三星加快HBM4开发 计划2025年末量产
三星选择在其平泽P4工厂建设1cnm工艺的DRAM生产线,已开始向Lam Research等合作伙伴订购设备,为HBM4的量产铺平道路。1cnm属于第六代10nm级别工艺,电路线宽约为11-12nm,预计今年进入商业化生产,三星打算用于生产HBM4的DRAM芯
三星选择在其平泽P4工厂建设1cnm工艺的DRAM生产线,已开始向Lam Research等合作伙伴订购设备,为HBM4的量产铺平道路。1cnm属于第六代10nm级别工艺,电路线宽约为11-12nm,预计今年进入商业化生产,三星打算用于生产HBM4的DRAM芯