长江存储制造国产高性能闪存颗粒,多采用国产硅晶圆 少日本原料

摘要:长江存储制造国产高性能闪存颗粒,更多地采用国产硅晶圆,少用日本产品。据外电消息,长江存储在制造国产高性能闪存颗粒时,更多地采用了国产硅晶圆,减少了对日本产品的依赖.日本晶圆大厂SUMCO董事长兼首席执行官桥本真幸承认,其与长江存储之间的业务已大幅下降,长江存储

长江存储制造国产高性能闪存颗粒,更多地采用国产硅晶圆,少用日本产品。据外电消息,长江存储在制造国产高性能闪存颗粒时,更多地采用了国产硅晶圆,减少了对日本产品的依赖.日本晶圆大厂SUMCO董事长兼首席执行官桥本真幸承认,其与长江存储之间的业务已大幅下降,长江存储对国产晶圆的消耗量达到40万到50万片每年.

长江存储使用晶栈Xtacking技术制造3D NAND闪存,外围电路和存储阵列在单独的晶圆上完成制造,然后进行晶圆键合.该技术的应用,使得长江存储能够更好地利用国产硅晶圆来生产高性能的闪存颗粒.

长江存储采用国产硅晶圆具有重要意义。一方面,这有助于提高我国半导体产业的自给率,减少对国外产品的依赖,增强产业的安全性和稳定性;另一方面,也推动了国内硅晶圆产业的发展,促进了相关技术的进步和产业升级.

来源:虞山清风798一点号

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