摘要：进入2025年，海外储能市场呈现发展新的技术发展趋势：通过采用核心功率器件SiC功率模块的新一代高效率高寿命储能变流器PCS在海外市场得到广泛认可并得到客户买单，比如德国SMA推出新一代采用SiC MOSFET功率模块的构网型储能变流器PCS，而采用IGBT模

进入2025年，海外储能市场呈现发展新的技术发展趋势：通过采用核心功率器件SiC功率模块的新一代高效率高寿命储能变流器PCS在海外市场得到广泛认可并得到客户买单，比如德国SMA推出新一代采用SiC MOSFET功率模块的构网型储能变流器PCS，而采用IGBT模块的储能变流器PCS逐渐成为技术平庸和落后的代名词。

国产储能变流器PCS企业把握海外市场这种变化趋势，特别是国产SiC功率模块企业如何协同助力国产储能变流器PCS厂商出海的具体机会与行动路径：可以从技术、成本、产业链协同、市场布局等多个维度展开。

一、技术优势与产品迭代：采用碳化硅SiC功率模块的储能变流器PCS以高效率高寿命抢占市场

高频性能与系统优化
SiC模块的高开关频率（可达40kHz以上）显著降低开关损耗（较IGBT减少70%-80%），并减少电感、电容等无源器件的体积，提升功率密度。例如，采用SiC模块的储能变流器可将电感体积缩小至传统方案的1/3，系统效率提升1%-3%，适配高频化、高功率密度的市场需求。

案例：BMF240R12E2G3模块，其导通电阻仅5.5mΩ，支持高频运行，已应用广泛应用于工商业储能变流器PCS。

高温稳定性与可靠性
SiC材料耐高温（结温达175℃以上），且高温下导通电阻的负温度特性（损耗随温度升高而下降），显著优于IGBT的高温劣化问题。这一特性可简化散热设计，降低系统成本30%。

构网型储能PCS的技术适配
国产企业通过四桥臂拓扑技术和SiC模块的集成，开发出支持宽频自稳控制、多场站级同步运行的构网型变流器，满足弱电网区域的新能源离并网需求，提升电网主动支撑能力。

二、成本优势与规模化效应：国产SiC模块打破海外厂商IGBT模块定价权

国产供应链成本下探
中国6英寸SiC衬底产能增至2024年的超500万片/年，占据全球70%以上产能，单片价格从700美元降至300美元以下，降幅超50%。

全生命周期经济性
SiC方案在光伏和储能系统中效率提升3%-5%，全生命周期电费节省显著提升投资收益。以1500V光伏系统为例，采用SiC后效率突破99%，光储市场SiC规模在2024年同比增长150%。

三、国产SiC模块产业链协同与国产替代进口IGBT模块加速

垂直整合与生态合作
储能变流器PCS系统厂商直接参股SiC供应链，推动定制化器件开发，压缩成本并提升技术适配性。国产SiC模块厂商从芯片到驱动方案的全套SiC解决方案，替代英飞凌、三菱富士等IGBT模块。

封装与驱动技术突破
国产模块采用氮化硅AMB陶瓷基板（导热率90W/mK）、Press-Fit压接技术等先进封装，降低热阻并提升可靠性。同时，配套驱动芯片（如BTD25350系列）集成米勒钳位功能，抑制SiC MOSFET误开通，确保开关安全。

四、国产储能变流器PCS海外市场拓展策略

认证与渠道布局
国内PCS企业已通过北美、欧盟认证，并进入美国市场。

国产SiC模块性价比与差异化竞争
国产SiC模块较海外同类产品价格低20%-30%，国产PCS通过国产SiC模块打造的高效率高寿命系统优势，吸引海外集成商采购。

国产SiC模块聚焦细分场景
针对工商业储能、光储微网等场景推出标准化模块，满足海外客户对灵活配置和高性价比的需求。

五、国产SiC模块未来挑战与应对

技术瓶颈：国产SiC模块需持续优化芯片设计（如第三代SiC MOSFET的钝化层可靠性提升）和驱动方案，以匹配高频应用需求。

国产SiC模块国际竞争：应对英飞凌等传统巨头转向SiC扩产的竞争，需加速8英寸晶圆量产（预计2025年实现），进一步降低单价至硅基IGBT水平。

国产SiC模块市场需求波动：通过绑定头部集成商和参与国际标准制定，降低终端需求不确定性风险。

总结

国产SiC模块企业需以高频高效、成本优势和技术迭代为核心，通过垂直整合供应链、加速海外认证、聚焦细分市场，全面替代现有老旧IGBT方案。未来随着8英寸晶圆量产和构网型技术的成熟，国产SiC功率模块随着国产储能变流器PCS出海进一步扩大全球市场份额，推动国产储能变流器PCS自主可控的产业升级，提升国产储能变流器PCS海外市场竞争力。

来源：杨茜碳化硅半导体