长江存储申请三维存储器器件及其制造方法专利,提供特定器件和方法

360影视 2025-01-29 13:22 2

摘要:国家知识产权局信息显示,长江存储科技有限责任公司申请一项名为“三维存储器器件及其制造方法”的专利,公开号CN 119364768 A,申请日期为2020年7月。

金融界2025年1月29日消息,国家知识产权局信息显示,长江存储科技有限责任公司申请一项名为“三维存储器器件及其制造方法”的专利,公开号CN 119364768 A,申请日期为2020年7月。

专利摘要显示,提供了三维(3D)NAND存储器器件和方法。在一个方面中,3D NAND存储器器件包括衬底、层堆叠体、存储器单元、半导体层、接触结构和栅线缝隙结构。衬底包括掺杂区。层堆叠体形成在衬底之上。存储器单元穿过层堆叠体形成在衬底之上。半导体层形成在掺杂区和延伸穿过层堆叠体的沟道层的侧面部分上。接触结构电接触掺杂区。在栅线缝隙结构中填充电介质材料。在栅线缝隙结构中通过电介质材料形成气隙。

天眼查资料显示,长江存储科技有限责任公司,成立于2016年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6471073.69万人民币,实缴资本6471073.69万人民币。通过天眼查大数据分析,长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目1391次,知识产权方面有商标信息947条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可1003个。

来源:金融界

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