再获大单!三星向博通供应HBM3E芯片:测试结果令人满意
三星电子在高端存储芯片市场再下一城。继获得AMD订单后,三星电子已成功锁定全球顶级芯片设计公司博通(Broadcom)的第五代高带宽内存(HBM3E)供应合同。
三星电子在高端存储芯片市场再下一城。继获得AMD订单后,三星电子已成功锁定全球顶级芯片设计公司博通(Broadcom)的第五代高带宽内存(HBM3E)供应合同。
据CNMO了解,三星电子近日在业绩说明会上透露,其第五代高带宽内存HBM3E改进版已完成样品供应,预计第二季度起销售规模将逐步扩大。尽管一季度受尖端半导体出口管制影响,HBM销售额触及低点,但公司预计随着新产品放量,季度业绩将呈现阶梯式复苏。
近期,三星电子在高性能内存(HBM)领域面临技术难关的消息引起了业界广泛关注。据Digitimes报道,由于未能通过英伟达的认证,三星已被移除出台积电的CoWoS封装生产线。
AI硬件产品是目前IT市场增长最快的品类,而任何AI硬件都离不开高带宽内存(HBM);而HBM3E是高带宽内存的扩展版本,主要用于AI芯片,比如英伟达的GPU。目前SK海力士、三星和美光等都在积极布局这个市场。当然,鉴于英伟达在AI芯片领域的主导地位,任何HB
三星调整了 HBM3E 产品设计,计划今年 4 月向英伟达大规模供应 8H 版本。另一家韩国媒体 EBN 透露,若进展顺利,三星 12 层 HBM3E 有望 5 月获得英伟达认证。
近日,据台湾数字媒体digitimes报道,SK海力士在英伟达Blackwell Ultra架构芯片的第五代内存供应方面取得了独家合作机会,预计将为其提供12层HBM3E内存,此举或将进一步巩固SK海力士在行业内相对于三星电子与美光的领先地位。
据台媒 digitimes 今日消息,SK 海力士预计将独家供应英伟达 Blackwell Ultra 架构芯片第五代 12 层 HBM3E,预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。
由于三星电子的8层和12层堆叠HBM3E内存样品性能未能达到英伟达的要求,今年内正式启动供应的可能性变得非常渺茫,实际供货预计将推迟至2025年。
对于那些不知道的人来说,三星无法在 NVIDIA 的供应链中获得一席之地,主要是因为据报道该公司无法通过资格测试以及 Team Green 制定的 HBM 标准。韩国巨头在投资者笔记中承认了这一发展,声称他们对潜在的突破持乐观态度;然而,韩国媒体的一篇新报道D