摘要：十铨科技2024年第三季营收达新台币62亿元（约1.91亿美元），环比衰退17%，较去年同期成长70%，毛利率达7.4%，环比及去年同期均下滑2.1%，税后净利达新台币1.4亿元，环比成长10%，较去年同期成长283%。

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

虽然低端市场在2025年第一季度可能仍将疲软，但预计第二季度将出现复苏。

内存模块制造商TeamGroup（十铨科技）预计2025年第一季度对高端内存产品的需求将会增加，而低端内存需求预计在第二季度也会随之增加。

尽管 2025 年上半年 PC 相关需求仍将保持低迷，但十铨科技预计下半年将出现复苏，这得益于对支持 AI 的终端市场设备的需求不断增长。

十铨科技2024年第三季营收达新台币62亿元（约1.91亿美元），环比衰退17%，较去年同期成长70%，毛利率达7.4%，环比及去年同期均下滑2.1%，税后净利达新台币1.4亿元，环比成长10%，较去年同期成长283%。

该公司2024年前三季度营收为新台币166.7亿元，较去年同期增长53%，税后净利润为新台币5.6亿元。

在十铨科技的四大主要品牌中，游戏内存贡献了最大的收入份额，而其他品牌则迎合工业内存等细分市场。

该公司目前维持3至4个月的DRAM库存水平，以及约2个月的NAND库存水平。包括 DDR5 和 HBM 在内的高端产品面临供应限制，导致价格稳步上涨。低端市场，尤其是 DDR4，价格波动很大，预计 2025 年第一季度需求仍将疲软。不过，TeamGroup 预测第二季度将出现复苏，随着 2025 年后期需求反弹，可能引发价格上涨。

NAND市场方面，只有服务器需求保持稳定，手机领域增长停滞，DDR6目前仅局限于GPU应用，需要几年时间才能普及。

展望未来，十铨科技预计全球高端内存需求将保持上升趋势。虽然低端市场在 2025 年第一季度可能仍将疲软，但预计第二季度将出现复苏。该公司预计，受人工智能相关 PC 和移动设备需求增长的推动，2025 年下半年业绩将更加强劲。

集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷也表示，2025年除了来自中国地区的新增产能外，其他主流DRAM供货商的新增产能有限，且高带宽存储器（HBM）的预留产能持续扩大，传统DRAM的总生产位元增长将有所收敛。若需求符合预期，预计先进制程产品如DDR5与LPDDR5x的价格走势将较为稳健，而DDR4与LPDDR4x则跌价压力相对较明显。明年度Mobile DRAM产出以LPDDR5(X)为主导，反映市场对高效能且省电的存储器解决方案需求迫切，除了智能手机外也将扩大渗透至PC与AI类别。

内存技术正在快速进步，以适应不断增长的AI和高性能计算需求。以下是2025年内存技术的主要发展趋势：

DRAM技术的发展：2025年，DRAM技术将重点关注支持AI和高性能计算的HBM、低功耗DDR5（LPDDR5）、图形处理DRAM（GDDR6）及低延迟DRAM（LLDRAM）。

高带宽内存处理技术（如三星的Aquabolt-XL）正引领市场，为AI应用提供更高效的数据处理能力。更先进的制造工艺也在推动DRAM技术的进步，比如三星和SK海力士正在采用EUV光刻技术，以提高DRAM的微型化程度和性能。

预计到2025年，EUV光刻技术和高介电常数金属栅极（HKMG）工艺的改进将成为DRAM技术的主要发展方向。

NAND技术的进步：NAND技术的发展重点在于提高存储密度和降低生产成本。由于QLC技术能够提供更高的存储密度，它正逐渐成为数据中心存储的首选方案。

随着AI需求的增长，供应商正加快研发1Tb以上高密度NAND芯片，以满足市场对高容量SSD的需求。CXL-PNM（Compute Express Link-Processing Near Memory）技术的出现为NAND和DRAM的集成应用提供了新机遇，增强了内存技术在AI和边缘计算领域的应用潜力。

内存市场需求的回暖，2025年的供应链将面临新的考验。特别是HBM的需求增加可能导致传统DRAM供应减少，制造商需增加产能投资以缓解供需不平衡的压力。

预计到2025年，内存产品的交付时间将会延长，尤其是在HBM和大容量SSD领域。供应链管理将成为确保市场稳定的重要环节，特别是在AI和边缘计算需求持续增长的情况下。制造商需与客户紧密协作，保证供应链的顺畅运行。

2025年，内存价格预计呈现上升趋势，尤其在高性能内存领域。随着AI和边缘计算需求的增加，HBM、DDR5和大容量SSD的价格将继续攀升。不过，由于成本效益较高，QLC NAND可能会成为企业和数据中心的首选，从而使NAND价格保持相对稳定。

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来源：半导体产业纵横一点号