海力士

CXL ,开启争夺战

随着高带宽内存 (HBM) 领域的竞争白热化,领先的内存芯片制造商正在扩展其人工智能 (AI) 半导体战略,以包括高级内存接口技术 Compute Express Link (CXL)。这种转变反映了大型科技公司对下一代 AI 数据中心的需求激增,其中有效处理

cxl 海力士 dram 虚拟化 fpga 2025-05-12 17:25  1

存储DRAM:扩张与停产双重奏

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)高带宽存储HBM因数据中心、AI训练而大热,HBM三强不同程度地受益于这一存储产品的营收增长,甚至就此改变了DRAM市场的格局。根据CFM闪存市场的分析数据,2025年一季度,SK海力士凭借在HBM领域的绝对优势,终结三星长达四十

海力士 dram ddr5 三星电子 存储dram 2025-05-12 10:10  2

4月DRAM价格飙升22%、NAND上涨11%

在近期的市场动态中,DRAM和NAND价格的显著上涨引发了广泛关注。其中,DRAM固定交易价格在4月份上涨了22%,达到了每千兆字节1.65美元,而NAND闪存价格也上涨了11%,达到每128Gb2.79美元。这一价格波动主要是由于IT设备制造商为应对美国政府

nand 海力士 dram asp dram价格 2025-05-07 17:09  3

SK海力士DRAM颗粒价格上调超10%

近期,供应链内部消息透露,SK海力士公司针对其消费级DRAM芯片进行了价格调整,上调幅度超过了10%。与此同时,市场研究机构DRAMeXchange发布的数据进一步证实了DRAM市场的价格走势,其中针对个人电脑市场的通用型DRAM产品,特别是DDR4 8Gb规

海力士 dram sk dram颗粒 海力士dram 2025-05-06 18:37  4

3D DRAM,新方向

自 20 纳米节点以来,DRAM 工艺技术的进步显著放缓。从 19 纳米到 11 纳米的开发跨越了从 1x 到即将到来的 1d 标记的多个节点,每次仅以 1 到 2 纳米的微小幅度推进。

海力士 dram 美光 3ddram igzo 2025-05-06 18:11  4