摘要：2025年全球存储市场迎来结构性变革。一方面，Meta、微软等国际科技巨头和阿里巴巴等国内企业持续加大AI及云基础设施投入，推动存储需求攀升；另一方面，三星等存储原厂主动削减NAND产能，叠加DDR5/HBM技术迭代加速，市场供需关系持续改善。与此同时，华邦电

2025年全球存储市场迎来结构性变革。一方面，Meta、微软等国际科技巨头和阿里巴巴等国内企业持续加大AI及云基础设施投入，推动存储需求攀升；另一方面，三星等存储原厂主动削减NAND产能，叠加DDR5/HBM技术迭代加速，市场供需关系持续改善。与此同时，华邦电等厂商推出CUBE内存方案，为边缘AI设备提供更低成本的高性能替代选择，进一步拓宽技术应用边界。

全球资本开支激增驱动存储需求增长

国际科技企业资本支出规模创历史新高。根据Bloomberg数据，2025年Meta、谷歌、亚马逊和微软合计资本开支预计达2972亿美元，同比增长36.8%。微软在2024财年基础设施投资已超800亿美元，并明确未来三年保持同等投资强度，重点覆盖AI算力需求。国内方面，阿里巴巴宣布未来三年将投入3800亿元用于云和AI基础设施，其通义千问大模型衍生模型数量超9万个，成为全球最大开源社区之一；腾讯、百度等企业则加速推进DeepSeek大模型在政务、金融等行业的应用落地。

AI与云服务成为存储需求核心驱动力。随着AI训练和推理对算力需求的指数级增长，数据中心对高带宽存储（HBM）、大容量DDR5及企业级SSD的需求同步激增。华泰证券指出，字节、阿里等国内互联网企业2025年数据中心资本开支进一步扩大，企业级存储产品国产替代进程有望加速。TrendForce预测，2025年下半年NANDFlash价格将环比上涨10-15%，四季度涨幅或达8-13%。

国内厂商技术能力持续突破。华泰证券分析称，本土存储模组公司正从消费级向企业级/车规级产品拓展，并通过自主主控芯片及封测技术提升竞争力。2025年国内三大厂商（腾讯、百度、阿里巴巴）资本开支预计同比增长19.1%，达154.2亿美元，进一步强化技术布局与供应链自主可控能力。

存储市场供需调整与技术迭代并行

原厂减产策略加速供需再平衡。自2023年起，NANDFlash原厂已通过减产应对供给过剩。2025年初，三星将西安工厂NAND闪存产量削减超10%，同时调整华城12号、17号生产线产能。TrendForce指出，减产叠加智能手机库存去化、AI及DeepSeek需求增长，NANDFlash供需结构有望显著改善。美光、西部数据等厂商亦计划将NAND产量缩减15%，以稳定市场价格。

DDR5/HBM技术迭代挤压传统产品空间。三星、SK海力士和美光宣布2025年内逐步停产DDR3/DDR4，将资源聚焦于DDR5与HBM。澜起科技披露，其DDR5内存接口芯片出货量已超过DDR4，第三子代产品于2024年四季度规模出货，预计2025年DDR5渗透率将持续提升。DIGITIMES分析认为，HBM在AI服务器中的渗透率提升将推动相关存储产品价格维持高位。

CUBE方案开辟边缘AI新场景。华邦电推出的CUBE内存解决方案通过优化带宽与芯片尺寸，在边缘AI设备中实现成本优势。该技术等效于4-32个LP-DDR4x4266Mbpsx16IO带宽，可减少TSV面积损耗，拓宽DDR4在智能终端、工业物联网等场景的应用空间。中原证券指出，CUBE等技术突破将加速国产存储产业链在边缘计算领域的份额提升。

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