摘要：全球学术界和工业界公认的集成电路设计领域最高级别的会议‌ISSCC即将于2月16日至2月20日在加利福尼亚州旧金山举行。三星已宣布将于2月19日在ISSCC期间举行的“非易失性存储器和 DRAM”专题活动上，展示其超快的GDDR7显存，该显存比旗舰级GDDR6

12月1日消息，全球学术界和工业界公认的集成电路设计领域最高级别的会议‌ISSCC即将于2月16日至2月20日在加利福尼亚州旧金山举行。三星已宣布将于2月19日在ISSCC期间举行的“非易失性存储器和 DRAM”专题活动上，展示其超快的GDDR7显存，该显存比旗舰级GDDR6显存快约 77%。

据介绍，三星旗舰级GDDR7 DRAM，可以以高达 42.5 Gbps 的速度运行。它将是一个 24 Gb 或 3 GB 模块，旨在实现最佳的 GDDR7 性能，并且也将比其前身更节能。GDDR7 DRAM 已经比 GDDR6 快得多，但目前，42.5Gbps速率还是太高了，现有的GPU可能还用不了。

尽管如此，它仍有可能进入未来的产品，例如英伟达的 RTX 60 系列卡。目前，英伟达将为其 Blackwell RTX 50 系列 GPU 配备高达 28 Gbps 的 GDDR7 模块。该速度已经比RTX 4090上的旗舰级24 Gbps GDDR6内存速度高出4 Gbps。然而，42.5 Gbps的内存速度比24 Gbps的GDDR6 DRAM高出约77%。

遗憾的是，我们在大多数 GPU 上都没有看到 24 Gbps 的 GDDR6 显存速度，包括 AMD 的旗舰 RX 7900 XTX 和 XT GPU，甚至是英伟达的旗舰 RTX 4090 GPU。这些显存模块分别以 20 Gbps 和 21 Gbps 的内存速度运行。因此，即使在未来的 GPU 上，42.5 Gbps 也不一定会出现。

目前，英伟达的旗舰产品 Blackwell GeForce RTX 5090 图形处理器将使用 28 Gbps 内存，未来几代可能会提高到 30 Gbps 以上，就像我们看到 GDDR6 模块的发展一样。

据报道，RTX 5090 将在 32 位内存总线上配备 7 GB 的 GDDR512 内存，从而产生 1.7-2.0 TB/s 的内存带宽。这已经比 RTX 4090 高出 1.7 到 2.0 倍，理论上，如果 RTX 5090 上的 VRAM 可以达到 42.5 Gbps，则内存带宽将接近 2.5 Gbps。

ISSCC 非易失性和 DRAM 活动上，SK 海力士将展示其最先进的 321 层 4D NAND，该产品最近进入量产状态。

编辑：芯智讯-林子

来源：芯智讯