摘要：MRAM技术在理论上具备超越DRAM的存取速度，接近SRAM的性能，并且在断电后能够保持数据不丢失。Everspin MRAM产品具有抗热消磁功能的eMRAM技术，该技术能够在150摄氏度的高温下保持数据长达数十年，并采用了22纳米制程技术。相较于现有的FLA

MRAM技术在理论上具备超越DRAM的存取速度，接近SRAM的性能，并且在断电后能够保持数据不丢失。Everspin MRAM产品具有抗热消磁功能的eMRAM技术，该技术能够在150摄氏度的高温下保持数据长达数十年，并采用了22纳米制程技术。

相较于现有的FLASH、静态SRAM、动态DRAM，MRAM展现了卓越的性能。在“非挥发性”特性上，目前仅有MRAM和FLASH具备此功能；而在“随机存取”特性上，FLASH不具备，仅MRAM、DRAM、SRAM具备。除此之外，MRAM还具备以下优势：

首先，在芯片面积方面，MRAM与FLASH同属于小尺寸芯片，占用空间最小；DRAM芯片面积属于中等尺寸，而SRAM芯片则属于大尺寸，占用空间最大。

其次，在写入次数方面，MRAM、DRAM以及SRAM均能实现约无限次的写入，而FLASH的写入次数大约为10^6次。

第三，在嵌入式设计规格方面，DRAM、SRAM、FLASH通常具有较低的良率，需要增加芯片面积以适应设计规格；而MRAM则具备高性能，无需增加芯片面积的特殊设计。

第四，在读取速度方面，MRAM和SRAM的读取速度最快，均为25～100纳秒，MRAM略快于SRAM；DRAM的读取速度为50～100纳秒，属于中等速度；相比之下，FLASH的读取速度最慢。

最后，在耗电量方面，MRAM和SRAM都具有低耗电的优势，FLASH的耗电量属于中等水平，而DRAM则具有较高的耗电量。英尚微代理供应Serial MRAM、Parallel MRAM、Quad Serial MRAM、xSPI STT-MRAM、DDR3/DDR4 ST-MRAM等各种系列和容量的MRAM存储芯片。

来源：我爱王蔷