群联：DeepSeek带动AI边缘装置效应显现 NAND供需有望在下半年趋于紧张
【群联：DeepSeek带动AI边缘装置效应显现 NAND供需有望在下半年趋于紧张】《科创板日报》11日讯，NAND Flash控制芯片厂群联预计，第一季度将是全年低点，随着NAND原厂涨价以及DeepSeek带动AI边缘装置等效应显现，NAND供需有望在下半
nand供需
韩厂传减产NAND供需趋平衡
继铠侠、美光传出减产后，三星、SK海力士也传出，在消费性NAND Flash进行减产，这是首次传出韩厂减产的消息。
存储：AI影响加深，DRAM、NAND供需随动
高带宽内存（HBM）是2024年半导体领域的绝对热词。随着AI持续推动，2025年HBM大概率依旧霸榜。因为数据中心和AI处理器越来越多地依赖这种类型的存储器来处理庞大数据，缓解带宽压力。而激增的HBM需求也将影响2025年的DRAM市场供需，预计存储厂商将会