高于Solidigm的21.1%，但美光的产品主要集中在消费领域。用于AI服务器的高附加值QLC NAND供应很可能由Solidigm和三星主导，三星计划在今年下半年量产第九代280层QLC NAND，而SK海力士通过Solidigm推出了容量达60TB的QLC固态硬盘产品，并在2025年准备300TB产品，以最大程度满足AI导向的需求。

NAND技术的发展进度并没有减缓，各大厂商投入大量资金进行研发和设备升级，以提高存储密度、性能和降低成本。然而，市场低迷使得产品价格下降，厂商的利润空间受到压缩，进一步加大了成本压力，再加上NAND市场竞争激烈，三星、铠侠、西部数据等厂商为了争夺市场份额，纷纷采取降价等策略，导致产品价格下降，市场整体利润水平降低。就目前的种种迹象来看，NAND存储芯片市场并未真正“复苏”，行业仍然需要大量时间“去库存”，而迎来真正复苏或许还需要更多的时间。

来源：新浪科技