国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“基于沟槽栅的IGBT器件及其制备方法”的专利，公开号CN 119132950 A，申请日期为2024年9月。

沟槽 igbt vcesat 2024-12-19 11:22  5