英伟达黄仁勋：GAA 工艺或仅带来 20% 性能提升，架构与软件创新更为关键
英伟达（Nvidia）首席执行官黄仁勋（Jensen Huang）在近期 GTC 大会的一场问答环节中表示，依赖全环绕栅极（Gate-All-Around, GAA）晶体管的下一代制程技术可能会为公司处理器带来大约 20% 的性能提升。然而他同时强调，对于英伟
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英伟达CEO预计GAA技术将带来性能提升，GPU更大的跃升来自架构和软件创新
三星在2022年6月末量产了3nm工艺，采用了全新的GAA（Gate-All-Around）晶体管架构，这也是该技术的首次实际应用，取代自2011年推出FinFET晶体管架构。台积电（TSMC）在3nm制程节点上并没有像三星那样引入GAA晶体管架构，要等到新一
英伟达黄仁勋：GAA工艺或仅带来20%性能提升
英伟达（Nvidia）首席执行官黄仁勋（Jensen Huang）在近期 GTC 大会的一场问答环节中表示，依赖全环绕栅极（Gate-All-Around, GAA）晶体管的下一代制程技术可能会为公司处理器带来大约 20% 的性能提升。然而他同时强调，对于英伟
最新消息！3月26日下午3点前，中国科技创新！GAA晶体管重大突破
通过创新的低温臭氧准原子级处理（qALE）技术，他们精确去除了纳米片沟道表面残留的Ge原子，降低了界面缺陷，显著提升了器件性能。采用该技术后，亚阈值开关摆幅优化至60.3 mV/dec，漏电流降低66.7%，而开态电流提升超过20%。这一研究成果已发表在202
技术前沿：老美要禁的GAA是什么？
随着器件按比例缩小，寄生电阻和电容又将成为一个新问题。CPP（Contacted Poly Pitch）决定标准cell宽度（见图 1），它是由 Lg、接触宽度 (Contact Width ：Wc) 和垫片厚度 ( Spacer Thickness：Tsp)
曝三星第2代3nm GAA工艺良率改善，后续新机将搭载
出现这样情况有可能是由三星 3nm 良率低、产量不足导致的。而三星自研的 Exynos 芯片良率和性能问题，在过去几年中频繁出现相关的新闻报道和网络爆料。