摘要：2025年第一季度，中国存储双雄——长江存储（YMTC）与长鑫存储（CXMT）季度营收首次同时突破10亿美元大关。长鑫存储在DRAM领域以4.1%的市占率位列全球第四，长江存储在NAND领域以8.1%的市占率排名第六，首次双双进入官方统计榜单。
2025年第一季度，中国存储双雄——长江存储（YMTC）与长鑫存储（CXMT）季度营收首次同时突破10亿美元大关。长鑫存储在DRAM领域以4.1%的市占率位列全球第四，长江存储在NAND领域以8.1%的市占率排名第六，首次双双进入官方统计榜单。
2025年全球存储市场规模预计达1900亿美元。据TrendForce最新报告显示，中国半导体企业在DRAM和NAND存储器合并市场的出货量份额在今年第三季度预计将达到10.1%。这是中国半导体企业首次突破10%的市场份额。自去年第二季度首次超过5%门槛（5.4%）以来，仅用一年时间，市场份额几乎翻倍。
长鑫存储整体DRAM出货量预计今年同比增长50%，出货份额将从第一季度的6%提升至第四季度的8%，全年有望超过美光跻身前三。据Counterpoint预测，长鑫存储今年在DDR5和LPDDR5市场的表现尤为突出，其DDR5市场份额将从年初的不到1%提升至年底的7%，LPDDR5市场份额则从0.5%激增至9%。与此同时，长鑫存储的整体DRAM出货量预计在今年同比增长50%，在整体DRAM市场的出货份额将从第一季度的6%提升至第四季度的8%。
二季度 DRAM 整体价格的上涨幅度超出了预期。价格上涨主要是因为供应链的供需结构在持续改善。下游人工智能（AI）需求的增长，促使行业主要原厂加快了技术升级的步伐，并且逐渐退出利基型存储芯片市场。从目前的趋势来看，三季度价格仍然有继续上涨的可能。
从供应端来看， 2025 年是 DRAM 行业供应结构发生重要变化的一年。这主要表现为原厂加速停止 DDR4 产品的供应（在存储行业中，“原厂”（Primary Vendor/Original Manufacturer）指掌握存储芯片核心技术、具备从晶圆设计到制造全链条能力的厂商，通常采用IDM（垂直整合制造）模式运营。），而下游 AI 需求的增长则推动 DDR5、LPDDR5、HBM 等产品的占比快速提高。由英伟达联合三大原厂推出的基于 LPDDR5x 的 SOCAMM 标准，将加快行业技术路线的革新。
AI 在端侧的应用有望推动 DRAM 行业的增长。Dram 存储芯片的发展逻辑正逐渐从依靠价格驱动转变为依靠需求驱动。
根据 2025-2027 年的整体供需模型预测，Dram 存储芯片的供需结构将不断改善。
DRAM 向 3D 化方向发展，带动了 Hybrid bonding 技术的进步。
长鑫存储合肥三期项目聚焦17nm及以下工艺，2025年DRAM总产能或占全球12%。长鑫存储DDR4现货价反超DDR5，Q2供不应求或延续至Q3，推动国产模组厂市占率提升。
长鑫存储不仅在传统产品DDR4和LPDDR4上提升产量，还在DDR5和LPDDR5等新一代产品上实现了显著增长。然而，该公司在尖端DRAM制造所需的高k金属栅极工艺方面仍面临技术挑战。这一工艺是解决精细工艺中漏电流问题的关键技术。
根据Omdia预测，长鑫存储2025年DRAM晶圆投片量将达273万片（较2024年增长68%），月产能预计从2024年的16万片提升至28-30万片，逼近SK海力士总产能的50%4。合肥三期项目聚焦17nm及以下工艺，G4制程产能新增9万片（北京二厂4万片+合肥二厂5万片），主要用于LPDDR5和DDR5生产。
整体DRAM市场，Counterpoint预测其全球市占率将从2025年Q1的6%提升至Q4的8%，全年出货量同比增长近50%。
