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中国科学家首次捕获原子级传热现象，为芯片散热难题寻解

在电子设备飞速发展的今天，芯片性能不断提升的同时，散热问题却如影随形，成为制约其进一步突破的关键瓶颈。手机通话稍久便烫手、电脑运行大型软件后风扇狂转，这些生活中常见的现象背后，是芯片内部热量堆积的困境。而近期，北京大学高鹏团队的一项突破性研究，犹如一道曙光，为

2025年5月，富士经济对全球功率半导体晶圆市场进行了调查，并发布了截至2035年的预测。其中，碳化硅（SiC）晶圆市场尤为引人注目，预计其规模将从2024年的1436亿日元扩大至2035年的6195亿日元，增幅约为4.3倍。

氮化铝(AlN)单晶材料因其超宽直接带隙(~6.2 eV)特性，成为高铝组分AlGaN基深紫外LED（UVC-LED）外延生长的理想衬底/缓冲层材料。然而，AlN固有的高结晶温度特性使得晶圆级单晶块体材料的制备极具挑战性。

铝粉最初采用捣冲法进行生产，将铝碎屑加工成细小的片状铝粉用于生产铝颜料，此后发明了球磨法生产片状铝粉，生产效率和安全性大大提高。20 世纪初期，由于武器弹药的大量使用，球形铝粉需求量迅速增长，促进了铝粉生产工艺的不断改进。雾化铝粉生产工艺的出现，不仅有效满足了

在2025慕尼黑上海电子展期间，作为一家深耕电子技术与传感器领域的全球领先公司， TDK的工作人员对与非网记者详细介绍了TDK的多项核心技术突破，包括超低能耗神经形态元件——自旋忆阻器技术、边缘状态基准监测（CbM与PdM）解决方案、“Trusted Posi

中国研究人员一直在探索提高蓝宝石基深紫外（UVC，100-280nm）发光二极管（LED）性能的策略，重点是用作氮化铝镓（AlGaN）器件材料基底的氮化铝模板层 [Xu Liu et al, IEEE Transactions On Electron Devi

小米集团3月25日早间在港交所公告，拟每股53.25港元配售8亿股现有股份，配售价较3月24日收盘价57港元折让约6.6%，预计筹资净额约425亿港元，将用于业务扩张、研发投资及其他一般公司用途。

近日位于翔安的钜瓷科技于近期完成C轮融资，投资方为深创投，资金用于产能扩张及新产品研发。此前，钜瓷科技曾获得比亚迪、厦门火炬集团、厦门高新投等多家机构的投资。2024年完成B+轮融资（湖杉资本领投）；投资方包括再石资本、厦门火炬集团等产业资本，凸显市场对其技术

秦明礼教授主持完成的“高品质氮化铝粉体产业化与应用”项目获有色金属工业科学技术一等奖（发明）。该项目针对高品质氮化铝粉体及其高导热制品制备技术长期被西方国家垄断的现状，开展了氮化铝粉体制备、组织性能调控与产业化关键技术的系统创新研究，攻克了氮化铝粉体工业化生产

中国粉体网讯进入21世纪以来，随着电子技术的迅猛发展，电子元器件的集成程度与组装密度不断提高，散热成为影响器件性能与可靠性的关键。以大功率LED封装为例，输入功率只有约20%~30%转化为光能，而剩下的70%~80%则转变成为热量，大量的热量聚集，后果很严重。

美国亚利桑那州立大学（ASU）就单晶AlN衬底上的高压AlN金属半导体场效应晶体管（MESFET）进行了报告 [Bingcheng Da et al, Appl. Phys. Express, v17, p104002, 2024]。研究人员们表示，这项工作是

单晶 mesfet 氮化铝 2024-12-09 11:55 16