三星新版1b nm DRAM:能否破解良率与性能双重难题?
三星电子针对其12nm级别DRAM内存产品遇到的良率及性能挑战,已经制定了应对策略。报道透露,三星在2024年末决定在优化当前1b nm工艺的基础上,重新设计一款全新的1b nm DRAM。
三星电子针对其12nm级别DRAM内存产品遇到的良率及性能挑战,已经制定了应对策略。报道透露,三星在2024年末决定在优化当前1b nm工艺的基础上,重新设计一款全新的1b nm DRAM。
三星电子内部为应对其 12nm 级 DRAM 内存产品面临的良率和性能双重困局,已在 2024 年底决定在改进现有 1b nm 工艺的同时从头设计新版 1b nm DRAM。