国产芯片 “芯” 动力，深度剖析九号电动充电器功率器件选型的行业启示
随着电动自行车新规的落地实施以及相关配套行业的兴起，曾经困扰人们的续航、充电等问题早已不再是难题。正因如此，越来越多的人开始选择骑着 “小电驴”，穿梭于城市的大街小巷。而提及智能电动自行车，就不得不提及小牛和九号这两大开创性品牌。它们凭借各自高度智能化的优势，
器件
聚焦九号电动充电器，解析功率器件选型如何精准适配不同功率需求
随着电动自行车新规的落地实施以及相关配套行业的兴起，曾经困扰人们的续航、充电等问题早已不再是难题。正因如此，越来越多的人开始选择骑着 “小电驴”，穿梭于城市的大街小巷。而提及智能电动自行车，就不得不提及小牛和九号这两大开创性品牌。它们凭借各自高度智能化的优势，
达尔科技申请沟槽型半导体功率器件专利，涉及特定沟槽结构及二极管串设计
国家知识产权局信息显示，达尔科技股份有限公司申请一项名为“沟槽型半导体功率器件”的专利，公开号CN120051006A，申请日期为2023年11月。
器件寿命可提升250倍，美国密歇根大学研究新型蓝色磷光OLED材料
研究人员展示了一种基于这种新型发光材料的串联器件，其寿命相比传统的单层PHOLED器件提升了250倍。这一新设计为实现商业化蓝光PHOLED器件提供了一条可行的路径。
看不见的股东回报与疯狂募资、套路减持！飞荣达：业绩不行，套路贼溜
5月9日，飞荣达（300602.SZ）发布公告，控股股东、实控人马飞与云南国际信托就解除协议转让公司部分股份达成一致，双方的权利义务全部终止，互不承担违约责任。
综述！“光”充电超级电容器 （PRSC）：从材料到器件的最新进展
太阳能是最有前途的绿色电力来源之一，可解决因过度使用化石燃料而导致温室气体持续排放的问题。可再生能源，特别是太阳能的间歇性问题，可以通过整合高效的储能技术来缓解，以补充非日照时间的需求。超级电容器（SC）具有功率密度高、寿命长等优点，是一种前景广阔的储能设备，
CSPSD2025｜众专家学者共话硅、碳化硅器件及其他高压功率器件进展
从硅到宽禁带半导体材料，不断提升性能和应用范围，推动半导体行业的不断进步。技术创新驱动性能迭代，国产碳化硅器件的市场应用也已从单一领域向多行业扩展，碳化硅产业链正加速国产化替代进程，展现出强劲的发展潜力和市场竞争力。随着材料科学和制造工艺的持续进步，功率半导体
近30位专家齐聚CSPSD2025，探讨氮化镓及超宽禁带功率器件新未来
氮化镓作为第三代半导体的核心材料之一，凭借大禁带宽度、高电子迁移率和良好热导率等诸多优异特性，在功率器件领域正展现出前所未有的巨大应用潜力。特别是在新能源汽车和AI数据中心等前沿领域，氮化镓技术已成为实现电能高效转换的关键突破口。与此同时，超宽禁带功率器件作为
“专”属于你｜材料类-材料科学与工程、新能源材料与器件
材料科学与工程专业面向绿色建材、智慧交通、新能源、航空航天等领域，培养学生的新材料研究、新技术开发、新工艺设计等能力，为相关行业培养科技领军型、企业管理型人才。
京东方第6代新型半导体显示器件生产线在京全面量产
从“外国人淘宝地”到国潮孵化器 秀水街转型助力民营经济升级链接深圳文博会：高科技领航 北京展区“天工”亮相最吸睛链接首都文艺高质量发展座谈会召开链接北京上市公司营业收入和净利润居全国首位链接京东方第6代新型半导体显示器件生产线在京全面量产中德（欧）隐形冠军论坛
住友化学开发出可适用于大规模量产 GaN-on-GaN 器件的 QF-HVPE 系统
住友化学（Sumitomo Chemical）开发出一种可大规模生产的无石英氢化物气相外延（QF-HVPE）系统，能够制造出据称在室温和低温下均创下迁移率纪录的氮化镓（GaN）材料。该材料已在 4 英寸独立式氮化镓衬底和 6 英寸蓝宝石模板上的氮化镓上进行了展
