摘要：换句话说，这颗芯片的位元密度达到了19.8Gb/mm²，基本上和SK海力士的同类产品处于同一水平，同时也逐步接近铠侠和西部数据的最新产品。

TechInsights的分析报告显示，国内存储厂商已经开始量产并出货其第五代3D NAND存储芯片。

这款芯片的总层数达到了294层，其中232层为有效存储层。

换句话说，这颗芯片的位元密度达到了19.8Gb/mm²，基本上和SK海力士的同类产品处于同一水平，同时也逐步接近铠侠和西部数据的最新产品。

在全球半导体市场里，存储芯片的需求量仅次于处理器芯片，一直是兵家必争之地。

长期以来，这个市场几乎被三星、SK 海力士、美光以及西部数据等国际巨头牢牢掌控着，而中国市场同样难逃这个格局。

但情况正在悄然变化，随着国产存储芯片技术的不断进步，以及国内存储厂商的崛起，中国存储产业正在逐步缩小与国际巨头的差距，并开始在某些领域发起反攻。

中国市场对存储芯片的需求一直非常庞大，从2024年的海关数据就能看出端倪。

2024 年，中国集成电路的进口金额高达27499亿元，比去年增长了11.8%。

其中，“处理器及控制器”类芯片的进口金额达到13719亿元，而“存储器”类芯片的进口金额也接近 7000 亿元，占比约四分之一。

这不仅说明了国内市场对存储芯片的强烈需求，同时也凸显了本土供应链的战略价值。

国内存储厂商的最新3D NAND芯片采用了Xtacking 4.0架构，同时使用了三级单元（TLC）设计。

这次的升级亮点之一是它采用了混合键合技术，把存储单元和逻辑控制部分精准连接起来。

尽管目前还没有具体的读写速度等性能指标，但从架构上来看，它已经达到了国际主流厂商的技术标准。

当然，目前NAND领域依然是三星和SK海力士在领跑，尤其是SK海力士已经量产了321层的NAND闪存，而三星也成功研发出了400层堆叠的NAND技术。

从层数来看，国内存储厂商的294层与它们相比仍有差距，但技术追赶的速度很快。

据业内消息称，国内存储厂商的Xtacking 5.0架构已经基本完成开发，未来很可能会直接冲击SK海力士的321层产品，甚至可能在某些方面实现超越。

除了NAND领域，在DRAM赛道上，中国厂商同样不甘落后。

另一家国产存储芯片龙头企业也已经推出了DDR5第七代产品，打破了三星、SK 海力士和美光在DDR5领域的垄断。

虽然目前这家公司的DDR5工艺大约在17.5nm左右，相比三星等国际大厂仍有一定差距，但已经逐步逼近，称得上是后来居上。

从拆解数据来看，国产DDR5芯片的尺寸比三星最新的DDR5产品大约40%，但与三星第一代DDR5以及美光、SK海力士的第一代DDR5相当。

这说明，国产DDR5的体积控制还需要进一步优化，但就性能和稳定性而言，已经达到了可商用级别，并逐步赢得市场认可。

整体来看，国产存储芯片的技术虽然还没有完全追上国际头部厂商，但差距已经比过去缩小了许多。

从NAND到DRAM，中国存储厂商的进步速度非常快，随着技术的持续突破，未来很有可能在全球市场上占据更多份额。

对于整个存储行业来说，这无疑是一个值得关注的变化，而对国内市场来说，这意味着供应链自主可控的程度将进一步提高，减少对海外芯片的依赖。

未来几年，中国存储芯片产业能否真正打破国际巨头的垄断，还需要看技术研发和量产能力的进一步提升。

但可以肯定的是，这场存储大战才刚刚开始，接下来的竞争会更加激烈，也会更加精彩。

来源：随性自由的溪流qJt