摘要：国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“三维存储器元件的制造方法”的专利，公开号CN 119677110 A，申请日期为2023年9月。

金融界2025年3月27日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“三维存储器元件的制造方法”的专利，公开号CN 119677110 A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种三维存储器元件的制造方法，且特别是一种高容量、高性能的3D NAND闪存元件的制造方法。所述方法包括：交替堆叠牺牲层与绝缘层；形成穿过牺牲层与绝缘层的通道穿孔；形成衬覆通道穿孔的初始隔离层；且进行氧化处理以将初始隔离层氧化为隔离氧化层。氧化处理所使用的气体源包括反应气体与游离强化气体。反应气体包括氢气与氧气。游离强化气体包括第一类型游离强化气体、第二类型游离强化气体或其组合。第一类型游离强化气体包括氚、臭氧与水蒸汽所组成的群组中的至少一个，且第二类型游离强化气体包括至少一惰性气体。

来源：金融界