hynix

一种3D X-DRAM,可将容量提高10倍

NEO Semiconductor 再次宣布了一项新技术,希望彻底改变 DRAM 内存的状态。近日,该公司推出了两款新的 3D X-DRAM 电池设计,即 1T1C 和 3T0C。1 晶体管 1 电容器和 3 晶体管 0 电容器设计预计将于 2026 年生产概

dram 美光 neo hynix 3ddram 2025-05-08 17:25  5

长江存储开始出货294层第五代NAND闪存

TechInsights 分析显示,长江存储已开始出货其第五代 3D NAND 存储芯片,该芯片共有 294 层,有 232 个有效层。新芯片的位密度接近每平方毫米 20 Gb(19.8 Gb/mm²),与 SK Hynix 目前的产品相当,接近 Kioxia

nand 长江存储 hynix 2025-01-31 00:35  13

三星将在中国削减NAND闪存产量约15%

记忆市场容易受到价格周期性波动的影响,而价格波动决定了生产者的政策。其中最大的公司仍然是韩国三星电子,其最大的NAND芯片生产基地是中国西安的工厂。由于不利的市场条件,今年将不得不将闪存产量减少约15%。

三星 nand hynix 2025-01-14 01:13  13