三星与客户达成DRAM涨价共识
报道指出,由于DRAM价格是按多月基础谈判的,最近的价格上涨预计将在一段时间内支持盈利能力,为三星在第二季度提供了急需的利润率提升。
报道指出,由于DRAM价格是按多月基础谈判的,最近的价格上涨预计将在一段时间内支持盈利能力,为三星在第二季度提供了急需的利润率提升。
随着SK海力士加入涨价行列,美国关税政策引发的贸易不确定性正在蔓延至整个市场。
随着高带宽内存 (HBM) 领域的竞争白热化,领先的内存芯片制造商正在扩展其人工智能 (AI) 半导体战略,以包括高级内存接口技术 Compute Express Link (CXL)。这种转变反映了大型科技公司对下一代 AI 数据中心的需求激增,其中有效处理
近期,存储芯片市场迎来了一波价格调整的风潮。据悉,三星电子在本月早些时候与多家核心客户就提升DRAM等存储产品价格达成了一致意见。据内部消息透露,SK海力士紧随其后,对其DRAM产品价格进行了上调,调整幅度高达12%。
根据供应链的最新情报,三星电子在本月初与主要客户就DRAM等存储产品的价格上涨达成一致。消息来源透露,SK海力士最近也对其DRAM产品价格进行了上调,涨幅达到了12%。
SK 海力士与消费级 SSD 合作伙伴 HLDS 日立乐金数据储存公司联手,在韩国市场推出了同时印有 SK 海力士和 HLDS 旗下品牌 Super Multi 商标的两款存储产品。
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)高带宽存储HBM因数据中心、AI训练而大热,HBM三强不同程度地受益于这一存储产品的营收增长,甚至就此改变了DRAM市场的格局。根据CFM闪存市场的分析数据,2025年一季度,SK海力士凭借在HBM领域的绝对优势,终结三星长达四十
格隆汇5月12日|据Electronic Times,三星电子本月初与主要客户就提高DRAM芯片售价达成一致。DDR4 DRAM价格平均上涨两位数百分比;DDR5价格上涨个位数百分比。另据Etoday援引消息人士报道,SK海力士最近将DRAM价格上调了12%。
韩媒《朝鲜日报》在当地时间昨日的报道中表示,两大韩系 DRAM 内存原厂三星电子和 SK 海力士都正在考虑将混合键合技术引入下一代 HBM 内存 —— HBM4 中。
日本东京威力科创上涨3%,Disco上涨6.5%,Screen上涨2.1%,Lasertec上涨3.6%,Advantest上涨3.9%。东证指数下跌0.5%。韩国海力士涨2.7%,三星电子涨1.7%,Wonik IPS涨2%,DB Hitek涨1.8%。隔夜
2025年4月7日,亚太股市迎来“黑色星期一”,日韩股市开盘即现大幅跳水。截至上午交易时段,日经225指数跌幅扩大至7.6%,创2024年8月以来新低;韩国KOSPI指数跌超5%,SK海力士、现代汽车等权重股重挫超6%。与此同时,美股期货、原油、黄金等资产同步
三星电子和SK海力士正在考虑将混合键合技术引入下一代高带宽存储器(HBM)堆叠方法,这将引发半导体设备供应链的预期转变。混合键合是一种通过铜堆叠芯片的方法,无需使用连接HBM上DRAM的“凸块”。这可以减小芯片尺寸,同时将功率效率等性能指标提高至少两倍。
在近期的市场动态中,DRAM和NAND价格的显著上涨引发了广泛关注。其中,DRAM固定交易价格在4月份上涨了22%,达到了每千兆字节1.65美元,而NAND闪存价格也上涨了11%,达到每128Gb2.79美元。这一价格波动主要是由于IT设备制造商为应对美国政府
近期,供应链内部消息透露,SK海力士公司针对其消费级DRAM芯片进行了价格调整,上调幅度超过了10%。与此同时,市场研究机构DRAMeXchange发布的数据进一步证实了DRAM市场的价格走势,其中针对个人电脑市场的通用型DRAM产品,特别是DDR4 8Gb规
自 20 纳米节点以来,DRAM 工艺技术的进步显著放缓。从 19 纳米到 11 纳米的开发跨越了从 1x 到即将到来的 1d 标记的多个节点,每次仅以 1 到 2 纳米的微小幅度推进。
与此同时,SanDisk(闪迪)已于先前发布NAND Flash价格上调通知,自4月1日起,对所有供应商及零售客户的产品实施价格调整,涨幅将超过10%。
随着美光和三星等存储器厂商提高产品的定价,SK海力士很快也将跟进,为下一阶段产品的提价做好准备。据TrendForce报道,有来自供应链的消息人士透露,SK海力士已经上调消费类DRAM芯片价格,涨幅达到了12%。
该专利名称为“选择器、半导体器件及其制造方法(专利号CN119866175A)”,提出了一种采用碳层的新型选择器结构。
SK海力士将消费级DRAM芯片和裸片价格上调了12%。
华尔街见闻从供应链权威渠道了解到,海力士DRAM(消费级)颗粒(Memory Chip/Die)价格已上涨约12%。