摘要：虽然在大批量的5G、数据通信、电信和共封装光学应用中，GaAs是一种没有InP成熟的材料系统，但Richard Hogg表示，GaAs的波长范围为红光、650 nm量子阱到近红外、1300 nm量子点，与InP（工作波长在1200 nm到1700 nm之间）相

首席技术官Richard Hogg表示，与InP相比，GaAs的波长范围有许多优势

英国公司III-V Epi的首席技术官Richard Hogg主张将GaAs外延再生长用于众多新兴半导体激光器应用。

虽然在大批量的5G、数据通信、电信和共封装光学应用中，GaAs是一种没有InP成熟的材料系统，但Richard Hogg表示，GaAs的波长范围为红光、650 nm量子阱到近红外、1300 nm量子点，与InP（工作波长在1200 nm到1700 nm之间）相比有许多优势。

所有的外延再生长都能改善散热、降低光损耗，并带来广泛的光子集成机会。然而，GaAs的制造灵活性和波长范围使其成为许多新型工业应用、生物医学应用、数据通信应用、传感应用、硅光子学应用、数据存储应用的理想选择。

Richard Hogg表示：“III-V Epi是利用MBE和MOCVD快速周转制造III-V外延结构的专业公司，在GaAs上有着丰富的能力和经验。MOCVD设备通常用于GaAs外延再生长，将半导体层沉积到晶圆的衬底表面和DFB激光器光栅上。包层和覆盖层‘夹住’有源区，以提供光学约束，确保光从激光器那一面发出。”

“III-V Epi开发了外延再生长工艺，使用GaAs实现这些步骤，并对温度、试剂和压力参数进行专业控制，以确保最佳的结晶质量和均匀性。III-V Epi还开发了‘标记’层，用于追踪新型PIC器件的再生长，以及晶圆刻蚀和掺杂，以提高导电能力、热提取能力和电流阻断能力。”

“进一步的外延再生长步骤可产生埋入式异质结构，以提高输出功率，或产生对称输出光束以降低光损耗，从而适用于广泛的新兴工业应用。”

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来源：CSC化合物半导体