细分市场，DDR5和LPDDR5市占率分别从Q1的1%和0.5%跃升至Q4的7%和9%，成为中低端DRAM市场核心供应商。
目前，DRAM市场主要由三星电子和SK海力士等韩国企业主导，但长鑫存储正在快速扩大其市场份额，成为不可忽视的竞争者。年终，长鑫存储超过美光跻身前三是大概率事件。
根据行业机构预测，长江存储2025年NAND全球市场份额将从2024年的5%提升至7-10%，消费级SSD市场占有率有望突破15%，成为全球第三大NAND供应商。
这其中的关键驱动因素，是长江存储武汉二期工厂将全面投产，2025年总产能达360万片晶圆/年，叠加国产设备替代率提升至60%以上，使其不再受制裁影响，而能全面进行产能扩张。
根据TrendForce集邦咨询最新研究，2025年第一季NAND Flash供应商在面对库存压力和终端客户需求下滑的情况下，平均销售价格(ASP)季减15%，出货量减少7%，即便季末部分产品价格回升，带动需求，但最终前五大NAND Flash品牌厂营收合计为120.2亿美元，季减近24%。长江存储一季度全球NAND市占率已达8.1%（排名第六）。
展望第二季营收表现，随着终端买家库存逐渐降至健康水位，NAND Flash价格触底反弹，加上国际形势变化促使部分厂商积极拉货，预估第二季品牌厂营收表现可望来到季增10%。
长江存储武汉二期工厂相关情况介绍
武汉二期工厂在 2024 年投入生产后，NAND 闪存的月产能达到了 30 万片晶圆。到2025 年第一季度，其在全球 NAND 市场的占有率已经达到 8.1%，预计下半年随着232层3D NAND良率突破至85%，产能释放后有望超越SK海力士，跻身全球前三；预计到年底其全年占比将突破 10%。
在 NAND 领域，长江存储展现出了强劲的创新实力。其采用的 Xtacking 4.0 架构，让数据传输的 IO 速率达到了 3600MT/s，并且还支持 300 层以上堆叠技术的预研工作，计划在 2025 年实现 294 层 3D NAND 的量产。
在产品线方面，长江存储也进行了升级。推出了 UFS 4.1 以及后续的 5.0 方案，1TB 存储芯片的厚度仅为 0.85mm，能够很好地适配折叠屏手机和 AI 终端等设备。企业级的 PCIe 4.0 SSD 已经进入浪潮、曙光等企业的供应链，预计 2025 年在数据中心的渗透率将达到 8%。
长江存储的产品还具有性价比优势，相同容量的产品价格比国际厂商低 15%-20%。这使得其消费级 SSD 的市场占有率从 2022 年的 12% 提升到了 2023 年的 22%。
此外，长江存储计划在 2025 年实现 300 层 NAND 的量产，并且在第四季度启动 PLC（Penta - Level Cell）技术的研发，以进一步提升存储密度。
与三星等相比，长江存储在NAND市场的价格和成本优势明显，同容量NAND产品价格较三星低15%-20%，毛利率维持在**22%-25%（2024年为18%），成本优势吸引二线模组厂合作。QLC颗粒成本较TLC低30%，推动消费级SSD价格下探至0.18美元/GB。
长江存储与长鑫存储通过技术突破、产能扩张与精准市场定位，正快速改写全球存储市场格局。尽管面临技术壁垒与国际竞争压力，但在政策支持与国产替代浪潮下，两家企业有望在2025年实现DRAM和NAND市场份额双突破，进一步巩固中国在全球半导体产业链中的战略地位。
若长江存储232层NAND良率稳定且价格战可控，则其市占率或突破10%，成为全球第三大NAND厂商。全球NAND市场将形成“三星、SK海力士、长江存储”三强格局，终结美日韩垄断。
长鑫存储若G4制程良率稳定且HBM3研发顺利，DDR5市占率或突破10%，全球DRAM市场份额达10%-12%，成为中低端市场主导者。
来源：卡夫卡科技观察
