SK海力士在NAND闪存领域获得技术优势,与三星在存储器市场的差距正迅速缩小

摘要:凭借适用于人工智能(AI)应用的高附加值存储器销售额大幅增长,过去几个月里SK海力士有着非常亮眼的业绩表现,这主要来自于HBM和eSSD产品。SK海力士在HBM细分市场的优势自然不必多说,几乎垄断着英伟达的HBM3和HBM3E的供应。由于SK海力士的子公司So

凭借适用于人工智能(AI)应用的高附加值存储器销售额大幅增长,过去几个月里SK海力士有着非常亮眼的业绩表现,这主要来自于HBM和eSSD产品。SK海力士在HBM细分市场的优势自然不必多说,几乎垄断着英伟达的HBM3和HBM3E的供应。由于SK海力士的子公司Solidigm可以提供性价比更高的QLC eSSD,带动了NAND闪存业务的增长。

据Business Korea报道,当三星还努力地在HBM领域追上SK海力士时,后者开始在NAND闪存技术上发力,前一段时间宣布量产全球最高的321层1Tb TLC 4D NAND闪存,并计划于2025年上半年开始供应,双方正悄悄拉起新一轮市场争夺战。很长时间里,三星是存储器市场的排名第一的厂商,无论DRAM还是NAND闪存,产能和技术上都保持着领先,而SK海力士是相对规模较小的厂商。不过随着新款NAND闪存的到来,SK海力士在NAND闪存领域开始获得技术优势,这是一个重要的里程碑。

按照SK海力士的说法,相比上一代238层NAND闪存,321层1Tb TLC 4D NAND闪存的数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%,并且数据读取能效也提高10%以上。三星今年也带来了最新的第9代V-NAND闪存技术,不过单元堆叠层数大概在290层,低于SK海力士。

尽管现阶段三星仍然在销售上占据了更大的市场份额,但是基于HBM和eSSD产品的强劲表现,差距在迅速缩小。其实除了HBM外,SK海力士的DDR5在过去两年里的表现也是可圈可点,倘若三星在DRAM和NAND闪存市场都被SK海力士赶上,那将是沉重的打击。

来源:超能网

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