MBE的Sn掺杂Ga₂O₃同质外延薄膜的电输运性质和电子结构特性
在国家重点研发计划“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究” （项目编号：2022YFB3605500）支持下，厦门大学张洪良系统地研究了杭州富加镓业科技有限公司（以下简称：富加镓业）提供的分子束外延（MBE）制备氧化镓薄膜的电输运性质，并与日本及美国科研团队
在国家重点研发计划“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究” （项目编号：2022YFB3605500）支持下，厦门大学张洪良系统地研究了杭州富加镓业科技有限公司（以下简称：富加镓业）提供的分子束外延（MBE）制备氧化镓薄膜的电输运性质，并与日本及美国科研团队