首次！发表Nature顶刊后，成电学者再发子刊！事关“新型半导体”，取得重要进展

摘要：近日，电子科技大学基础与前沿研究院刘奥教授和物理学院朱慧慧教授在新型半导体薄膜电子器件研究方向取得重要进展。相关研究成果以“Fabrication of high-performance tin halide perovskite thin-film tran

近日，电子科技大学基础与前沿研究院刘奥教授和物理学院朱慧慧教授在新型半导体薄膜电子器件研究方向取得重要进展。相关研究成果以“Fabrication of high-performance tin halide perovskite thin-film transistors via chemical solution-based composition engineering”为题发表于方法学顶级期刊Nature Protocols上，这也是成电首次在该期刊发表论文。

锡基钙钛矿材料凭借其低空穴有效质量和高迁移率，在高性能P沟道薄膜晶体管领域展现出巨大的应用潜力。针对锡基钙钛矿材料制备与应用中的关键挑战，朱慧慧等研究人员结合多年来在该领域的深入研究与工艺开发经验，提出了一种基于组分调控的化学溶液法，用于制备高性能锡基钙钛矿薄膜，并成功构建了高性能P沟道薄膜晶体管及CMOS器件。本文详细阐述了该方法用于合成高质量锡基钙钛矿薄膜的实验流程，同时对薄膜器件结构优化及性能提升的关键步骤进行了全面解析。

通过该方法，可精准调控薄膜的组分、提升结晶质量、有效降低缺陷密度，并实现对薄膜晶体管关键参数（如迁移率、开关比及稳定性）的精确控制。实验进一步验证了制备的薄膜晶体管器件在多种环境条件下的高稳定性与耐用性，为锡基钙钛矿在薄膜电子器件中的实际应用提供了可靠路径，同时为下一代CMOS技术的开发奠定了重要基础。

用于制备钙钛矿薄膜晶体管的常用技术路线

制备的高性能FACsSnI3薄膜晶体管器件转移、输出特性及关键参数提取

一直以来，电子科技大学大力实施服务国家重大需求战略，以“顶天、立地、树人”为科研工作定位，坚持“开放、聚焦、融合、奋斗”的发展理念，面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康，努力推进基础研究与应用研究并重的科技创新格局，不断提升集成攻关和原始创新能力。

在电子科技大学的校园里，大批成电人秉持着“求实求真、大气大为”的校训，潜心科研，勇攀高峰，在奋进中开拓创新，在探索中砥砺前行。2024年，成电研究成果在Science、Nature等国际顶级期刊上频频亮相，一篇篇高水平学术论文展示着最新的研究成果——

6月7日，光电科学与工程学院刘富才教授团队在全球顶级学术期刊Science上以First Release形式在线发表了题为“Developing fatigue-resistant ferroelectrics using interlayer sliding switching”最新研究成果；

4月10日，基础与前沿研究院刘奥教授和物理学院朱慧慧研究员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破，最新研究成果以“Selenium alloyed telluriumoxide for amorphous p-channel transistors”为题上线Nature“加速预览”（Accelerated Article Preview，AAP）。