三星与客户达成DRAM涨价共识
报道指出，由于DRAM价格是按多月基础谈判的，最近的价格上涨预计将在一段时间内支持盈利能力，为三星在第二季度提供了急需的利润率提升。
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三大原厂DRAM同步上调价格
随着SK海力士加入涨价行列，美国关税政策引发的贸易不确定性正在蔓延至整个市场。
DDR4涨价20%，DDR5上调5%！
三星电子本月初与主要客户就提高DRAM芯片售价达成一致。DDR4 DRAM价格平均上涨两位数百分比；DDR5价格上涨个位数百分比。据称 DDR4 上调 20%，DDR5 上调约 5%。
三星DDR4，涨价20%
据悉，三星电子本月初已与主要客户敲定了提高DRAM供应价格的方案。虽然具体细节因客户而异，但确定DDR4 DRAM的平均增长率为两位数，DDR5 DRAM的平均增长率为个位数。据悉DDR4约为20%，DDR5约为5%。
CXL ，开启争夺战
随着高带宽内存 （HBM） 领域的竞争白热化，领先的内存芯片制造商正在扩展其人工智能 （AI） 半导体战略，以包括高级内存接口技术 Compute Express Link （CXL）。这种转变反映了大型科技公司对下一代 AI 数据中心的需求激增，其中有效处理
存储芯片价格全面上涨，三星与客户达成新售价协议应对市场需求增长
根据供应链的最新情报，三星电子在本月初与主要客户就DRAM等存储产品的价格上涨达成一致。消息来源透露，SK海力士最近也对其DRAM产品价格进行了上调，涨幅达到了12%。
三星提高DDR4价格：上涨20%，已经与主要客户敲定新定价
三星已经为NAND闪存和DRAM产品线制定新的定价策略，覆盖全球主要客户，价格将在当前基础上提高3%~5%。部分客户已经开始了谈判，主要与当前的地缘政治紧张局势有关，关税和贸易不确定性很可能导致未来数月存储器价格飙升。
中国存储芯片厂开始扰动全球价格战
在半导体存储器市场上，中国大型企业的存在感正在增强。这是因为技术创新推动供应厂商以中国为中心增加，价格竞争力也在提高。由于政府的补贴政策，中国有些产品比其他国家便宜50%左右，这成为压低世界大宗交易价格的一个因素。
存储DRAM：扩张与停产双重奏
电子发烧友网报道（文/黄晶晶）高带宽存储HBM因数据中心、AI训练而大热，HBM三强不同程度地受益于这一存储产品的营收增长，甚至就此改变了DRAM市场的格局。根据CFM闪存市场的分析数据，2025年一季度，SK海力士凭借在HBM领域的绝对优势，终结三星长达四十
消息称三星与主要客户就 DRAM 价格上调达成一致
Electronic Times 昨日援引业内未具名人士的话报道，三星电子本月初与主要客户就提高 DRAM 芯片售价达成一致。具体比例因客户而异，但平均上调率已确定：
三星与主要客户就提高DRAM售价达成一致
格隆汇5月12日｜据Electronic Times，三星电子本月初与主要客户就提高DRAM芯片售价达成一致。DDR4 DRAM价格平均上涨两位数百分比；DDR5价格上涨个位数百分比。另据Etoday援引消息人士报道，SK海力士最近将DRAM价格上调了12%。
DRAM，颠覆性方案
近日，初创公司NEO 半导体公司再次宣布一项有望彻底改变 DRAM 内存现状的新技：两种新的 3D X-DRAM 单元设计——1T1C 和 3T0C。据介绍，这两类设计将于 2026 年投入概念验证测试芯片，而基于公司现有的 3D X-DRAM 技术，能在新单
NEO推出两款全新3D X-DRAM设计，容量可达当前传统DRAM模块10倍
近日，3D DRAM技术厂商NEO Semiconductor 宣布推出了两款全新的3D X-DRAM单元设计，包括1T1C 和3T0C，分别基于单晶体管单电容和三电晶体零电容的设计，预计将于2026年生产概念验证测试芯片，密度高达 512Gb，预计将可提供当
dram neo semiconductor dram模块 2025-05-09 08:51 3
一种3D X-DRAM，可将容量提高10倍
NEO Semiconductor 再次宣布了一项新技术，希望彻底改变 DRAM 内存的状态。近日，该公司推出了两款新的 3D X-DRAM 电池设计，即 1T1C 和 3T0C。1 晶体管 1 电容器和 3 晶体管 0 电容器设计预计将于 2026 年生产概
新一代3D X-DRAM技术亮相：内存容量飙升10倍，将如何改变未来？
近日，半导体领域的创新先锋NEO Semiconductor宣布了一项可能重塑DRAM内存市场的突破性进展——两款全新的3D X-DRAM单元设计，即1T1C和3T0C。这两项设计不仅预示着存储技术的重大飞跃，还预示着未来内存容量的显著提升。
dram 内存 内存容量 neo semiconductor 2025-05-08 17:23 4
4月DRAM价格飙升22%、NAND上涨11%
在近期的市场动态中，DRAM和NAND价格的显著上涨引发了广泛关注。其中，DRAM固定交易价格在4月份上涨了22%，达到了每千兆字节1.65美元，而NAND闪存价格也上涨了11%，达到每128Gb2.79美元。这一价格波动主要是由于IT设备制造商为应对美国政府
供应商停产DDR3/DDR4：带动PC DRAM内存价格上涨近5%！
据TrendForce最新内存现货价格趋势报告，全球三大DRAM供应商宣布即将停产DDR3和DDR4 DRAM，引发了现货市场的快速反应，买家纷纷提前囤积相关内存产品。
5月7日股市内参
温馨提示：一颗种子能否顺利生根发芽、长大成为一棵大树，不光取决于种子本身。另外还需要看种子生长的土壤、光照、水源、动物等客观环境。而资讯犹如种子，能否影响股价上涨，也需要看当时市场所处的客观环境。冷静、理智、客观的分析和决策是投资和投机成功的非常重要的前提。
SK海力士DRAM颗粒价格上调超10%
近期，供应链内部消息透露，SK海力士公司针对其消费级DRAM芯片进行了价格调整，上调幅度超过了10%。与此同时，市场研究机构DRAMeXchange发布的数据进一步证实了DRAM市场的价格走势，其中针对个人电脑市场的通用型DRAM产品，特别是DDR4 8Gb规
登顶全球第一，兆易创新，封神！
消息显示，需求端受AI和进口价格不确定的影响，存储器代工厂正在逐步增加库存水平，加大对存储芯片的采购量。