无锡芯卓湖光申请LDMOS器件结构及其制备方法专利，可解决LDMOS器件场板加工工艺步骤繁琐的问题
国家知识产权局信息显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司申请一项名为“一种LDMOS器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN 119789484 A，申请日期为2024年12月。
器件
半导体分立器件及特种电源研究试验中心建设项目可行性研究报告
本项目建设地点位于辽宁省朝阳市龙城区文化路五段 105，朝阳微电子科技股份有限公司利用现有场地建设器件及电源研究试验中心，围绕半导体分立器件、特种电源、集成电路配备开发试验设备、软件，进一步提升公司研发水平。本项目预计投资人民币14,371.23万元。
朗沃时代取得一种新型磁性器件固定及散热装置专利，具有高散热效率
国家知识产权局信息显示，深圳市朗沃时代能源科技有限公司取得一项名为“一种新型磁性器件固定及散热装置”的专利，授权公告号CN 222736483 U，申请日期为2024年6月。
当二维半导体遇上石墨烯器件：栅极技术的新突破与挑战
石墨烯，这个由单层碳原子构成的二维材料，自2004年被发现以来，因其卓越的电学、热学和力学性能，被誉为“未来电子学的基石”。然而，传统金属栅极在石墨烯器件中的应用存在诸多局限——从高频信号干扰到光吸收问题，始终困扰着科学家们。如今，一项发表于《npj 2D M
硅光子学和共封装光学器件，大放异彩
共封装光学也就是CPO (co-packaged optics)，是指把硅光模块和CMOS芯片用高级封装的形式（例如2.5D或者3D封装）集成在一起，从而在成本、功耗和尺寸上都进一步提升数据中心应用中的光互联技术。
嘉佰达电子申请基于分体电池包的断线保护电路专利，能避免器件损坏
国家知识产权局信息显示，东莞市嘉佰达电子科技有限公司申请一项名为“种基于分体电池包的断线保护电路”的专利，公开号 CN 119765569 A，申请日期为2024年12月。
还在愁芯片3D纳米器件咋造？DNA组装带来新希望！
大家知道吗？在现代科技领域，芯片集成3D纳米结构电子器件的制造至关重要。传统的自上而下的制造方法，虽然是现代技术的基础，但对于小于50纳米的特征制造却困难重重，这严重阻碍了电子器件、量子信息系统等基于3D架构的先进概念的实现。
厦大林乃波教授AM：分子链互穿促成离子与电子导体的高界面相容性及其在可拉伸离子器件中的应用
离子电子学是新兴的跨学科概念，涵盖电化学、固体物理学、电子工程和生物科学，近年来受到越来越多的关注。离子电子器件通过移动离子和移动电子的混合电路起作用，在工程和生物医学领域实现了众多应用。然而，离子器件中电子导体与离子导体的界面相容性较差，导致器件的可变形性、
江万军课题组及合作者在磁电调控及自旋器件研究方面取得进展
磁性随机存储器 (magnetoresistive random access memory) ，简称MRAM，具有高速读写能力和非易失性特性，是信息技术领域的研究热点。典型的MRAM磁性多层膜包含自由层、中间层和钉扎层。利用电流产生的奥斯特磁场或自旋力矩效应
综述与述评 | 李小茜，韩拯：二维原子晶体异质结量子器件研究进展及发展建议
概述了全球在二维原子晶体异质结材料和器件领域，纳米电子技术和量子技术的应用探索。系统介绍了该领域近期的主要实验成果和科学进展，分析当前二维原子晶体量子器件面临的挑战，对未来的量子计算用材料或电路支撑及量子精密测量的发展提出建议。最后展望了二维原子晶体异质结量子
科学家通过原位细菌发酵制备新材料，可用于光电器件和信息安全
因此，在本次研究之中，研究团队通过对不同荧光颜色的糖基化分子进行细菌发酵，得到相应发光颜色的杂化细菌纤维素膜。该过程可以使本身没有圆偏振发光性质的分子表现出圆偏振发光，而本身具备圆偏振发光性质的分子，其发光性质得到大幅提升，最大不对称因子提升 39 倍。
清华团队在二维神经形态器件研究领域取得新进展！
二维过渡金属硫族化合物（TMDCs）横向忆阻器是神经形态计算的理想电学元件，有望在提升算力的同时降低运算能耗，满足日益增长的数据运算需求。然而，目前二维TMDCs横向忆阻器的阻变能力较差，阻变比不高，在很大程度上影响了神经形态计算的准确度和可靠性。究其原因，现
虬晟光电：小尺寸显示器件领域技术领跑者
3月27日，浙江盛洋科技股份有限公司（以下简称“盛洋科技”）官微发布消息称，随着家电智能化与人机交互水平的不断提升，段码式LED（发光二极管）显示屏作为一种简单、直观且稳定的显示方式，在众多家电设备中得到广泛应用，公司子公司浙江虬晟光电技术有限公司（以下简称“
极飞申请一种物料输送相关专利，提高播撒效率
金融界 2025 年 3 月 27 日消息，国家知识产权局信息显示，广州极飞科技股份有限公司申请一项名为“一种物料输送装置、物料输送方法以及无人设备”的专利，公开号 CN 119682981 A，申请日期为 2023 年 9 月。
上海交通大学纳米器件和材料研究组2025年招聘教师和博士后
陈长鑫，教授、博导。2007年博士毕业于上海交通大学微电子学与固体电子学专业，毕业后留校任教，2012年初至2014年底在斯坦福大学美国国家科学院院士/中国科学院外籍院士Hongjie Dai（戴宏杰）教授研究组作博士后，目前为上海交通大学电子信息与电气工程学
澳门大学应赖屾教授课题组招收电学输运及光电器件方向的博士
入学时间：2026年1月正式入学，学生可提前几个月到校担任研究助理（Research Assistant, RA）。
技术新动态：印刷薄膜晶体管材料与器件技术最新研究 | 科技导报
本文聚焦溶液印刷工艺制备薄膜晶体管（TFT）技术，综述了近年来印刷TFT材料与器件研究成果。TFT是平板显示器件的核心共性技术，决定了平板显示器的显示效果与质量。针对TFT材料及工艺，分别介绍可印刷的导电材料、半导体材料和绝缘层材料，以及印刷制备TFT技术的发
商络电子业务动态与市场表现一览
近期，公司披露其代理的全志和GIGADEVICE品牌AI芯片产品应用于AI眼镜、AIPC及AI服务器等终端领域。此外，公司通过间接方式向小米眼镜供应被动器件和射频器件。3月20日，商络电子宣布获得德国Zollner的"A级认证"，标志着双方在汽车电子与工业设备
器件 服务器 眼镜 gigadevice品牌 德国zolln 2025-03-25 20:03 5
显示技术的下一个“风口”：Micro-LED的现状与展望 | 科技导报
微型发光二极管（Micro-LED）具有较好的稳定性，是当前高亮显示应用的最佳选择，其具有高对比度、低响应时间、宽工作温区、低能耗和广视角等优势，成为当前产业界和学术界比较看好的新型显示技术。本文综述了Micro-LED新型显示技术的原理，对比其与现有技术的性
清华联合团队取得拓扑光学新突破 有望推动光子芯片等微纳光学器件发展
近日，清华大学深圳国际研究生院副教授宋清华、研究员李勃，清华大学材料学院教授、中国工程院院士周济与合作者首次提出一种实动量拓扑光子晶体的概念，揭示了无序中稳定拓扑的形成机制，并实现了光子晶体的有效信息编码。