2025-2030年中国电子真空器件行业深度调研及投资战略分析报告
第一章、电子真空器件行业综述及数据来源说明第一节、电子器件制造行业界定一、电子器件制造的界定二、电子器件制造的分类.三、《国民经济行业分类与代码》中电子器件制造行业归属第二节、电子真空器件行业界定一、电子真空器件的界定二、电子真空器件相似/相关概念辨析三、电子
AI重塑器件建模：是德科技ML Optimizer独家揭秘
在半导体技术飞速发展的今天，器件模型日益复杂，紧凑模型参数提取已成为业界面临的重大挑战。传统优化算法受困于梯度变化不明确，极易陷入局部最优，但最终提取结果差强人意的困局。此外，现代半导体模型中存在大量相互关联的参数，这使得传统方法效率更加低下，建模工程师往往需
器件 optimizer 器件建模 mloptimizer 2025-05-25 11:54 2
晶鹏能源申请一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法专利，提升钙钛矿太阳能电池器件的效率和稳定性
国家知识产权局信息显示，晶鹏能源（深圳）有限公司申请一项名为“一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法”的专利，公开号CN120035355A，申请日期为2025年02月。
国产SiC碳化硅功率半导体全面取代Wolfspeed进口器件的路径
在Wolfspeed宣布破产的背景下，国产碳化硅（SiC）功率器件厂商如BASiC（基本股份）迎来了替代其市场份额的重大机遇。以下是基于技术、供应链、市场策略等多维度的全面替代路径分析：
2025-2030年中国半导体分立器件制造行业深度调研与投资战略咨询报告
第一章、半导体分立器件制造行业综述及数据来源说明第一节、电子器件制造行业定义一、电子器件制造的界定二、电子器件制造的分类（一）、电子真空器件制造（二）、半导体分立器件制造（本报告研究对象）（三）、集成电路制造（四）、显示器件制造（五）、半导体照明器件制造（六）
北京大学团队成功研制无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件
氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借低导通损耗、高开关频率等优势，已成为下一代功率开关应用的有力竞争者。目前肖特基型p-GaN栅HEMT已经实现商业化应用，在消费类电子中获得广泛应用。然而，目前主流的肖特基型p-GaN栅HEMT面临高压开关过程阈
内置致能ZN65C1R200L氮化镓器件，腾达119.3W电源适配器拆解
近期充电头网拿到了Tenda腾达自主设计的一款全千兆非网管PoE交换机套装，其支持AF/AT标准PoE供电方式，并可智能识别受电设备。此外支持单口最大30W以及整机120W输出，可为8个PoE高清网络摄像头、千兆AP等提供数据传输和供电。
器件 氮化镓 电源适配器 zn65c1r200l 2025-05-22 17:55 5
攻克行业难题！卓兴半导体芯片级印刷机赋能功率器件精密制造
精密制造的号角在半导体行业愈吹愈响，在精度与效率的双重挑战下，卓兴半导体潜心研发，以芯片级印刷机的问世，为功率器件封装工艺变革写下浓墨重彩的一笔。该设备凭借突破性的窄边印刷技术与芯上印刷技术的完美结合，成功解决了功率器件封装过程中的诸多难题，成为行业技术革新的
卓兴半导体芯片级印刷机 | 功率器件框架窄边印刷，搭配芯上印刷技术
框架类产品通常比较薄且长宽比差异较大，容易产生弯曲变形，形成曲面。当选择窄边方向进行印刷时，刮刀能够在一定程度上减少因载板或框架本身曲面所导致的印刷不平整问题。因此，在窄边方向印刷时，刮刀在移动过程中受到曲面的影响相对较小，可以更精准地将锡膏/银胶均匀地印刷在