功率GaN的新趋势：GaN BDS
最近多家GaN厂商推出双向GaN功率开关，即GaN BDS（Bidirectional Switch，双向开关）。这是一种较为新型的GaN功率器件产品，顾名思义，双向GaN主要是能够实现电流的双向导通和电压的双向阻断，显著提升电力电子系统的效率与集成度。
导通电阻
功率半导体器件与功率集成技术的发展现状及展望
功率半导体技术是半导体领域的重要研究内容之一, 主要应用于现代电子系统的功率处理单元, 是当今消费类电子、工业控制和国防装备等领域中的关键技术之一. 本文概要介绍了功率半导体器件与集成技术的特点和应用范围, 阐述了功率半导体器件与集成技术的发展现状和趋势, 给
ADGS6414D射频开关的概述分析
ADGS6414D包含8个独立的低导通电阻单极/单掷（SPST）开关，采用4mm×5mm、30端子LGA封装。
开关 导通电阻 adgs6414d adgs6414d射频 2025-04-10 16:50 7
瑞萨推出性能卓越的新型MOSFET
瑞萨电子今日宣布，推出基于全新MOSFET晶圆制造工艺——REXFET-1而推出的100V大功率N沟道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电管理等应用提供理想的大电流开关性能。基于这一创