SK Hynix完成NAND闪存业务并购交易 英特尔将获得19亿美元
英特尔和 SK 海力士已完成一项涉及英特尔 NAND 闪存业务的 88.5 亿美元交易,标志着 2020 年启动的两阶段交易的结束。在交易的第一阶段,SK 海力士以 66.1 亿美元收购了英特尔的 SSD 部门以及位于中国大连的 NAND 生产工厂。大连工厂后
英特尔和 SK 海力士已完成一项涉及英特尔 NAND 闪存业务的 88.5 亿美元交易,标志着 2020 年启动的两阶段交易的结束。在交易的第一阶段,SK 海力士以 66.1 亿美元收购了英特尔的 SSD 部门以及位于中国大连的 NAND 生产工厂。大连工厂后
SK Hynix 刚刚宣布推出其下一代 12-Hi HBM3e 和 SOCAMM 内存,同时还发布了全球首批 12-Hi HBM4 样品,NVIDIA 最新的 GB300 AI 芯片提供动力的 HBM3E 内存也已准备就绪该公司宣布将在 3 月 17 日至 2
TechInsights 分析显示,长江存储已开始出货其第五代 3D NAND 存储芯片,该芯片共有 294 层,有 232 个有效层。新芯片的位密度接近每平方毫米 20 Gb(19.8 Gb/mm²),与 SK Hynix 目前的产品相当,接近 Kioxia
中国内存制造商ChangXin Memory Technologies(CXMT)最近开始大规模生产DDR5芯片。现在TechInsights的分析师已经对他们的架构进行了分析,分析师认为三星、SK hynix和Micron的产品领先中国三年。然而,部件制造商
记忆市场容易受到价格周期性波动的影响,而价格波动决定了生产者的政策。其中最大的公司仍然是韩国三星电子,其最大的NAND芯片生产基地是中国西安的工厂。由于不利的市场条件,今年将不得不将闪存产量减少约15%。
三星向英伟达(NVIDIA)供应 HBM3E 看起来几乎"不可能",至少在今年是这样,因为这家韩国巨头仍无法达到行业标准。主要是因为有报道称该公司无法通过资格测试和NVIDIA制定的 HBM 标准。 这家韩国巨头此前在一份投资者说明中承认了这一进展,并声称他们