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复旦团队绕开硅基材料研发国产“无极”芯片

4 月 2 日，二维半导体芯片迎来里程碑式进展。复旦大学周鹏教授团队联合包文中研究员，造出全球首款基于二维半导体材料的 32 位 RISC-V 架构微处理器“无极（WUJI）”（下称“无极芯片”），首次实现 5900 个晶体管的集成度，在国际上实现了二维逻辑芯

4 月 2 日，二维半导体芯片迎来里程碑式进展。复旦大学周鹏教授团队联合包文中研究员，造出全球首款基于二维半导体材料的 32 位 RISC-V 架构微处理器“无极（WUJI）”（下称“无极芯片”），首次实现 5900 个晶体管的集成度，在国际上实现了二维逻辑芯

垂直GaN器件的性能在很大程度上取决于漂移区的特性。降低非故意意杂质浓度有利于提高迁移率，对于高残余碳(C:1017cm-3)，迁移率低至 20cm2/Vs)的，而对于更高质量的材料，则有报道称其迁移率值约为 960cm2/Vs，可与碳化硅的迁移率相媲美。漂移

山东大学报道了一种通过在栅极金属沉积之前将P-GaN的热氧化处理与原子层沉积（OTALD）相结合的增强型P-GaN/AlGaN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMTs）。与传统器件相比，该器件的阈值电压从1.8V显著提高到7.1V，栅

我们长期南方生活的人可能没有概念，-22℃时候，网线的外皮变脆，一捏就碎了。有部分设备出现无法启动的问题。

AI时代，高性能芯片重要性日益凸显，推动先进制程芯片成为晶圆代工行业竞争的“关键武器”；与此同时，消费电子市场尽管需求尚未恢复，但在旗舰手机不断迭代助攻之下，先进制程芯片同样在手机市场赢得发展空间。台积电、三星、Rapidus最新动态显示，3nm芯片商用进程不