设计一个缓冲电路抑制浪涌
近年来，SiC MOSFET作为一种开关器件，被广泛用于各种电源应用和电源线路中。之所以得以快速普及，原因之一是与传统功率半导体相比，它支持高速开关工作。然而，由于开关时电压和电流急剧变化，器件本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响已经不容忽视，最终导致漏极
近年来，SiC MOSFET作为一种开关器件，被广泛用于各种电源应用和电源线路中。之所以得以快速普及，原因之一是与传统功率半导体相比，它支持高速开关工作。然而，由于开关时电压和电流急剧变化，器件本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响已经不容忽视，最终导致漏极