华大北斗申请GNSS芯片合封FLASH异常保护专利,在FLASH发生三态后避免GNSS芯片无法运行
国家知识产权局信息显示,深圳华大北斗科技股份有限公司申请一项名为“GNSS芯片合封FLASH异常保护方法及文件系统”的专利,公开号CN 119152918 A,申请日期为2024年11月。
国家知识产权局信息显示,深圳华大北斗科技股份有限公司申请一项名为“GNSS芯片合封FLASH异常保护方法及文件系统”的专利,公开号CN 119152918 A,申请日期为2024年11月。
原创 关注推理模型的 机器之心机器之心报道编辑:Panda、小舟不仅能推理,还能明确展示自己「推理逻辑」的大模型出现了。OpenAI 的 12 天连续发布已近尾声,但它的热度显然已经被谷歌夺去了许多。从 到 到今天的 Gemini 2.0 Flash Thin
gemini flash flashthinking 2024-12-21 08:30 2
谷歌近期推出的Gemini2.0Flash Thinking模型在多模态推理领域展现出强大的能力,支持32,000个输入标记和8,000个输出标记,极大提升了处理复杂问题的效率。该模型通过透明的逐步推理方式解决了AI“黑箱”问题,增强了用户对模型决策过程的理解
智能豆浆机源自于现代人对健康生活方式的不懈追求以及对便捷家居生活的深切向往。在快节奏的都市生活中,人们愈发重视饮食的营养均衡与天然纯净,豆浆作为一种营养丰富、易于消化吸收的饮品,深受各年龄层消费者的青睐。
刚才测试了AI8051U的 QSPI访问外部RAM的功能,下面,重新测试一下QSPI访问外部FLASH的程序。通过测试这些下载的程序,为今后嵌入式设计积累下可以使用的程序资源。
凭借罗彻斯特电子的生产能力,能够持续供应并行NOR Flash。不论是传统还是成熟产品对于此类产品都有持续需求。通过战略性安排,罗彻斯特电子购买了相关晶圆,得以继续生产4Mb和8Mb 5V的NOR Flash产品。
国家知识产权局信息显示,苏州元脑智能科技有限公司取得一项名为“一种固态硬盘调试板”的专利,授权公告号 CN 222167587 U,申请日期为2024年4月。
当地时间12月19日,谷歌发布实验性的“Gemini 2.0 Flash Thinking”模型,这是谷歌首个AI推理模型。该模型能明确展现自己的思考过程,来解决复杂的问题,推理能力更强。该模型目前已在Google AI Studio和Vertex AI平台上
最新数据显示,10-12月期间SSD指标性产品TLC 256GB批发价(大宗交易价格)敲定为每台32.5美元左右、容量较大的512GB价格为每台60.9美元左右,皆较前一季下跌约10%。
金融界 2024 年 12 月 18 日消息,国家知识产权局信息显示,东莞忆云信息系统有限公司申请一项名为“一种FLASH芯片错误安装的自动检测修正电路及方法”的专利,公开号 CN 119127556 A,申请日期为 2024 年 9 月。
国家知识产权局信息显示,中大智能科技股份有限公司取得一项名为“一种嵌入式NOR FLASH芯片的数据存储管理方法”的专利,授权公告号CN 113886281 B,申请日期为2021年9月。
非易失性存储器芯片在断电后亦能持续保存代码及数据,分为闪型存储器 (Flash Memory)与只读存储器(Read-OnlyMemory),其中闪型存储器是主流,而闪型存储器又主要是NAND Flash 和NOR Flash。
国家知识产权局信息显示,合肥大唐存储科技有限公司申请一项名为“一种TLC NAND FLASH闪存颗粒宽温工作模式筛选方法”的专利,公开号CN 119107999 A,申请日期为2024年9月。
周三,谷歌(GOOGL.US)发布了Gemini 2.0系列人工智能模型的第一个版本。该模型被称为Gemini 2.0 Flash,其聊天版本可供全球用户使用,而具有文本到语音和图像生成功能的实验多模式版本则可供开发人员使用。
周三,谷歌(GOOGL.US)发布了Gemini 2.0系列人工智能模型的第一个版本。该模型被称为Gemini 2.0 Flash,其聊天版本可供全球用户使用,而具有文本到语音和图像生成功能的实验多模式版本则可供开发人员使用。
周三,谷歌(GOOGL.US)发布了Gemini 2.0系列人工智能模型的第一个版本。该模型被称为Gemini 2.0 Flash,其聊天版本可供全球用户使用,而具有文本到语音和图像生成功能的实验多模式版本则可供开发人员使用。
为应对OpenAI此前推出的众多新产品,谷歌周三推出下一代重要人工智能模型Gemini 2.0 Flash,可以原生生成图像和音频,同时支持文本生成。2.0 Flash还可以使用第三方应用程序和服务,使其能够访问谷歌搜索、执行代码等功能。
这将使三星电子处于NAND Flash的领先位置,超过开始量产321层堆叠NAND Flash的SK海力士。
韩国媒体报道表示,三星半导体研究所完成突破性400层堆栈NAND Flash闪存开发。11月开始将技术转移到平泽园区一号工厂产线。重要的里程碑使三星处于NAND Flash领先位置,超过开始量产321层堆栈NAND Flash的SK海力士。
近期,三星电子在NAND Flash闪存技术领域取得了重大突破,成功研发出400层堆叠技术,并正紧锣密鼓地推进该技术向大规模生产的转移。这一消息无疑为全球存储市场注入了新的活力。