杭州万高科技申请基于eDRAM的计算架构及方法专利，具有低功耗等优点
国家知识产权局信息显示，杭州万高科技股份有限公司申请一项名为“一种基于eDRAM的高密度近存计算与存内计算混合架构及计算方法”的专利，公开号CN 119152906 A，申请日期为2024年11月。
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国家知识产权局信息显示，杭州万高科技股份有限公司申请一项名为“一种基于eDRAM的高密度近存计算与存内计算混合架构及计算方法”的专利，公开号CN 119152906 A，申请日期为2024年11月。