瑞萨推出性能卓越的新型MOSFET
瑞萨电子今日宣布,推出基于全新MOSFET晶圆制造工艺——REXFET-1而推出的100V大功率N沟道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF,为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电管理等应用提供理想的大电流开关性能。基于这一创
瑞萨电子今日宣布,推出基于全新MOSFET晶圆制造工艺——REXFET-1而推出的100V大功率N沟道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF,为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电管理等应用提供理想的大电流开关性能。基于这一创