4H-SiC具有宽带隙（3.26 eV，是硅的3倍）、高击穿场强（2.8×106 V/cm，是硅的10倍）、高饱和电子漂移速度（2.2×107 cm/s，是硅的10倍）、高热导率（4.9 W·cm-1·K-1，是硅的3倍）和高稳定性等优良特性，已广泛应用于新能

kcl 溶液 kcl溶液 2024-12-20 08:51  1