这类芯片,寒冬已过?
去年摩根士丹利发布的《寒冬将至》报告曾为半导体行业浇下一盆冷水。然而,2025年上半年以来,全球芯片市场正悄然释放出复苏信号。尤其是内存芯片领域,从通用DRAM到高带宽内存(HBM),市场价格回升、库存去化、订单恢复,似乎正在书写“春天将至”的新篇章。
去年摩根士丹利发布的《寒冬将至》报告曾为半导体行业浇下一盆冷水。然而,2025年上半年以来,全球芯片市场正悄然释放出复苏信号。尤其是内存芯片领域,从通用DRAM到高带宽内存(HBM),市场价格回升、库存去化、订单恢复,似乎正在书写“春天将至”的新篇章。
负责美国商务部工业和安全局(BIS)的商务部副部长杰弗里·凯斯勒 (Jeffrey Kessler) 已经通知三星电子、SK海力士、台积电等在中国大陆拥有晶圆厂的晶圆制造商,美国计划取消允许它们在中国使用美国技术(主要是半导体设备)的豁免。
今日早盘,港股半导体股走强,康特隆涨近8%,华虹半导体涨超6%,中芯国际涨近5%,晶门半导体、脑洞科技大涨,宏光半导体涨近2%。A股半导体板块一度飙涨近2%。与此同时,韩国半导体板块早盘多数杀跌,三星电子一度下跌2.7%,Wonik IPS跌4.2%,Hanm
蒙扎有意租借国米18岁前锋德皮耶里(Giacomo De Pieri)。
“抖颜一”的孙恩盛被指公开活动穿搭抄袭贺峻霖,吓得其火速直播认真辟谣;因发现歌友会着装与服装相似、求生欲爆棚连夜更换服装的蒋一帆,人人自危成了当下网红参与公开活动的最恰当注解。
当地时间 6 月 20 日,《华尔街日报》曝出一则重磅消息:美国商务部副部长杰弗里・凯斯勒已向三星电子、SK 海力士、台积电等在中国大陆拥有晶圆厂的制造商传达,美国正计划取消它们在中国使用美国技术的豁免权。
当地时间6月20日,据《华尔街日报》援引知情人士的话报道称,负责美国商务部工业和安全局(BIS)的商务部副部长杰弗里·凯斯勒 (Jeffrey Kessler) 已经通知三星电子、SK海力士、台积电等在中国大陆拥有晶圆厂的晶圆制造商,美国计划取消允许它们在中国
美国又一次收紧了对中国芯片业的科技锁链。这一次,华府不再施以“豁免”的仁慈,而是直接挥刀,向曾被许可在中国运营的三星、SK海力士与台积电三大亚洲芯片巨头宣告:你们在中国继续使用美国技术的自由,恐怕行将终结。
受惠AI推动,高带宽内存(HBM)需求强劲,带动SK海力士(SK Hynix)营业利益率持续改善,并于2025年第1季在DRAM营收上首度超越三星电子(Samsung Electronics),改写长年以来由三星领先的市场格局,凸显AI对内存市场竞争重塑的影响
云服务大厂亚马逊AWS携手韩国第二大财阀SK集团,以及SK集团旗下子公司SK 海力士、SK 电讯、SK 宽带等,计划在韩国蔚山打造韩国最大AI数据中心,目标电力容量达103兆瓦,并将部署高达6万颗GPU,对于韩国加速推进AI发展具有标志性意义。
在美光高调宣布停产DDR 4之际,DRAM市场正在发生变化。首先体现得就是DDR 4的快速涨价。据台媒日前报道,最新DDR4 DRAM现货价包括8Gb、16Gb等规格单日都暴涨近8%,涨幅令业界瞠目结舌,本季以来报价已翻涨一倍以上。
北京时间6月11日凌晨欧洲足坛爆出多条重磅转会消息!多特花费重金签约小贝林,曼城签下法国天才谢尔基,巴萨敲定未来球队第一门将,德布劳内将登陆意甲联赛,知名转会专家罗马诺跟进了多笔交易,欧洲足坛疯狂一夜!五大联赛大变局
韩国SK AX 11日宣布,将与全球软件公司SAP合作开发基于人工智能(AI)的企业资源规划(ERP)创新模型。SK AX表示,在西班牙马德里举行的全球IT会议“SAP Sapphire”上讨论了此事。
ZDNet 报道显示,继 3 月份推出 12 层 HBM4 样品后,SK 海力士在京都举行的 2025 年 IEEE VLSI 研讨会(6 月 8 日至 12 日)上公布了长期 DRAM 路线图和可持续发展愿景,重点介绍了 10nm 以下技术的计划。
2025 年 IEEE VLSI 研讨会正于日本东京举行。SK 海力士在会议上提出了未来 30 年的新 DRAM 技术路线图和可持续创新方向。
日前,根据多家市场研究公司对2023年第一季度DRAM市场的报告,SK海力士已超过三星电子,稳坐榜首。SK海力士凭借其高带宽存储器(HBM)优势,Ascension存储器半导体行业的宝座,标志着市场领导地位的重大转变。
全球存储芯片三巨头分别是三星、SK海力士和美光,其中前两家为韩国企业,占据存储芯片市场大部分份额。另一家为美企,多年来排名全球第三,近几年很不厚道。
根据TrendForce集邦咨询数据披露,2025年第一季度数据显示,SK海力士以36%的DRAM营收份额位居榜首,三星(33.7%)与美光(24.3%)紧随其后,三家合计占据全球DRAM市场94%的份额。在NAND闪存领域,三星以31.9%的市占率领跑,SK
尽管第一季度全球DRAM销售额因合同价格下跌、以及HBM出货量下降,导致环比减少9%至263.3亿美元,但SK海力士凭借97.2亿美元的营收表现逆势上扬,而三星电子营收则同比下滑19%至91亿美元。
SK海力士第一季度超越三星电子,荣登全球DRAM市场榜首。SK海力士凭借其高带宽存储器(HBM)的优势,成功登顶存储器半导体行业宝座,标志着其市场领导地位的重大转变。