英伟达黄仁勋:GAA 工艺或仅带来 20% 性能提升,架构与软件创新更为关键
英伟达(Nvidia)首席执行官黄仁勋(Jensen Huang)在近期 GTC 大会的一场问答环节中表示,依赖全环绕栅极(Gate-All-Around, GAA)晶体管的下一代制程技术可能会为公司处理器带来大约 20% 的性能提升。然而他同时强调,对于英伟
英伟达(Nvidia)首席执行官黄仁勋(Jensen Huang)在近期 GTC 大会的一场问答环节中表示,依赖全环绕栅极(Gate-All-Around, GAA)晶体管的下一代制程技术可能会为公司处理器带来大约 20% 的性能提升。然而他同时强调,对于英伟
英伟达(Nvidia)首席执行官黄仁勋(Jensen Huang)在近期 GTC 大会的一场问答环节中表示,依赖全环绕栅极(Gate-All-Around, GAA)晶体管的下一代制程技术可能会为公司处理器带来大约 20% 的性能提升。然而他同时强调,对于英伟
出现这样情况有可能是由三星 3nm 良率低、产量不足导致的。而三星自研的 Exynos 芯片良率和性能问题,在过去几年中频繁出现相关的新闻报道和网络爆料。