阈值电压资讯

DRAM，如何微缩？

几十年来，计算架构一直依赖动态随机存取存储器 (DRAM)作为主存储器，为处理单元检索数据和程序代码提供临时存储空间。DRAM 技术凭借其高速运行、高集成度、高性价比和卓越可靠性，在许多电子设备中得到了广泛应用。

氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借低导通损耗、高开关频率等优势，已成为下一代功率开关应用的有力竞争者。目前肖特基型p-GaN栅HEMT已经实现商业化应用，在消费类电子中获得广泛应用。然而，目前主流的肖特基型p-GaN栅HEMT面临高压开关过程阈

NMOS：箭头指向沟道（由衬底指向沟道），表示电子从源极（S）流出。电流方向与电子运动相反，因此NMOS的电流从漏极（D）流向源极（S）。

闪存使用网格中的浮栅晶体管存储数据。写入过程中，电子通过量子隧穿效应被捕获，从而改变单元电压。擦除操作使用块级电压脉冲重置电荷。由于绝缘氧化层的存在，数据即使在断电的情况下也能保存，但反复写入会降低单元的性能。

4 月 2 日，二维半导体芯片迎来里程碑式进展。复旦大学周鹏教授团队联合包文中研究员，造出全球首款基于二维半导体材料的 32 位 RISC-V 架构微处理器“无极（WUJI）”（下称“无极芯片”），首次实现 5900 个晶体管的集成度，在国际上实现了二维逻辑芯

4 月 2 日，二维半导体芯片迎来里程碑式进展。复旦大学周鹏教授团队联合包文中研究员，造出全球首款基于二维半导体材料的 32 位 RISC-V 架构微处理器“无极（WUJI）”（下称“无极芯片”），首次实现 5900 个晶体管的集成度，在国际上实现了二维逻辑芯

垂直GaN器件的性能在很大程度上取决于漂移区的特性。降低非故意意杂质浓度有利于提高迁移率，对于高残余碳(C:1017cm-3)，迁移率低至 20cm2/Vs)的，而对于更高质量的材料，则有报道称其迁移率值约为 960cm2/Vs，可与碳化硅的迁移率相媲美。漂移

山东大学报道了一种通过在栅极金属沉积之前将P-GaN的热氧化处理与原子层沉积（OTALD）相结合的增强型P-GaN/AlGaN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMTs）。与传统器件相比，该器件的阈值电压从1.8V显著提高到7.1V，栅

我们长期南方生活的人可能没有概念，-22℃时候，网线的外皮变脆，一捏就碎了。有部分设备出现无法启动的问题。

AI时代，高性能芯片重要性日益凸显，推动先进制程芯片成为晶圆代工行业竞争的“关键武器”；与此同时，消费电子市场尽管需求尚未恢复，但在旗舰手机不断迭代助攻之下，先进制程芯片同样在手机市场赢得发展空间。台积电、三星、Rapidus最新动态显示，3nm芯片商用进程不