氮化铝——最“时髦”的基板材料
中国粉体网讯进入21世纪以来，随着电子技术的迅猛发展，电子元器件的集成程度与组装密度不断提高，散热成为影响器件性能与可靠性的关键。以大功率LED封装为例，输入功率只有约20%~30%转化为光能，而剩下的70%~80%则转变成为热量，大量的热量聚集，后果很严重。
氮化铝
单晶氮化铝衬底上的MESFET
美国亚利桑那州立大学（ASU）就单晶AlN衬底上的高压AlN金属半导体场效应晶体管（MESFET）进行了报告 [Bingcheng Da et al, Appl. Phys. Express, v17, p104002, 2024]。研究人员们表示，这项工作是