美光,营收大增!
当地时间6月25日,美光公布其2024财年第三季度(截至2025年5月29日)营收为93亿美元,同比增长37%,每股收益为1.91美元,均高于市场研究机构LSEG此前预测的88.7亿美元和1.60美元。第三财季调整后运营利润24.9亿美元,分析师预期21.3亿
当地时间6月25日,美光公布其2024财年第三季度(截至2025年5月29日)营收为93亿美元,同比增长37%,每股收益为1.91美元,均高于市场研究机构LSEG此前预测的88.7亿美元和1.60美元。第三财季调整后运营利润24.9亿美元,分析师预期21.3亿
美光科技(MU.US)第三财季业绩及第四财季指引均超出市场预期。这家内存芯片制造商报告称,第三财季营收创下历史新高,同比增长37%至93亿美元,高于分析师平均预期的89亿美元;调整后每股收益为1.91美元,高于分析师预期的1.60美元。该公司表示,第三财季营收
昨日,美光公布截至2025年5月29日的FY2025Q3财季(2025年3 - 5月)业绩,该季营收93亿美元,环比增长15%,同比增长37%;Non-GAAP下,营业利润24.9亿美元,营业利润率由上季度的24.9%回升至26.8%;净利润21.81亿美元,
最近一段时间,#存储芯片这条赛道突然迎来了高度关注,背后的原因之一是产品价格的上涨。一方面,各大存储晶圆原厂相继宣布新一轮的减产或控产计划,收缩了供给端,另一方面,下游客户消化库存的进程也已经接近尾声。
近日,市场分析机构Counterpoint预测长鑫存储今年DRAM出货量同比猛增50%,市场份额预计从6%涨至8%,这一动态让DRAM行业备受瞩目。DRAM是电子设备中极为关键的存储元件,就像设备的“短期记忆库”,能快速存取数据,保障系统高效运转。从日常用的智
《每日经济新闻》记者注意到,与主流DRAM厂商如三星、SK海力士、美光及长鑫不同,力积存储没有自己的晶圆制造工厂,属于Fabless(无晶圆厂)模式。因此,其产品制造或受限于晶圆厂。力积电则是力积存储唯一的第三方代工供应商。
2025年第一季度,中国存储双雄——长江存储(YMTC)与长鑫存储(CXMT)季度营收首次同时突破10亿美元大关。长鑫存储在DRAM领域以4.1%的市占率位列全球第四,长江存储在NAND领域以8.1%的市占率排名第六,首次双双进入官方统计榜单。
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在美光高调宣布停产DDR 4之际,DRAM市场正在发生变化。首先体现得就是DDR 4的快速涨价。据台媒日前报道,最新DDR4 DRAM现货价包括8Gb、16Gb等规格单日都暴涨近8%,涨幅令业界瞠目结舌,本季以来报价已翻涨一倍以上。
人工智能 (AI) 涉及高强度计算和海量数据。计算可以由 CPU、GPU 或专用加速器执行,而数据在传输到处理器的过程中会经过 DRAM,因此,最适合此用途的 DRAM 类型取决于执行训练或推理的系统类型。
在 2025 年第一季度,全球存储市场传来令人振奋的消息:中国的长鑫存储(CXMT)与长江存储(YMTC)季度营收均突破 10 亿美元大关。这一里程碑式的成就,标志着国内存储企业在全球舞台上正逐步崭露头角,打破了长期以来由国际巨头主导的市场格局。
韩媒 ETNews 当地时间昨日报道称,三星电子在 DRAM 内存领域率先导入干式光刻胶 (Dry PR) 技术,将应用于到即将正式推出的第 6 代 10 纳米级工艺 (1c nm) 中。
该企业的首席技术官在会上发表演讲,详细阐述了面对当前DRAM性能与容量提升的技术瓶颈,公司正积极谋划将前沿的4F² VG平台与3D DRAM技术深度融合,应用于10纳米及以下制程的内存产品开发中。这一举措标志着公司在追求更高集成度、更快运行速度及更低能耗的道路
ZDNet 报道显示,继 3 月份推出 12 层 HBM4 样品后,SK 海力士在京都举行的 2025 年 IEEE VLSI 研讨会(6 月 8 日至 12 日)上公布了长期 DRAM 路线图和可持续发展愿景,重点介绍了 10nm 以下技术的计划。
国家知识产权局信息显示,北京轻松怡康信息技术有限公司申请一项名为“浏览器视频标题编辑方法、装置、存储介质及程序产品”的专利,公开号CN120128748A,申请日期为2025年05月。
【DRAM成品现货普遍续涨 低容量eMMC货紧价扬加速相关应用容量升级】《科创板日报》10日讯,现货旧制程DRAM资源供应缺货涨价延续,存储厂商针对渠道内存条、行业内存条及LPDDR4X等产品现货价格坚定持报涨态度。近日受部分渠道资源价格暴涨影响,渠道DDR4
近期,花旗分析师将美光科技的目标价从此前的110.00美元上调至130.00美元,同时维持对该公司股票的“买入”评级。
NAND闪存领域,也就是制造SSD硬盘的这种闪存芯片,长江存储在不断的突破,高速发展,据媒体的分析,目前份额已经高达10%左右了,打破了三星、SK海力士、美光等的垄断。
2025 年 IEEE VLSI 研讨会正于日本东京举行。SK 海力士在会议上提出了未来 30 年的新 DRAM 技术路线图和可持续创新方向。
日前,根据多家市场研究公司对2023年第一季度DRAM市场的报告,SK海力士已超过三星电子,稳坐榜首。SK海力士凭借其高带宽存储器(HBM)优势,Ascension存储器半导体行业的宝座,标志着市场领导地位的重大转变。