漏极

大国崛起(三):造芯片到底有多难-基础知识篇

芯片,在过去几十年全球化分工的大环境下,形成了较优的资源配置和全球产业链,各国均从中获益。但是,美国的逆全球化战略打破了产业链条,特别是针对中国的芯片先进制程和华为,更是进行全方位打压和封锁。我们只能从沙子开始,聚集全国资源打造一条全新的、自主可控的、全栈式的

芯片 场效应 基础知识 栅极 漏极 2025-06-08 22:01  7

GaN HEMT在2.45GHz下创下85.2%的PAE纪录

据日本富士通株式会社(Fujitsu Ltd)报告,基于自支撑GaN衬底的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在工业、科学和医疗(ISM,2.4-2.5GHz)保留频段2.45GHz下工作时,实现了85.2%的功率附加效率(PAE)和89.0%的漏极效率(DE

pae 漏极 hemt ganhemt pae纪录 2025-05-06 22:21  8

3DDRAM,蓄势待发

去年12月,美国商务部工业和安全局(BIS)正式修订《出口管理条例》(EAR),对HBM及一系列半导体制造设备、软件工具施加更为严苛的出口管制,并将140家中国实体新增至出口管制清单。尤其是针对“memory bandwidth density”超过2GB/s

dram 栅极 漏极 3ddram igzo 2025-05-05 17:21  8

FLASH:一文读懂FLASH的工作原理与应用

闪存是 “即使切断电源也能保存记录的数据(非易失性),并且可以对数据进行重写的半导体存储器”。由于其小巧轻便、抗冲击性强,且在切断电源后数据也不会丢失等特点,被广泛应用于各种设备中。

flash 栅极 漏极 2025-01-31 20:45  20

FinFET是什么?和MOSFET相比,它究竟强在哪?

半导体行业是一个非常动态的行业,因为它会不时地发生变化。根据摩尔定律,芯片中晶体管的数量每 18 个月或 2 年就会翻一番。因此,芯片和电子设备的尺寸变得越来越小。半导体行业中鳍式场效应晶体管(FinFET)技术的引入发挥了关键作用。

mosfet 漏极 finfet 2025-01-26 17:31  16

一款功率MOS管:8326

这是一个锂电池管理电路板,上面有三颗PQFN封装的芯片,芯片型号为8326。经过查询应该是infineon的HEXFE功率MOS管。下面拆卸下来测试一下这颗功率管的特性,为之后使用积累经验。幸亏在嘉立创中有了这个器件的封装,下载到AD中,这样方便后面设计测试电

mos 栅极 漏极 2025-01-16 18:40  14

一款封装小的功率MOS 管

这是一个锂电池管理电路板,上面有三颗 PQFN封装的芯片。芯片型号为 8326 。经过查询,应该是 Infineon的 HEXFET 功率MOS管。下面拆卸下来测试一下这颗功率管的特性,为之后应用打下基础。

封装 mos 漏极 2025-01-16 18:30  20

5分钟小科普 | 小小开关,改变世界

在“5分钟小科普”栏目中,小编将为大家呈现一系列基础但至关重要的知识点,这些内容与我们的数字生活息息相关。让我们从计算机技术的核心元件——晶体管开始探索,这可是历史上生产数量最多的电子元件之一。

科普 逻辑门 漏极 2024-12-27 17:47  27

CPU内部的晶体管是如何工作的?

中央处理器(CPU)是计算机的核心部件,负责执行计算和控制任务。构成CPU的主要元素是晶体管,它们被用作开关和放大器来处理信息。理解晶体管的工作原理,可以帮助我们深入认识CPU的功能和性能。

cpu 晶体管 漏极 2024-12-16 15:55  16