摘要：国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“金属间介质层结构及其制备方法”的专利，公开号CN 119361570 A，申请日期为2023年9月。

金融界2025年1月28日消息，国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“金属间介质层结构及其制备方法”的专利，公开号CN 119361570 A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种金属间介质层结构及其制备方法，金属间介质层结构由第一富硅氧化物层、氟硅玻璃层、第二富硅氧化物层和非掺杂硅玻璃层共同组成。一方面，第一富硅氧化物层用于阻挡所述氟硅玻璃层的氟元素朝第一金属层扩散，第二富硅氧化物层用于阻挡所述氟硅玻璃层的氟元素朝第二金属层扩散，从而可以有效减少后段工艺氟硅玻璃层扩散到金属层和器件介质层的发生几率，可以有效避免金属孔洞的产生以及介质层的脱落缺陷；另一方面，由于氟扩散阻挡能力的增强，本发明可以在氟硅玻璃层掺入更多的氟元素，进而更有效地降低氟硅玻璃层的介电K值，进而降低器件整体的寄生电容，降低器件的传播延时。

天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目165次，知识产权方面有商标信息15条，专利信息508条，此外企业还拥有行政许可55个。

来源：金融界