ADGS6414D射频开关的概述分析
ADGS6414D包含8个独立的低导通电阻单极/单掷(SPST)开关,采用4mm×5mm、30端子LGA封装。
开关 导通电阻 adgs6414d adgs6414d射频 2025-04-10 16:50 1
ADGS6414D包含8个独立的低导通电阻单极/单掷(SPST)开关,采用4mm×5mm、30端子LGA封装。
开关 导通电阻 adgs6414d adgs6414d射频 2025-04-10 16:50 1
瑞萨电子今日宣布,推出基于全新MOSFET晶圆制造工艺——REXFET-1而推出的100V大功率N沟道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF,为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电管理等应用提供理想的大电流开关性能。基于这一创