晶体取向

一种新型存储技术问世

研究人员还证明，通过改变电场的扫描操作，可以在零电场下可靠地实现两种不同的磁状态。这意味着可以在零电场下有意实现非易失性二元状态。“通过精确控制多铁异质结构，可以满足实现实用磁电 (ME)-MRAM 设备的两个关键要求，即具有零电场的非易失性二元状态和巨大的

工业上（质子交换膜水电解槽）使用的用于析氧反应的氧化铱（IrO2）催化剂稀缺且昂贵。尽管氧化钌（RuO2）是一种有前途的替代品，但其较差的稳定性阻碍了实际应用。