摘要：三星已确认从V10（第10代）开始，将使用中国NAND制造商YMTC的专利技术，特别是在新的先进封装技术“混合键合”方面。

事件性驱动

韩媒报道，三星已确认从V10（第10代）开始，将使用中国NAND制造商YMTC的专利技术，特别是在新的先进封装技术“混合键合”方面。

长江存储（YMTC）是最早将混合键合应用于3D NAND的企业，因此在相关技术上拥有强大的专利积累，三星电子最近与长江存储签署了3D NAND混合键合专利的许可协议。

V10 NAND首次应用混合键合

V10是三星电子计划最早在今年下半年开始量产的下一代NAND。随着NAND技术的不断进步，存储单元会逐渐垂直堆叠，V10预计将达到420到430层。

V10 NAND将采用多项新技术，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合键合技术。

W2W混合键合是指将两个硅片直接结合的封装技术。这项技术省去了传统芯片连接中所需的“凸点”（Bump），使得电路路径变得更短，从而提高性能和散热特性。特别是将整个硅片直接结合的W2W技术，也有助于提高生产效率。

过去，三星电子通常在单个硅片上布置控制电路（Peripheral），然后在其上堆叠存储单元，这种方式被称为COP（Cell on Peripheral）。但当NAND堆叠超过400层时，底部的控制电路承受的压力增大，会影响NAND的可靠性。

因此，三星电子决定在V10 NAND中采用将存储单元和控制电路分别在不同硅片上制造，然后通过混合键合将它们合并的技术。

混合键合相关的技术专利，Xperi、YMTC和台积电TSMC三家公司几乎拥有了大部分专利。三星电子也判断，未来在V10、V11、V12等下一代NAND开发中，规避YMTC的专利几乎不可能，因此选择了签署许可协议。”

对于三星来说，这一技术突破解决了下一代NAND开发中的“核心难题”。韩媒认为，但三星或面临市场主导权丧失的风险，以及由于专利使用可能导致的技术依赖等忧虑。

为什么三星要向YMTC申请混合键合技术？

双层晶圆+混合键合技术已经成为了3D NAND的重要技术趋势，尤其是在300L以上，使用晶圆解耦技术可以显著缩短生产工艺、提高制造领率、降低技术成本，在400L以上高阶NAND，该工艺价值量更加凸显。长存从201X年在64L研发时候开始规模化使用双晶圆+混合键合技术，通过混合键合使用快速实现技术迭代和规模化量产，目前已经规模化量产232L，最高可量产294层，已经追平甚至超过海外原厂龙头的技术水平。预估在年内可以看到3XXL的量产。

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来源：全产业链研究